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MoS2 纳米器件中环境条件电开关的全光学原位研究
我们最近开发出了第一种非侵入性技术，它可以通过等离子体增强暗场 (DF) 纳米光谱在纳米尺度和环境条件下原位追踪材料形貌。[28–30] 在这里，我们利用纳米拉曼和纳米光致发光提供的附加功能对其进行扩展，以研究 MoS 2 中的切换机制。该方法的原理如图 1a 所示。将一个 80 nm 的金纳米粒子 (AuNP) 放置在金基底附近，用白光 (λ ≈ 400–900 nm) 照射，以在 AuNP 内产生等离子体共振 (单模)，并在 AuNP 和基底之间的间隔物中产生等离子体共振 (间隙模式)。[31,32] 使用 DF 散射显微镜配置检测共振，间隙模式的波长和强度取决于间隔物的折射率、厚度和几何形状。 [31,32] 使用 AuNP 作为电开关的纳米尺寸（≈ 700 nm 2 ）顶部触点 [29,33] 会导致纳米级开关通道内局部出现强场增强。这大大增强了拉曼和光致发光 (PL) 信号，[34] 方便地突出了原本无法检测到的纳米级开关动力学。文献中提出了许多针对 MoS 2 的开关机制，如表 1 所示。这些机制包括硫空位（VS）的迁移[3,9,10]、氧化 MoS 2 中氧的运动[6,12]、电荷捕获和脱捕获[2]、从半导体（2H）到金属（1T'）的相变[4,7]、以及金属离子从电极中嵌入[5,13,17,18,20]。我们注意到，所有上述机制都会引起光信号（拉曼，PL）的变化，这些变化可以通过我们的实验能力检测到。特别是，通过透射电子显微镜（TEM）研究的所有 MoS 2 纳米片中都观察到的 VS 密度[36–38]与 ≈ 750 nm 处的 PL 峰[39,40]、MoS 2 的 A/B 激子的强度比[39,41]相关
单次时间分辨的空间充电畸变...
传输电子显微镜（TEM）已被证明是所有搜索区域中极其强大且通用的工具，这些工具从原子量表空间分辨率下进行成像受益[1-3]。尽管可以从NM和Sub-NM分辨率的样品的静态快照中获得大量信息，但如果可以升级该技术的到达，则在升级该技术的范围以包括对样品结构，组合和对应用程序的响应中的质量变化以及其他元素的响应中的响应方式的研究中有明显的突破性进步，并在4 dectime of Ade aft eq afteremention中进行了四分之一的范围。与空间分辨率的外部进步形成鲜明对比（最近通过引入亚物化校正来打破了子角屏障[5，6]），由于固有的时间需要长时间的曝光时间，因此，TEMS的时间分辨率受到限制，以击败基本的射击限制，以击败基本的射击限制。给定TEM柱中的平均电子电流（通常低于1 µA），以便提供照明剂量足以实现高质量成像，需要以毫秒或更长的时间为单位的时间间隔。已经有多次尝试解决电子成像中的这种缺陷。一种解决方案是在电子柱中主要是非常低的电流，但是将电子在Ob-Ject平面的到达时间进行了综合，并以相同的确切方式重复了效应的发生效应的发生，并重复了数百万的标本照明[4]。这种频道镜检查允许在电子和磁场动力学（Pinem and Magement Vortex）的成像中进行开创性结果[8，9]。当样本动力学不能以相同的方式复制（不可逆的过程）时，就必须诉诸于单个镜头照明，这是一个将所有电子发送到一个时间持续时间
科学公告-Pedro Alvarez
