2 ORTEC digiBASE 电子设备专为高性能 NaI 探测器而设计。digiBASE 是一款完整的 PMT 安装数字多通道分析仪 (MCA),具有高压、前置放大器和计算机接口,封装在小型封装中。digiBASE 使用 USB 通信协议连接到外部计算机。digiBASE 使用 DSP 技术在一系列输入计数率和温度变化范围内提供稳定性。众所周知,NaI 探测器对外部温度变化引起的漂移很敏感。通过使用数字技术和内置增益稳定器,digiBASE 可以校正此类变化,使其成为此应用的理想 MCA。来自中子计数管(TTL 级)的输入用于以最少的硬件集中处理来自两种探测器类型的脉冲。除了使用 USB 通信之外,digiBASE 还包括列表模式,通过该模式可以以事件驱动的方式收集数据。在此模式下,计数吞吐量大幅增加。此外,与传统直方图模式相比,可以以更小的时间增量(精确到毫秒)检索和集成数据。有关更多信息,请参阅 digiBASE 手册。
2 ORTEC digiBASE 电子设备专为高性能 NaI 探测器而设计。digiBASE 是一款完整的 PMT 安装数字多通道分析仪 (MCA),具有高压、前置放大器和计算机接口,封装在小型封装中。digiBASE 使用 USB 通信协议连接到外部计算机。digiBASE 使用 DSP 技术在一系列输入计数率和温度变化范围内提供稳定性。众所周知,NaI 探测器对外部温度变化引起的漂移很敏感。通过使用数字技术和内置增益稳定器,digiBASE 可以校正此类变化,使其成为此应用的理想 MCA。来自中子计数管(TTL 级)的输入用于以最少的硬件集中处理来自两种探测器类型的脉冲。除了使用 USB 通信之外,digiBASE 还包括列表模式,通过该模式可以以事件驱动的方式收集数据。在此模式下,计数吞吐量大幅增加。此外,与传统直方图模式相比,可以以更小的时间增量(精确到毫秒)检索和集成数据。有关更多信息,请参阅 digiBASE 手册。
在50 kHz 8 w时为50 kHz 5 w时355 nm的平均功率为50 kHz 8 w,在50 kHz 10 w时为50 kHz脉冲能量20 µj,在50 kHz 100 µj下为50 kHz 160 µj,在50 kHz 200 kHz脉冲宽度为50 kHz脉冲宽度为50 kHz的速度为50 kHz 20 ns 20 ns 20±4 ns pulse at 50 kHz 160 µj kHz (option up to 300 kHz) Pulse-to-pulse stability 2 < 2% rms Long term power stability 3 < 2% rms Beam spatial mode TEM 00 M 2 < 1.1 Beam pointing stability < 20 µrad Beam divergence < 2.5 mrad Beam roundness ~90% Beam diameter, at exit ~0.3 mm ~0.4 mm Polarization ratio Horizontal; 100:1操作规格和系统特性接口RS232,以太网,软件GUI,外部TTL触发热身时间<待机时间<5分钟,距离冷启动电气需求100-240 V AC <10分钟;或15 V DC,13.4线频率50-60 Hz环境温度4环境10°C至30°C(50°F至86°F)的工作范围,在50 kHz 8 w时为50 kHz 5 w时355 nm的平均功率为50 kHz 8 w,在50 kHz 10 w时为50 kHz脉冲能量20 µj,在50 kHz 100 µj下为50 kHz 160 µj,在50 kHz 200 kHz脉冲宽度为50 kHz脉冲宽度为50 kHz的速度为50 kHz 20 ns 20 ns 20±4 ns pulse at 50 kHz 160 µj kHz (option up to 300 kHz) Pulse-to-pulse stability 2 < 2% rms Long term power stability 3 < 2% rms Beam spatial mode TEM 00 M 2 < 1.1 Beam pointing stability < 20 µrad Beam divergence < 2.5 mrad Beam roundness ~90% Beam diameter, at exit ~0.3 mm ~0.4 mm Polarization ratio Horizontal; 100:1操作规格和系统特性接口RS232,以太网,软件GUI,外部TTL触发热身时间<待机时间<5分钟,距离冷启动电气需求100-240 V AC <10分钟;或15 V DC,13.4线频率50-60 Hz环境温度4环境10°C至30°C(50°F至86°F)的工作范围,在50 kHz 8 w时为50 kHz 5 w时355 nm的平均功率为50 kHz 8 w,在50 kHz 10 w时为50 kHz脉冲能量20 µj,在50 kHz 100 