作为新的治疗方式,需要精确靶向 DNA 和 RNA 序列的调控工具。PNA(图 1 A、B)[ 1 ] 最初由 Nielsen 等人于 1991 年开发,在靶向疾病相关 DNA 和 RNA 序列方面显示出巨大潜力。PNA 可以与天然 DNA/RNA 序列配对,形成 PNA-DNA 和 PNA-RNA 双链。与具有三个或四个手性中心的 DNA/RNA 糖环部分相比,典型的 PNA 没有环结构或手性中心。相对灵活且电中性的骨架使 PNA 有利于通过 Watson-Crick 碱基配对识别具有平行和反向平行链取向的 DNA/RNA 序列,并具有增强的结合亲和力。此外,PNA 通过三链结构形成识别 DNA 和 RNA 序列(例如,PNA • DNA-PNA、PNA • RNA-PNA、PNA • RNA-RNA 和 PNA • DNA-DNA 三链;此处 - 和 • 分别表示 Watson-Crick 和 Hoogsteen 对)。通常,PNA 与蛋白质没有显著结合,因此无免疫原性,并且对蛋白酶和核酸酶具有抗性。
我们将外延的概念扩展到了“扭曲外观”的制度,并在两个受相对方向影响的两个底物之间的表层晶体取向。,我们在两个去角质的六角钼二硫化物(MOS 2)的两个底物之间退火纳米厚的金(AU)纳米颗粒,其基础平面的不同方向具有相互扭曲的角度,范围为0°至60°。透射电子显微镜研究表明,当双层的扭曲角度很小(<〜7°)时,AU在顶部和底部MOS 2之间对齐。对于较大的扭曲角,Au只有一个小的不良对象,而底部MOS 2则与双层MOS 2的扭曲角差异大致变化。四维扫描透射电子显微镜分析进一步揭示了与扭曲的外交相关的au纳米虫的周期性应变变化(<|±0.5%|),与两个MOS 2扭曲层的Moiré注册表一致。e
观察到扭曲的双层石墨烯中新出现的量子相促使范德 - 瓦尔斯(VDW)材料的活动促进了石墨烯之外的材料。大多数当前的扭曲实验都使用称为PPC的聚合物使用所谓的撕裂和堆栈方法。但是,尽管当前的PPC撕裂和堆栈方法具有明显的优势,但也存在技术局限性,主要是有限数量的VDW材料,可以使用此基于PPC的方法进行研究。这种技术瓶颈一直在阻止少数可用的VDW样品之外的令人兴奋的领域的进一步发展。为了克服这一挑战并促进了未来的扩张,我们使用了强烈的粘合性多丙酮酸(PCL)开发了一种新的撕裂方法。具有相似的角度精度,我们的技术允许制造无上限层,促进表面分析并确保固有的清洁界面和低工作温度。更重要的是,它可以应用于基于PPC的方法仍然无法访问的许多其他VDW材料。我们介绍了通过多种VDW材料制成的扭曲同源物 - 从两种经过良好的VDW材料(石墨烯和MOS 2)到其他VDW材料的首次演示(NBSE 2,NIPS 3和Fe 3 Gete 2)。因此,我们的新技术将有助于将Moiré物理学扩展到少数选定的VDW材料之外,并开辟更令人兴奋的发展。
周期性自旋 - 轨道运动本质上是普遍存在的,从绕核的电子到旋转太阳的旋转行星。在柔软的移动机器人技术中实现自动周期性轨道运动,沿着圆形和非圆路径,对于对未知环境的适应性和智能探索至关重要,这是尚未实现的巨大挑战。在这里,我们报告了利用一个封闭的环形环拓扑,并有缺陷,以使能够实现具有定期旋转的自动软机器人 - 具有编程的圆形和重新编程的不规则形状轨迹的周期性旋转运动。通过将扭曲的液体晶体弹性丝带粘合到封闭的环环拓扑结构中,机器人表现出三个耦合的周期性自我 - 响应恒定的温度或恒定光源:内部 - 向外 - 向外翻转,自我旋转,环绕环中心,并在环外的点周围旋转。耦合的旋转和轨道运动具有相同的方向和周期。旋转或轨道方向取决于扭曲的手性,而轨道半径和周期是由扭曲的环几何形状和热驱动决定的。翻转旋转和轨道运动分别来自扭曲的环拓扑和分别打破力对称性的粘结部位缺陷。通过利用扭曲 - 编码的自主翻转 - 旋转 - 轨道运动,我们展示了机器人智能绘制未知限制空间的几何界限的潜力,包括圆形形状,包括圆形,正方形,三角形,三角形,三角形,五角形以及五角形和凹陷的范围,并与多个机器人的范围以及不幸的是,以及及其及其范围的健康范围以及及其及其及其及其及其及其及其及其及其及其及其及健康的范围。
在扭曲的双层系统中观察到的多样化和有趣的现象,例如石墨烯和过渡金属二核苷,引发了有关它们可能托管的新兴效应的新问题。然而,在足够大以进行光谱研究的规模上实现这些结构的实际挑战仍然是一个巨大的障碍,导致直接测量扭曲过渡金属二甲基化元素双层的电子带结构的直接测量很少。在这里,我们提出了一个系统的纳米级角度分辨光发射光谱调查,对散装,单层和扭曲的双层WS 2的光发射调查,小扭曲角为4.4°。实验结果与基于高对称方向的密度函数理论的理论计算进行了比较。出乎意料的是,电子带结构的测量表明,结构弛豫以4.4°扭曲角出现,并形成了大型,不WIST的双层区域。