在芬顿样反应中，高价值的钴氧（CO IV = O）由于高氧化还原电位，长终生和抗干扰性能而引起了人们的兴趣，但其产生受到电子富含牛的氧气和含量富含氧气和含量中心的影响。在这里，我们使用situ co k-gede X射线吸收光谱中的钴单原子催化剂（co-SACS）激活过多氧硫酸盐（PMS）激活中co iv = o，并辨别出co iv = o的生成依赖于支持的（f f i）。像抗解酶-TIO 2一样支持高W f值，通过提取co-d电子来促进PMS末端 - 氧气 - 配体与CO位置的结合，从而降低了关键中间体的产生屏障（Co-ooso 3 2）。在PMS激活期间，锚定在氧化酶-tiO 2（共旋转2）上的CO原子表现出增强的CO IV = O co IV = O磺胺甲恶唑（SMX）降解的出色活性。CO-TIO 2 /PMS系统中CO IV = O的归一化稳态浓度比自由基的稳态浓度高三个数量级，比其他Co-SACS /PMS系统中产生的稳态浓度高1.3至11倍。co-tio 2 /pms在连续流动运行下以最小的CO 2+浸出持续效率地去除SMX，这表明其吸引人的水纯度潜力。总体而言，这些结果强调了支持选择的支持选择的显着性，以增强支持金属囊中的高价值金属氧和有效的PMS激活。2024科学中国出版社。由Elsevier B.V.和Science China Press出版。所有权利都保留，包括用于文本和数据挖掘，AI培训和类似技术的权利。
![arXiv:2012.02219v1 [physics.app-ph] 2020 年 12 月 3 日](/simg/g:\will\search\icon\source\3\38fc3405bc9530299f5c0e6b4a3322edcbc0d604.webp)
arXiv:2012.02219v1 [physics.app-ph] 2020 年 12 月 3 日
该 MPTEM 涉及实现一种新颖的电子光学元件——门控镜，用于将电子输入和输出耦合到多通成像系统。通过快速降低电位（“打开”状态），门控镜将作为透镜工作，并且电子可以输入到 MPTEM。然后可以提高电位（“关闭”状态），门控镜现在作为反射元件工作。可以再次降低电位，将电子输出耦合。我们的设计是一个机械对称的五电极透镜，具有两个外电极、两个内电极和一个中心电极。参见图 1 中的机械加工原型。每个电极将保持在独立于其他电极的静态直流电压下，并在中心电极上施加门控脉冲。中心电极和内电极（每侧）之间的电容约为 5 pF，内电极和外电极之间的电容约为 10 pF。同心真空室将每个电极大约 2 pF 的电容引入地。该门控镜对电压有严格的要求：理想情况下，门控镜将由完美的箱车脉冲串驱动，并始终处于完全打开（透镜）状态或完全关闭（镜子）状态。当然，这需要完美的电响应和无限的驱动电子设备带宽。实际上，需要容忍有限的上升时间和有限的脉冲平坦度。上升和下降时间要求由往返时间≳10 ns 给出。我们的初步目标是实现≤3 ns的上升和下降时间。平坦度要求来自色差考虑。我们的目标是将门控镜对色差的贡献保持在与电子源中的能量扩散引入的色差大致相同的数量级 [8]。因此，目标是在最终的 100 V 驱动电压下实现优于 1 V 的脉冲平坦度，或在我们的台式测试中实现峰峰值电压的 1%。请注意，此平坦度目标不仅适用于用于电子传输的脉冲顶部，还适用于尾部
钙钛矿太阳能电池的超薄血浆聚合物钝化，以提高稳定性和可重复性
在人类行为引起的气候危机的情况下，[1,2]由于基于杂种金属卤化物钙钛矿配合的太阳能设备的发展，光电场在过去几年中经历了快速行为。[3]当前，这些设备已经达到了商业硅细胞的竞争效率。[4]迄今为止，使用中孔TIO 2（M -Tio 2）作为电子传输层（ETL），通过中端架构实现了最高效的钙钛矿太阳能电池（PSC）。介孔支架与吸湿化合物（如锂盐）相掺杂，以增强其电子迁移率。[5–8]尽管Li-Greatment主要改善了钙钛矿设备的性能，因为它主要改善了细胞的开路电压和填充因子，但它也会导致太阳能设备针对环境水分的不稳定性以及其光伏参数的低可重复性。[9,10]的确，如今为PSC实际开发而要克服的一些最重要的瓶颈与记录效率无关，而与两者都没有有关：1）他们缺乏可复制的制造方法； 2）固有的低稳定性在逼真的室外条件下（水分，紫外线照明，温度等）。在第一种情况下，PSC的效率分散率在更公认的实验室中远非狭窄，因为它已经在有关该主题的参考文章中进行了彻底讨论，因为Saliba等人，[9] Jimenez-López等人，[11] Qiu等。[12]和许多其他。[19-21]在第二位，PSC对环境条件的敏感性，尤其是对钙钛矿材料的敏感性，施加了使用干燥大气盒的使用，这阻碍了这些太阳能设备的大规模生产。[13–18]在这种情况下，许多研究人员致力于寻找钝化材料，以修改不利于设备的性能但会提高其稳定性的层中层。到目前为止，用于钝化界面的材料包括2D钙钛矿，金属氧化物化合物或绝缘有机材料。这些报道的方法通常使用解决方案方法，但是，尚未探索任何可扩展到工业制造的替代真空工艺。