µj下为50 kHz 160 µj,在50 kHz 200 kHz脉冲宽度为50 kHz脉冲宽度为50 kHz的速度为50 kHz 20 ns 20 ns 20±4 ns pulse at 50 kHz 160 µj kHz (option up to 300 kHz) Pulse-to-pulse stability 2 < 2% rms Long term power stability 3 < 2% rms Beam spatial mode TEM 00 M 2 < 1.1 Beam pointing stability < 20 µrad Beam divergence < 2.5 mrad Beam roundness ~90% Beam diameter, at exit ~0.3 mm ~0.4 mm Polarization ratio Horizontal; 100:1操作规格和系统特性接口RS232,以太网,软件GUI,外部TTL触发热身时间<待机时间<5分钟,距离冷启动电气需求100-240 V AC <10分钟;或15 V DC,13.4线频率50-60 Hz环境温度4环境10°C至30°C(50°F至86°F)的工作范围,
第1章“数字集成电路简介”,第1-43页,如前所述,是一个简短的概述;重点放在逻辑门上,其中包括transistor IC制造步骤的良好摘要(我希望为此看到用于CMOS和NPN的EBC标签的基板触点)。第2章“半导体材料”,第45-60页,第3章:“二极管”,第61 - 87页,第4章“双极连接晶体管”,第89-114页,通向第5章,进入第5章,“晶体管逻辑”,第115-206页,第6章,第6章,“ logitte”,“ emitter-cocite-co.coupled”。这些材料涵盖了大多数基本电子书中的材料,但是非常好的实验室练习和(家庭作业)问题,尤其是对于TTL材料。该书然后在第7章“现场效应晶体管”中转向FET设备的特征,第155-286页,然后在接下来的五章中使用(第8章,“ NMOS逻辑”,第8章,287–319;第9章,“ CMOS Logic”,pp。321–389;第10章,“低功率CMOS逻辑”,第1 pp。391–421;第11章,“ BICMOS Logic,:pp。423–447;第12章,“ GAAS Direct Concpled Fet Logic”,pp。449–480)。
GSV2008 兼容 HDMI1.4/2.0,支持 HDCP 1.4/2.2,可配置 4 进 2 出中继器。所有 4 个输入在接收器功能上相同,所有 2 个输出在发射器功能上相同。GSV2008 的 2 个 HDMI 输出可以从任何 HDMI 输入端口独立路由。HDMI 输入和输出最大处理像素时钟频率为 600MHz,这意味着视频分辨率最高可支持 4kx2k@60Hz 4:4:4 8 位。非压缩时序的最大处理音频采样频率为 192K Hz。GSV2008 支持 HDR10 和 Dolby Vision HDR 作为输入和输出。对于音频插入和提取,GSV2008 的 2 个多功能 TTL 引脚总线可以根据平台要求配置为输入模式或输出模式。 GSV2008 最多可支持 8 通道 I2S、2 通道 S/PDIF、3D 和多流音频。在 TDM 模式下,每个音频引脚最多支持 8 个通道。内部缩放器和颜色空间转换器使输入和输出具有独立于时序格式的功能,并能够进行长距离传输。凭借强大的 HDMI Rx 均衡器和 Tx 预加重功能,GSV2008 可以级联自身(或 GSV2000 系列芯片),至少有 7 级适用于所有 HDMI 1.3/1.4/2.0 时序。1.2 功能
塞内加尔国家私营部门诊断报告由一个团队编写,该团队包括 Amadou Ba(IFC 顾问)、Sriram Balasubramanian(CCECE、IFC 顾问)、Masud Z. Cader(CCECE、IFC 高级投资组合官员)、Francois Caulier(世界银行顾问)、Pierre Chapusette(IFC 顾问)、Ernesto Lopez Cordova(世界银行顾问)、Santiago Descarrega(世界银行顾问)、Farah Dib(世界银行 EA2F1 私营部门专家)、Pierre A. Pozzo di Borgo(SFI CN3S6 首席行业专家)、Clement Gevaudan(世界银行顾问)、Laurent Gonnet(世界银行 EA2F1 首席金融部门专家)、David Ivanovic(IFC EA2F1 高级私营部门专家)、Georges Vivien Houngbonon(经济学家,CSETT,SFI)、Shamin Kazemi(顾问,EA2F1,世界银行)、Aleksandra Liaplina(顾问,EA2F1,IFC)、Ahmath Bamba Mbacke(顾问,世界银行)、Jean-Michel Marchat(首席经济学家,co-TTL,EA2F1,世界银行)、Gautam Vishram Mehta(顾问,CCECE,IFC)、Zineb Benkirane(高级经济学家,CCECE,IFC)、Kirstin I. Roster(顾问,CCECE,IFC)、Volker Treichel(首席国家经济学家,TTL,CCECE,IFC)。
