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封装的 Ga2O3 肖特基整流器，具有超过 60 A 的浪涌电流能力
摘要 — 超宽带隙氧化镓 (Ga 2 O 3 ) 器件最近已成为电力电子领域的有希望的候选者；然而，Ga 2 O 3 的低热导率 (k T ) 引起了人们对其电热稳定性的严重担忧。这项工作首次实验演示了采用底部冷却和双面冷却配置封装的大面积 Ga 2 O 3 肖特基势垒二极管 (SBD)，并首次表征了这些封装 Ga 2 O 3 SBD 的浪涌电流能力。与普遍看法相反，采用适当封装的 Ga 2 O 3 SBD 表现出很高的浪涌电流能力。具有 3×3 mm 2 肖特基接触面积的双面冷却 Ga 2 O 3 SBD 可以承受超过 60 A 的峰值浪涌电流，峰值浪涌电流与额定电流之比优于同等额定值的商用 SiC SBD。这种高浪涌电流的关键促成机制是导通电阻的温度依赖性小，这大大降低了热失控，以及双面冷却封装，其中热量直接从肖特基结提取，不需要通过低 k T 块状 Ga 2 O 3 芯片。这些结果消除了有关 Ga 2 O 3 功率器件电热耐用性的一些关键担忧，并体现了其芯片级热管理的重要性。1
在自由的基板上生长的gan epilayer的Ni Schottky屏障的当前运输
[5] K.J. Chhen，O.Häberlen，A。Flee，Sweep Linen Tsai，T。Ueda，Y。Uemoto，Y。Wu，Ieet Trans。 电子设备64，（2017）779。 [6] Y. Sun，X Age，Yeng，J Lu，X Tian，K Wei，H Wu，W.Wang，X。Franumer和G. Zhang，Electronics，vol。 8，不。 5，pp。 575，（2019）[7] j。 Y. Zhang，M。Sun，D。Piedra。 SCI。 半座。 Process。，78，75-84，（2018）。 Y. Zhang。 Sun，M。Liu，D。Piedra。 物理。 Lett。 110，193506（2017）。 F. Roccafort，F。Giannazzo，A SCI。 半座。 过程。 94，164（2019）[10] K. Fu，H。Fu，H。Huang，T.-H。杨，C.-y。 郑，Pr。佩里。 8，pp。 74-83，2020 [11] L. Sang，B。Ren。 物理。 Lett。 111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. Giannazzo，F。Giannazza， 固体状态A，215）（2018年），1700613。 [14] P.V. Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。[5] K.J.Chhen，O.Häberlen，A。Flee，Sweep Linen Tsai，T。Ueda，Y。Uemoto，Y。Wu，Ieet Trans。电子设备64，（2017）779。[6] Y.Sun，X Age，Yeng，J Lu，X Tian，K Wei，H Wu，W.Wang，X。Franumer和G. Zhang，Electronics，vol。8，不。5，pp。575，（2019）[7] j。 Y. Zhang，M。Sun，D。Piedra。SCI。 半座。 Process。，78，75-84，（2018）。 Y. Zhang。 Sun，M。Liu，D。Piedra。 物理。 Lett。 110，193506（2017）。 F. Roccafort，F。Giannazzo，A SCI。 半座。 过程。 94，164（2019）[10] K. Fu，H。Fu，H。Huang，T.-H。杨，C.-y。 郑，Pr。佩里。 8，pp。 74-83，2020 [11] L. Sang，B。Ren。 物理。 Lett。 111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. Giannazzo，F。Giannazza， 固体状态A，215）（2018年），1700613。 [14] P.V. Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。SCI。半座。Process。，78，75-84，（2018）。Y. Zhang。 Sun，M。Liu，D。Piedra。物理。Lett。 110，193506（2017）。 F. Roccafort，F。Giannazzo，A SCI。 半座。 过程。 94，164（2019）[10] K. Fu，H。Fu，H。Huang，T.-H。杨，C.-y。 郑，Pr。佩里。 8，pp。 74-83，2020 [11] L. Sang，B。Ren。 物理。 Lett。 111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. Giannazzo，F。