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抑制ULK1/2介导的自噬增强抗原加工和表现 ARC-9：一项评估基于伊特鲁马德的治疗组合的随机研究
图2。与STK11 WT肿瘤相比， STK11MUT/DEL NSCLC具有ULK介导的自噬水平升高。 （a）用biorender.com创建的大噬细胞的示意图。 与STK11野生型（WT）肿瘤相比，具有已知致病性STK11突变的NSCLC肿瘤具有更高水平的ULK1复合基因[1]。 ULK1复合分数使用SSGSEA方法计算[7]。 （C）STK11 WT，STK11敲除（KO）和STK11突变体（MUT）NSCLC细胞系中的LKB1和P62蛋白水平。 图4。 ULK1和ULK2的双重敲除可降低自噬并增加STK11MUT NSCLC A549细胞中的APM。 （a）ULK DKO将PATG14降低至无法检测的水平，表明对ULK介导的自噬完全抑制。 （b）ULK1单个KO和ULK DKO增加了p62，但随着DKO的增加，dKO的增加表明自噬抑制更强。 （c）ULK DKO在蛋白质水平上增加了PSMB8成熟/前体比率。 （d）ULK DKO增加了细胞表面HLA-A，b，c。 需要ULK1/2的双重敲除以完全抑制ULK介导的自噬并增加抗原加工和表现机制。STK11MUT/DEL NSCLC具有ULK介导的自噬水平升高。（a）用biorender.com创建的大噬细胞的示意图。与STK11野生型（WT）肿瘤相比，具有已知致病性STK11突变的NSCLC肿瘤具有更高水平的ULK1复合基因[1]。ULK1复合分数使用SSGSEA方法计算[7]。 （C）STK11 WT，STK11敲除（KO）和STK11突变体（MUT）NSCLC细胞系中的LKB1和P62蛋白水平。 图4。 ULK1和ULK2的双重敲除可降低自噬并增加STK11MUT NSCLC A549细胞中的APM。 （a）ULK DKO将PATG14降低至无法检测的水平，表明对ULK介导的自噬完全抑制。 （b）ULK1单个KO和ULK DKO增加了p62，但随着DKO的增加，dKO的增加表明自噬抑制更强。 （c）ULK DKO在蛋白质水平上增加了PSMB8成熟/前体比率。 （d）ULK DKO增加了细胞表面HLA-A，b，c。 需要ULK1/2的双重敲除以完全抑制ULK介导的自噬并增加抗原加工和表现机制。ULK1复合分数使用SSGSEA方法计算[7]。（C）STK11 WT，STK11敲除（KO）和STK11突变体（MUT）NSCLC细胞系中的LKB1和P62蛋白水平。图4。ULK1和ULK2的双重敲除可降低自噬并增加STK11MUT NSCLC A549细胞中的APM。（a）ULK DKO将PATG14降低至无法检测的水平，表明对ULK介导的自噬完全抑制。（b）ULK1单个KO和ULK DKO增加了p62，但随着DKO的增加，dKO的增加表明自噬抑制更强。（c）ULK DKO在蛋白质水平上增加了PSMB8成熟/前体比率。（d）ULK DKO增加了细胞表面HLA-A，b，c。需要ULK1/2的双重敲除以完全抑制ULK介导的自噬并增加抗原加工和表现机制。
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平顶飞秒激光开槽硅晶圆工艺仿真与实验研究
[25] Shi K W，Yow K Y，LoC。单束和多光束激光槽过程参数开发和40 nm节点的模具特性 - k/ulk Wafer [C]∥2014IEEE 16th 16th Electronics包装技术会议（EPTC），2014年12月3日至5日，2014年12月3日，新加坡。纽约：IEEE出版社，2015：752-759。
使用C3H2F6使用C3H2F6
下一代半导体设备需要超低介电常数（ULK）材料，例如线结构后端的多孔SICOH，以使较低的电阻和电容（RC）时间延迟，但是，这些ULK材料在蚀刻过程中容易受到损坏。在这项研究中，纳米级牙线掩盖多孔的sicoH的蚀刻特征，例如蚀刻速率，蚀刻效果，表面损伤等。和等离子体特性，已使用双电频电容性耦合等离子体系统（DF-CCP）进行了研究，并通过使用用于低k介电蚀刻的常规C 4 F 8基于CC 4 F-CCP的气体进行了比较。结果表明，对于多孔SICOH的相似蚀刻速率和蚀刻率，与C 3 H 2 F 6的蚀刻相比，观察到较低的侧壁损伤。The analysis showed that it was related to less UV (less than 400 nm) emission and less fluorine radicals in the plasma for C 3 H 2 F 6 compared to C 4 F 8 , which leads to less fluorine diffusion to the sidewall surface of the etched porous SiCOH by the fluorine scavenging by hydrogen in C 3 H 2 F 6 .