输入频率应用于阈值检测器输入(引脚 11)。如本数据表的 V/F 电路部分所述,引脚 11 的阈值约为 (V DD + V SS ) /2 ± 400mV。引脚 11 的输入电压范围从 V DD 延伸到阈值以下约 2.5 V。如果引脚 11 上的电压低于阈值 2.5 伏以上,V/F 模式启动比较器将打开并破坏输出电压。阈值检测器输入具有约 200 mV 的滞后。在 ± 5 V 应用中,TC9400 的输入电压电平最低为 ± 400mV。如果测量的频率源是单极的,例如使用 +5V 电源的 TTL 或 CMOS,则应使用交流耦合电平转换器。图 6a 中显示了一个这样的电路。图 6b 中的电平转换器电路可用于单电源 F/V 应用。电阻分压器确保输入阈值跟踪电源电压。二极管钳位可防止输入在负方向上走得太远以打开启动比较器。二极管的正向电压每 ° C 下降 2.1 mV,因此对于高环境温度操作,建议串联两个二极管。
危地马拉国家私营部门诊断报告 (CPSD) 由 David Cal MacWilliam(世界银行高级经济学家)和 Denny Lewis-Bynoe(国际金融公司高级经济学家)领导的团队编写,他们担任联合任务组组长 (TTL),成员包括前联合任务组组长 Johannes Herderschee(世界银行高级经济学家)和 Miguel Pereira Mendes(国际金融公司经济学家)。团队感谢以下成员的积极参与,他们对行业评估做出了贡献:Rita Ramalho(首席经济学家)、Rafael Chelles Barroso(高级经济学家)、Fausto Andres Patiño Peña(经济学家)、Viviana Maria Eugenia Perego(农业经济学家)、Tomas Ricardo Rosada Villamar(高级金融行业专家)、David Bassini Ortiz(长期顾问 [ETC])、Rodrigo Leonel Castillo Perez(ETC)、Anjali Kishore Shahani Moreno(运营官员)、Maria Asuncion Rodenas Caparros(运营分析师)、Fabian Hinojosa Couleau(高级运输专家)和 Ana Silvia Aguilera(运输顾问)。感谢 Tatiana Nenova(国际金融公司区域经理)和 Doerte Doemeland(世界银行业务经理)在整个过程中提供的指导。团队还感谢 Giselle Velasquez 编辑和格式化文档并提供行政支持,以及 Zakia Nekaien-Nowrouz 在编辑和格式化文档方面的支持。
摘要 借助智能传感器和嵌入式驱动器,当今的汽车行业在机器学习、人工智能和物联网等新兴技术方面取得了巨大飞跃,并开始构建数据驱动的决策策略,以在全球智能制造中竞争。本文提出了一种新颖的设计框架,该框架使用联邦学习-人工智能(FAI)进行决策,并使用智能合约(SC)策略进行完全自动化的智能汽车制造业的流程执行和控制。所提出的设计引入了一个称为信任阈值限制(TTL)的新元素,它有助于缓和嵌入式设备、工具、能源和成本函数的过度使用,从而限制制造过程中的浪费。本研究重点介绍了人工智能在具有智能合约的去中心化区块链中的用例、公司的交易政策及其在社会经济危机期间有效处理市场风险评估的优势。由实时案例支持的开发模型结合了成本函数、交货时间和能源评估。结果突出了 FAI 在基于智能合约的汽车装配模型 (AAM) 决策准确性方面的应用,从而定性地限制了采购、装配和制造中成本、能源和其他控制功能的阈值水平。定制和与云集成的图形用户界面是该模型的一些挑战。
注释:1.电流传输比(百分比)定义为输出集电极电流 I O 与正向 LED 输入电流 I F 之比乘以 100。2.建议使用 0.1 F 旁路电容连接引脚 5 和 8。3.1.9 k 负载代表 1.6 mA 的 1 TTL 单位负载和 5.6 k 上拉电阻。4.对于任何给定设备,脉冲宽度失真 (PWD) 定义为 |t PHL – t PLH |。5.相同测试条件下任意两个部件之间的 t PLH 和 t PHL 之间的差异。6.逻辑高电平下的共模瞬态抗扰度是共模脉冲 V CM 上升沿上的最大可容忍(正)dV CM /dt,以确保输出将保持在逻辑高状态(即,V O > 2.0 V)。逻辑低电平下的共模瞬态抗扰度是共模脉冲信号 V CM 下降沿上的最大可容忍(负)dV CM /dt,以确保输出将保持在逻辑低状态(即,V O < 0.8 V)。7.设备被视为双端设备:引脚 1、2、3 和 4 短接在一起,引脚 5、6、7 和 8 短接在一起。8.根据 UL 1577,每个光耦合器都通过施加绝缘测试电压 > 6000 V RMS 持续 1 秒进行验证测试。