钙钛矿太阳能电池的超薄等离子体聚合物钝化可提高稳定性和可重复性
在人类活动导致的气候危机背景下[1,2]，由于基于混合金属卤化物钙钛矿材料的太阳能装置的发展，光伏领域在过去几年中取得了迅速发展。 [3] 目前，这些装置的效率已经与商业硅电池相媲美。 [4] 迄今为止，最高效的钙钛矿太阳能电池 (PSC) 是通过使用介孔 TiO 2 (m-TiO 2) 作为电子传输层 (ETL) 的介观结构实现的。介孔支架通常掺杂吸湿化合物如锂盐以增强其电子迁移率。 [5–8] 虽然锂处理提高了钙钛矿装置的性能，因为它主要提高了电池的开路电压和填充因子，但它也导致太阳能装置对环境湿度的不稳定性更大，以及其光伏参数的低可重复性。 [9,10] 事实上，目前 PSC 实际应用面临的一些最重要瓶颈与创纪录的效率无关，而是与以下两个方面有关：1) 缺乏可重复的制造方法；2) 在实际室外条件下（湿度、紫外线照射、温度等）固有的低稳定性。在第一种情况下，PSC 的效率分散性在更受认可的实验室中并不狭窄，正如 Saliba 等人 [9] Jimenez-López 等人 [11] Qiu 等人 [12] 等许多学者在该主题的参考文章中对此进行了彻底讨论。其次，PSC 对环境条件的敏感性，尤其是钙钛矿材料，要求使用干气氛手套箱，这阻碍了这些太阳能装置的大规模生产。 [13–18] 在此背景下，许多研究人员致力于寻找钝化材料来修改中间层，这些材料不会损害器件的性能，但可以提高器件的稳定性。到目前为止，用于钝化界面的材料包括二维钙钛矿、金属氧化物化合物或绝缘有机材料。这些报道的方法通常使用溶液法，然而，尚未探索可扩展到工业制造的替代真空工艺。[19–21]
钙钛矿太阳能电池的超薄血浆聚合物钝化，以提高稳定性和可重复性
在人类行为引起的气候危机的情况下，[1,2]由于基于杂种金属卤化物钙钛矿配合的太阳能设备的发展，光电场在过去几年中经历了快速行为。[3]当前，这些设备已经达到了商业硅细胞的竞争效率。[4]迄今为止，使用中孔TIO 2（M -Tio 2）作为电子传输层（ETL），通过中端架构实现了最高效的钙钛矿太阳能电池（PSC）。介孔支架与吸湿化合物（如锂盐）相掺杂，以增强其电子迁移率。[5–8]尽管Li-Greatment主要改善了钙钛矿设备的性能，因为它主要改善了细胞的开路电压和填充因子，但它也会导致太阳能设备针对环境水分的不稳定性以及其光伏参数的低可重复性。[9,10]的确，如今为PSC实际开发而要克服的一些最重要的瓶颈与记录效率无关，而与两者都没有有关：1）他们缺乏可复制的制造方法； 2）固有的低稳定性在逼真的室外条件下（水分，紫外线照明，温度等）。在第一种情况下，PSC的效率分散率在更公认的实验室中远非狭窄，因为它已经在有关该主题的参考文章中进行了彻底讨论，因为Saliba等人，[9] Jimenez-López等人，[11] Qiu等。[12]和许多其他。[19-21]在第二位，PSC对环境条件的敏感性，尤其是对钙钛矿材料的敏感性，施加了使用干燥大气盒的使用，这阻碍了这些太阳能设备的大规模生产。[13–18]在这种情况下，许多研究人员致力于寻找钝化材料，以修改不利于设备的性能但会提高其稳定性的层中层。到目前为止，用于钝化界面的材料包括2D钙钛矿，金属氧化物化合物或绝缘有机材料。这些报道的方法通常使用解决方案方法，但是，尚未探索任何可扩展到工业制造的替代真空工艺。
定向搜索来自……的连续引力波