Giannazza， 固体状态A，215）（2018年），1700613。 [14] P.V. Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。Lett。110，193506（2017）。 F. Roccafort，F。Giannazzo，A SCI。 半座。 过程。 94，164（2019）[10] K. Fu，H。Fu，H。Huang，T.-H。杨，C.-y。 郑，Pr。佩里。 8，pp。 74-83，2020 [11] L. Sang，B。Ren。 物理。 Lett。 111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. Giannazzo，F。Giannazza， 固体状态A，215）（2018年），1700613。 [14] P.V. Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。110，193506（2017）。F. Roccafort，F。Giannazzo，ASCI。 半座。 过程。 94，164（2019）[10] K. Fu，H。Fu，H。Huang，T.-H。杨，C.-y。 郑，Pr。佩里。 8，pp。 74-83，2020 [11] L. Sang，B。Ren。 物理。 Lett。 111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. Giannazzo，F。Giannazza， 固体状态A，215）（2018年），1700613。 [14] P.V. Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。SCI。半座。过程。94，164（2019）[10] K. Fu，H。Fu，H。Huang，T.-H。杨，C.-y。 郑，Pr。佩里。 8，pp。 74-83，2020 [11] L. Sang，B。Ren。 物理。 Lett。 111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. Giannazzo，F。Giannazza， 固体状态A，215）（2018年），1700613。 [14] P.V. Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。94，164（2019）[10] K. Fu，H。Fu，H。Huang，T.-H。杨，C.-y。郑，Pr。佩里。8，pp。74-83，2020 [11] L. Sang，B。Ren。 物理。 Lett。 111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. Giannazzo，F。Giannazza， 固体状态A，215）（2018年），1700613。 [14] P.V. Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。74-83，2020 [11] L. Sang，B。Ren。物理。Lett。 111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. Giannazzo，F。Giannazza， 固体状态A，215）（2018年），1700613。 [14] P.V. Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。Lett。111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. Giannazzo，F。Giannazza， 固体状态A，215）（2018年），1700613。 [14] P.V. Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。111，12102（2017）。[12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda，电子。dev。69，4206（2022）。G. Giannazzo，F。Giannazza，固体状态A，215）（2018年），1700613。[14] P.V.Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。no，H。Morel，L.V。Phung，T.H。 非政府组织，P.D。 Mierry，E。FrayersH. Maher，J。Tasselli，K。Sub-Morease，Y。Cordier，D。Plannon，Microelectron。 J. 128，（2022）1055。 [15] A.Sanduplata，S。Alummaran，G.I。 ng，K。Ranjan。 物理。 展开。 13，074001（2020）。 [16] Z. Shi，X。Xiang，H。Zhang，Q.。 He，G。Jian，K。