图1:所选接口的干涉4D-STEM暗场成像。(a)4D-STEM方法的示意图,其中光束干扰用于提取堆叠顺序。(b)示意图说明了用于标记石墨烯三层的扭曲角,θ和层编号约定。(c)在扭曲的三层Moir'ES中实现的各种高对称堆叠配置的插图。(d,e)具有θ13≈0°(d)和θ13= 0的三角形的平均收敛束电子衍射图。22◦(e)。插图中突出显示了重叠的ttlg bragg磁盘。每个bragg磁盘归因于一层,在SI第6节中进行了主动。(f,h)虚拟暗场图像对应于1&3的重叠。(g,i)与所有三层重叠相对应的虚拟暗场图像。比例尺分别为1 nm -1和25 nm(d,e)和真实空间(F – i)。
1美国加利福尼亚大学伯克利分校,美国加利福尼亚州94720,美国2 SLAC国家加速器实验室,美国加利福尼亚州斯坦福大学,美国3国际材料纳米结构中心,国家材料科学研究所,1-1 namiki,namiki,tsukuba,tsukuba,tsukuba 305-0044,日本305-0044,日本40.材料材料,国立材料,0044.日本5分子铸造,劳伦斯·伯克利国家实验室,伯克利,加利福尼亚州94720,美国6材料科学司,劳伦斯·伯克利国家实验室,加利福尼亚州伯克利,加利福尼亚州94720,美国7化学科学司,劳伦斯·伯克利国家实验室,加利福尼亚州伯克利,加利福尼亚州伯克利,加利福尼亚州94720,美国 *
箭头分别标记 2 、 1 (V Bias = -2.0 V / -1.2 V,I = -50 pA / -200 pA)。c、放大 282 的 ZV 光谱
1索邦大学,PSL Observiire de PARS,Center National de la Recherche Scientifica,Lerma,F-75005 Paris,Paris,Paris,Paris 2 InstitutodeFísica,联邦政府Do Rio de Janeiro,Rio de Janeiro,Rio de Janeiro,Rio de Janeiro,Rio de JaneiroB. Pontecorvo 3, 56127 Pisa, Italy 4 Ino-Cnr, via G. Moruzzi 1, 56124 Pisa, Italy 5 Majulab, International Research Laboratory IRL 3654, University Côte d'Azur, Sorbonne University, National University of Singapore, Nanyang Technological University, Singapore 6 Center for Quantum Technologies, National University of Singapore, 117543新加坡,新加坡7人与数学科学学院,南南技术大学,新加坡637371,新加坡8诺诺西比尔斯州立大学,UL。Pirogova 2,630090 Novosibirsk,俄罗斯9激光学院,西伯利亚分公司,俄罗斯科学院,俄罗斯。akad。Lavrent'eva 15B,630090 Novosibirsk,俄罗斯10 Novosibirsk State Insecors,Prosp。Karla Marksa 20,630073 Novosibirsk,俄罗斯
运动员专业知识水平ACRO 0扭转尖齿1/2扭曲前ACRO 1扭曲后尖头A扭曲1 1/2扭曲前次次级精灵#1层2 9 10 9 10 9次级精英#2层#2 9 8 8 8 9次级精灵#3层#3层7 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 @ Tier 2 9 12 10 9 Sub-elite #8 Tier 2 10 10 10 10 Sub-elite #9 Tier 2 12 10 10 11 Elite #1 Tier 3 16 10 10 15 Elite #2 Tier 5 10 14 14 10 Elite #3 Tier 3 8 10 10 7 Elite #4 Tier 5 12 5 5 10 Elite #5 Tier 3 11 10 10 11 Elite #6 Tier 4 10 12 12 10 Elite #7 Tier 5 5 10 10 10 Elite #8 Tier 3 10 14 5 0 *