年轻的孤立中子星及其疑似位置是定向搜索连续引力波 (GWs) 的有希望的目标 [1]。即使没有从脉冲星的电磁观测中获得计时信息，这种搜索也可以以合理的计算成本实现有趣的灵敏度 [2]。包含候选非脉冲中子星的年轻超新星遗迹 (SNR) 是此类搜索的自然目标，即使在没有候选中子星的情况下，小型 SNR 或脉冲星风星云也是如此（只要 SNR 不是 Ia 型，即不会留下致密物体）。过去十年，已经发表了许多关于孤立、定位良好的中子星（除已知脉冲星外）的连续引力波的上限。它们使用的数据范围从初始 LIGO 运行到高级 LIGO 的第一次观测运行（O1）和第二次观测运行（O2）。大多数搜索都针对相对年轻的 SNR [3-11]。一些搜索瞄准了银河系中心等有希望的小区域 [4, 8, 11–13]。一项搜索瞄准了附近的球状星团，那里的多体相互作用可能会有效地使一颗老中子星恢复活力，从而产生连续的引力波 [14]。一些搜索使用了较短的相干时间和最初为随机引力波背景开发的快速、计算成本低的方法 [4, 8, 11]。大多数搜索速度较慢但灵敏度更高，使用较长的相干时间和基于匹配滤波和类似技术的针对连续波的专用方法。这里我们展示了对 12 个 SNR 的 O2 数据的首次搜索，使用完全相干的 F 统计量，该统计量是在代码流水线中实现的，该流水线源自首次发布的搜索 [3] 等 [5, 9] 中使用的代码流水线。由于 O2 噪声频谱并不比 O1 低很多，我们通过专注于与年轻脉冲星观测到的低频兼容的低频，加深了这些搜索（相对于 O1 搜索 [9]）。这一重点使我们能够增加相干时间，并获得显着的改进
脉冲 HBr/O–2 等离子体中的硅蚀刻。II. 图案转移
由 HBr/O 2 组成的等离子体通常用于硅蚀刻工艺，如栅极蚀刻工艺或浅沟槽隔离蚀刻，由于人们对此类化学反应中的硅蚀刻相当了解，因此它成为研究等离子体脉冲对气相和等离子体-表面相互作用的影响的最佳选择。目标是了解连续等离子体和脉冲等离子体之间的根本区别，以及等离子体产生的变化如何影响最终的图案转移。在论文 I 中，我们展示了等离子体脉冲对离子通量和离子能量的强大影响。1 结果显示，占空比 (dc) 而不是脉冲频率对这些参数有显著影响。在本文中，我们重点研究等离子体脉冲对 HBr/O 2 等离子体中的蚀刻机制和图案转移的影响。先前的实验已经证明脉冲等离子体中等离子体引起的损伤有所减少，2 – 4 通常通过使用扫描电子显微镜 (SEM) 成像、椭圆偏振测量和 X 射线光电子能谱 (XPS) 对侧壁钝化层 (SPL) 进行形貌分析。许多作者已经研究了 HBr/O 2 等离子体对硅和 SiO 2 的蚀刻机理。5 – 13 下面总结了 Si 和 SiO 2 蚀刻的基本机理，其中考虑了原料气中极小比例的氧气。含溴、氢和（较少量）氧的离子撞击硅表面、分解、破坏键并形成富含卤素的非晶层，也称为反应蚀刻层 (REL)，其中含有 H、Br 和一些 O 原子。非晶层的厚度和成分会根据离子能量、压力和原料气流量而变化。由于氢原子比其他粒子小得多，它们可以更深地渗透到硅层中，然后硅原子可以因碰撞而解吸，或可以融入挥发性物质，如 SiBr 4。含氢分子如 SiH 2 Br 2 的挥发性更强，13 但硅蚀刻并不
难以埋葬的工业和海事领域的脱碳：技术援助报告
Roserillan Robidillo，高级保障官员，OSFG Aida Satylganova，高级保障专家（社交），OSFG SUVALAXMI SEN，保障措施（环境），OSFG Adnan Tareen，SG-Ene Elson Tio Jr.，Sg-Ene Elson Tio Jr. CCSD区域合作与整合与贸易部的主要区域合作专家OSFG Yuebin Zhang的Vermudo，CCSD在准备任何国家计划或策略，为任何项目提供资金，或通过对本文档中的任何特定领域或地理领域的任何指定或参考任何法律或其他法律保证或其他法律保证的法律或指称任何法律或指称任何法律或指称任何法律或其他法律，以使任何法律或其他人都不应属于任何一个法律或指称任何法律，以使任何法律或其他人都不适合任何一个法律或其他法律。