Zho，X。Zho，Xing，G。Xu，Smicond。 SCI。 树。 37（2022）065010。 [17] X. Liu，F。Lin，F。Li，Y。Ship，H.C。 Kuo，IEEE Trans。 电子。 dev。 69，1938（2022）。 [18] V. Maurya，J。Buckley，D。Alquier，H。Haas，M.R。 iRet，t。 Calsounis，M。Charles，N。Rohat，C。Snails，V。 [19] T.H. ngo，R。Country，E。Frays，H。Cauveau，St.Hengoon，B。Damilano，F。Ford，B。Beaumont，J.P。G. G. Greco，Franco，P。Grzanka，M。Leszczynski，C。Youth，G.G. G.G. 谴责，F。Roccafort，物理。 状态实体A，212（2015）1091-1098 [21] G. Greco，F。Iucolano，C。Bongs，F。Giannazzo，M。Krysko，M。Leszzynski，F。Roccafort，Appl。 冲浪。 SCI。 314（2014）546–551。 https://doi.org/10.1016/j.apsusc。 SCI。 SCI。Phung，T.H。非政府组织，P.D。 Mierry，E。FrayersH. Maher，J。Tasselli，K。Sub-Morease，Y。Cordier，D。Plannon，Microelectron。 J. 128，（2022）1055。 [15] A.Sanduplata，S。Alummaran，G.I。 ng，K。Ranjan。 物理。 展开。 13，074001（2020）。 [16] Z. Shi，X。Xiang，H。Zhang，Q.。 He，G。Jian，K。Zho，X。Zho，Xing，G。Xu，Smicond。 SCI。 树。 37（2022）065010。 [17] X. Liu，F。Lin，F。Li，Y。Ship，H.C。 Kuo，IEEE Trans。 电子。 dev。 69，1938（2022）。 [18] V. Maurya，J。Buckley，D。Alquier，H。Haas，M.R。 iRet，t。 Calsounis，M。Charles，N。Rohat，C。Snails，V。 [19] T.H. ngo，R。Country，E。Frays，H。Cauveau，St.Hengoon，B。Damilano，F。Ford，B。Beaumont，J.P。G. G. Greco，Franco，P。Grzanka，M。Leszczynski，C。Youth，G.G. G.G. 谴责，F。Roccafort，物理。 状态实体A，212（2015）1091-1098 [21] G. Greco，F。Iucolano，C。Bongs，F。Giannazzo，M。Krysko，M。Leszzynski，F。Roccafort，Appl。 冲浪。 SCI。 314（2014）546–551。 https://doi.org/10.1016/j.apsusc。 SCI。 SCI。非政府组织，P.D。Mierry，E。FrayersH. Maher，J。Tasselli，K。Sub-Morease，Y。Cordier，D。Plannon，Microelectron。J.128，（2022）1055。[15] A.Sanduplata，S。Alummaran，G.I。ng，K。Ranjan。物理。展开。13，074001（2020）。[16] Z. Shi，X。Xiang，H。Zhang，Q.。He，G。Jian，K。Zho，X。Zho，Xing，G。Xu，Smicond。SCI。 树。 37（2022）065010。 [17] X. Liu，F。Lin，F。Li，Y。Ship，H.C。 Kuo，IEEE Trans。 电子。 dev。 69，1938（2022）。 [18] V. Maurya，J。Buckley，D。Alquier，H。Haas，M.R。 iRet，t。 Calsounis，M。Charles，N。Rohat，C。Snails，V。 [19] T.H. ngo，R。Country，E。Frays，H。Cauveau，St.Hengoon，B。Damilano，F。Ford，B。Beaumont，J.P。G. G. Greco，Franco，P。Grzanka，M。Leszczynski，C。Youth，G.G. G.G. 谴责，F。Roccafort，物理。 状态实体A，212（2015）1091-1098 [21] G. Greco，F。Iucolano，C。Bongs，F。Giannazzo，M。Krysko，M。Leszzynski，F。Roccafort，Appl。 冲浪。 SCI。 314（2014）546–551。 https://doi.org/10.1016/j.apsusc。 SCI。 SCI。SCI。树。 37（2022）065010。 [17] X. Liu，F。Lin，F。Li，Y。Ship，H.C。 Kuo，IEEE Trans。 电子。 dev。 69，1938（2022）。 [18] V. Maurya，J。Buckley，D。Alquier，H。Haas，M.R。 iRet，t。 Calsounis，M。Charles，N。Rohat，C。Snails，V。 [19] T.H. ngo，R。Country，E。Frays，H。Cauveau，St.Hengoon，B。Damilano，F。Ford，B。Beaumont，J.P。G. G. Greco，Franco，P。Grzanka，M。Leszczynski，C。Youth，G.G. G.G. 谴责，F。Roccafort，物理。 状态实体A，212（2015）1091-1098 [21] G. Greco，F。Iucolano，C。Bongs，F。Giannazzo，M。Krysko，M。Leszzynski，F。Roccafort，Appl。 冲浪。 SCI。 314（2014）546–551。 https://doi.org/10.1016/j.apsusc。 SCI。 SCI。树。37（2022）065010。[17] X. Liu，F。Lin，F。Li，Y。Ship，H.C。 Kuo，IEEE Trans。电子。dev。69，1938（2022）。[18] V. Maurya，J。Buckley，D。Alquier，H。Haas，M.R。iRet，t。Calsounis，M。Charles，N。Rohat，C。Snails，V。[19] T.H.ngo，R。Country，E。Frays，H。Cauveau，St.Hengoon，B。Damilano，F。Ford，B。Beaumont，J.P。G. G. Greco，Franco，P。Grzanka，M。Leszczynski，C。Youth，G.G. G.G.谴责，F。Roccafort，物理。状态实体A，212（2015）1091-1098 [21] G. Greco，F。Iucolano，C。Bongs，F。Giannazzo，M。Krysko，M。Leszzynski，F。Roccafort，Appl。冲浪。SCI。 314（2014）546–551。 https://doi.org/10.1016/j.apsusc。 SCI。 SCI。SCI。314（2014）546–551。https://doi.org/10.1016/j.apsusc。 SCI。 SCI。https://doi.org/10.1016/j.apsusc。SCI。 SCI。SCI。SCI。SCI。F. Roccafort，F。Giannazzo，A半座。过程。94（2019）164–170。 https://doi.org/10.1016/j.mssp。 [23] R. T. Tung，Mater。 Eng。，R。35.1（2001）。 JP [24] J. P. Sun，R。M。R. Pinto和W. R. Graham，J。Apple。 物理。 70，7403（1991）。 [25] R. F. F. SCI。 树。 B 15,1221（1997）[26] F. Roccaforte，F。Via，V。Raineri，R。Pierobon和E. Zanoni，J。Appl。 物理。 93，9137（2003）。 F. Roccafort，G。Greco，P。 冲浪。 SCI。 606（2022）154896 [28] G. Greek，P。 物理。 129（2021）234501。 M. Vivona。 G. G. G. Belocchi，L。Zumbo，S。 d：应用。 物理。 54（2021），055101。 F. A. A. Padovani和R. Stratton，固态。 9，（1966）695 [31] H. Kim; J. Electron。 mater。 50，（2021）6688–6707。94（2019）164–170。https://doi.org/10.1016/j.mssp。 [23] R. T. Tung，Mater。 Eng。，R。35.1（2001）。 JP [24] J. P. Sun，R。M。R. Pinto和W. R. Graham，J。Apple。 物理。 70，7403（1991）。 [25] R. F. F. SCI。 树。 B 15,1221（1997）[26] F. Roccaforte，F。Via，V。Raineri，R。Pierobon和E. Zanoni，J。Appl。 物理。 93，9137（2003）。 F. Roccafort，G。Greco，P。 冲浪。 SCI。 606（2022）154896 [28] G. Greek，P。 物理。 129（2021）234501。 M. Vivona。 G. G. G. Belocchi，L。Zumbo，S。 d：应用。 物理。 54（2021），055101。 F. A. A. Padovani和R. Stratton，固态。 9，（1966）695 [31] H. Kim; J. Electron。 mater。 50，（2021）6688–6707。https://doi.org/10.1016/j.mssp。[23] R. T. Tung，Mater。Eng。，R。35.1（2001）。JP [24] J. P. Sun，R。M。R. Pinto和W. R. Graham，J。Apple。物理。70，7403（1991）。[25] R. F. F.SCI。 树。 B 15,1221（1997）[26] F. Roccaforte，F。Via，V。Raineri，R。Pierobon和E. Zanoni，J。Appl。 物理。 93，9137（2003）。 F. Roccafort，G。Greco，P。 冲浪。 SCI。 606（2022）154896 [28] G. Greek，P。 物理。 129（2021）234501。 M. Vivona。 G. G. G. Belocchi，L。Zumbo，S。 d：应用。 物理。 54（2021），055101。 F. A. A. Padovani和R. Stratton，固态。 9，（1966）695 [31] H. Kim; J. Electron。 mater。 50，（2021）6688–6707。SCI。树。 B 15,1221（1997）[26] F. Roccaforte，F。Via，V。Raineri，R。Pierobon和E. Zanoni，J。Appl。 物理。 93，9137（2003）。 F. Roccafort，G。Greco，P。 冲浪。 SCI。 606（2022）154896 [28] G. Greek，P。 物理。 129（2021）234501。 M. Vivona。 G. G. G. Belocchi，L。Zumbo，S。 d：应用。 物理。 54（2021），055101。 F. A. A. Padovani和R. Stratton，固态。 9，（1966）695 [31] H. Kim; J. Electron。 mater。 50，（2021）6688–6707。树。B 15,1221（1997）[26] F. Roccaforte，F。Via，V。Raineri，R。Pierobon和E. Zanoni，J。Appl。物理。93，9137（2003）。F. Roccafort，G。Greco，P。冲浪。SCI。 606（2022）154896 [28] G. Greek，P。 物理。 129（2021）234501。 M. Vivona。 G. G. G. Belocchi，L。Zumbo，S。 d：应用。 物理。 54（2021），055101。 F. A. A. Padovani和R. Stratton，固态。 9，（1966）695 [31] H. Kim; J. Electron。 mater。 50，（2021）6688–6707。SCI。606（2022）154896 [28] G. Greek，P。物理。129（2021）234501。M. Vivona。 G. G. G. Belocchi，L。Zumbo，S。d：应用。物理。54（2021），055101。F. A. A. Padovani和R. Stratton，固态。9，（1966）695 [31] H. Kim; J. Electron。mater。50，（2021）6688–6707。
垂直 GaN-on-GaN 肖特基势垒二极管中的深能级瞬态傅里叶光谱 (DLTFS) 和等温瞬态光谱 (ITS)
P. Vigneshwara Raja、Christophe Raynaud、Camille Sonneville、Hervé Morel、Luong Viet Phung 等人。垂直 GaN-on-GaN 肖特基势垒二极管中的深能级瞬态傅里叶光谱 (DLTFS) 和等温瞬态光谱 (ITS)。微纳米结构，2022 年，172，第 207433 页。�10.1016/j.micrna.2022.207433�。�hal-04032160�
cantargia Publicerar starka prekliniska effekter och kliniska monoterapiresultatförnadunolimab vidbukspottkörtelcancerI杂志免疫疗法
关于Cantargia Cantargia AB（Publ），组织编号556791–6019，是一家生物技术公司，开发基于抗体的生命疗法 - 威胁生命疾病，并建立了一个基于蛋白质IL1RAP的平台，涉及几种癌症和炎性疾病。Cantargia的肿瘤学项目，抗体Nadunolimab（CAN04），临床研究，尤其是与细胞毒素结合使用，重点是胰腺癌，非小细胞肺癌和三重阴性乳腺癌。组合的阳性结果表明仅针对细胞毒素的预期效果更高。CANTARGIA的其他开发项目，即抗体CAN10，可以通过IL1RAP阻断信号传导，并且对治疗严重的自身免疫/炎症性疾病进行了优化，最初的重点是化学和全身性硬化症。CANTARGIA在纳斯达克斯德哥尔摩（股票：CANTA）上列出。可以通过有关Cantargia的更多信息。www.cantargia.com
在选定的环境气体下，金修饰石墨烯-Si 肖特基势垒二极管中的低频噪声
我们报告了金纳米粒子 (AuNP) 修饰的石墨烯-硅肖特基势垒二极管的电流-电压特性和低频噪声的结果。测量在环境空气中添加两种有机蒸气四氢呋喃 [(CH 2 ) 4 O; THF] 和氯仿 (CHCl 3 ) 中的任一种进行，以及在黄光照射 (592 nm) 期间进行，接近测量的金纳米粒子层的粒子等离子体极化频率。当加入四氢呋喃蒸气时（在金修饰的石墨烯-硅肖特基二极管中），我们观察到正向电压 (正向电阻区域) 的直流特性发生变化，而当添加氯仿时（在未修饰的石墨烯-硅肖特基二极管中），在黄光照射下会发生微小的变化。与无照射相比，在黄光照射期间观察到两种气体的低频噪声差异明显较大。与没有 AuNP 层的石墨烯-Si 肖特基二极管相比，AuNP 抑制了噪声强度。我们得出结论，所研究的金装饰肖特基二极管产生的闪烁噪声可用于气体检测。
一个
Schottky接触是半导体和金属之间关键的界面，在纳米 - 症状导向器件中变得越来越重要。shottky屏障，也称为能量障碍，可以控制跨金属 - 高症导体界面的耗竭宽度和载体运输。控制或调整Schottky屏障高度（SBH）一直是任何半导体设备成功运营中的至关重要问题。本综述提供了SBH静态和动态调整方法的全面概述，特别关注纳米半导体设备的最新进步。这些方法涵盖了金属，界面间隙状态，表面修饰，较低图像的效果，外部电场，光照明和压电效应的工作函数。我们还讨论了克服界面间隙状态引起的费米级固定效应的策略，包括范德华触点和1D边缘金属触点。最后，这篇评论以这一领域的未来观点结束。2024科学中国出版社。由Elsevier B.V.和Science China Press出版。保留所有权利。
硅碳化物schottky屏障二极管 - 应用注释
图3.1显示了Gen-3 SIC SBD的原理结构，这是Sanan半导体提供的最新一代SIC二极管。该设备结合了一个金属半导体连接，称为Schottky屏障，而不是表征标准SI二极管的传统P-N结。shottky屏障是在肖特基金属和轻微掺杂的N型外延之间形成的。基板的特征是高度掺杂的N型SIC晶圆，可提供机械稳定性。当应用正向电压时，电子是多数电载体，导致单极电流。此外，由于活动区域中存在几个P+岛，该设备在电涌操作过程中作为PN二极管行为，并产生额外的电流流动。此设计可防止高电压下降，这将带来二极管的破坏。
β-GA2O3 Schottky的可靠电性能...
大小（2×2 mm 2）β -GA -GA 2 O 3 Schottky屏障二极管（SBD）的电气和陷阱特性已有50至350 K报道。理想因素（n）从1.34降低到几乎统一，随着温度从50 K上升到350 K，表明近乎理想的肖特基特征。低温温度（100 k）处的泄漏电流被显着抑制，表明在低温下的状态堵塞性能出色。载体浓度（N S）和Schottky屏障高度（φB）的温度依赖性弱依赖于β -GA -GA 2 O 3 SBD的稳定电特性。应力电流密度 - 电压（J-V）和即时测量结果揭示了在恶劣的低温条件下可靠的动态性能。通过深层瞬态光谱法（电子陷阱）与低频噪声光谱中的动态性能不稳定性和Lorentzian驼峰有关，在低频噪声光谱中被揭示了β-GA-GA 2 O 3 Epilayer。这项研究揭示了在极端温度环境中利用大型β -GA -GA 2 O 3 SBD的巨大潜力。
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摘要：Schottky-Barrier-Far van der Waals（VDW）金属 - 半导体异质结构具有很大的潜力，可以克服具有出色设备功能的电子设备的接触电阻问题。然而，设计此类异质结构的长期挑战是在异性结界找到具有完美匹配的电子能级和带对齐方式的材料。为了应对这一挑战，我们提出了一种新型的VDW异质结构，由二维pentagonal pentagonal nigzenide（penta-nin 2）[ACS Nano 15，13539-13546-（2021）]（2021）]和Biphenylene Network（BPN）（BPN）[Science 372，852-852-856）（2021-2021）（2021）（2021）在异质结界面的通道和金属电极材料。基于第一原理的计算，我们发现垂直堆叠的五角星2和bpn可以形成相应的异质结构，而晶格不匹配可忽略0.15％，并且它们的内在电子特征是良好的，形成了VDW接触。更有趣的是，我们表明，这种堆叠导致垂直界面处的无孔式伴侣P型触点，这表明横跨异质结的无电阻孔传输。与传统的基于五角大楼的VDW堆栈不同，异质结构和半导体通道的电子能带在异质结的横向界面处很好地对齐。这些结果表明，Penta-Nin 2 /BPN可能是开发低电阻和高速野外效应晶体管和光电设备的有前途的候选人。