坦桑尼亚银行年度报告
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2D Ultralow-K无定形碳
2d Ultralow-k无定形碳BARBAROS OEZYILMAZ材料科学与工程系，EA Block，EA，＃03-09，9工程驱动器1，新加坡117575，新加坡新加坡大学物理大学，新加坡国立大学物理学系，2科学驱动器3，S12，S12，S12，SIS12，SIGER DRICERS NIGHAPORE 117551，SINDAPERE，SINGAPERE，SINDAPERE，国际化学，国籍，国籍，国际化学，国籍，国籍，国际化学，国际化，新加坡新加坡国立大学新加坡大学功能智能材料研究所，第9级，第9级，科学驱动器2，新加坡117544，新加坡大学新加坡大学barbaros@nus.edu.sg.sg.sg二维（2D）材料在Monolayer厚度较高的范围中，Science Drive 2，新加坡117544 117544原子极限。尽管正在进行的综合电路的2D革命取得了重大进步，但一个关键的构件，即2D Ultralow-K8（ULK）电介质，但仍未报告。挑战在于实现小于3的介电常数（k），因为传统的低K电介质由于其无定形或多孔性质而在2D极限内固有地不稳定。还需要使用低K的超薄电介质的实现来解决集成电路缩放中的当前瓶颈。具体而言，由于导电元件之间的距离缩小到10 nm以下，因此必须使用低K材料来最大程度地减少寄生电容。在这里，我们表明2D无定形碳（稀薄至0.8 nm）是一种机械强大的2D ULK介电介电，k为1.35，介电强度为28-31 mV cm-1。缺乏任何远距离顺序，其内在的2D性质，SP2碳特性和低密度对于最大程度地减少介电介电常数至关重要。此外，它以创纪录的金属离子扩散时间（TTF）为10+10 s的现有电介质扩散降解的脆弱性甚至是单层。因此，可以消除最多需要3 nm的额外层，这尤其重要，因为金属线宽度接近10 nm。结合其低温，直接和共形生长，即使在介电上，这些关键特征也能够对基于硅的半导体电子产品进行大量改进，并确保与未来的2D电子产品兼容。
DCC-3116，一种自噬的第一类选择性ULK1/2抑制剂，与试剂盒抑制剂ripretinib结合使用，可诱导G
AKT，蛋白激酶B; AMPK，单磷酸腺苷激活的蛋白激酶； ASR，适应性应激反应； ATG13，自噬相关蛋白13;出价，每天两次； CRO，临床研究组织； del，删除； DMSO，二甲基磺氧化物； ELISA，酶联免疫吸附测定； ERK，细胞外信号 - 调节激酶； GFP，绿色荧光蛋白；要点，胃肠道肿瘤； IC 50，最大抑制浓度的一半； LC3，微管相关的蛋白质轻链3; MAPK，有丝分裂原激活的蛋白激酶； Mek，Mapk激酶； MTOR，雷帕霉素的哺乳动物靶标； PATG13，磷酸化ATG13； PI3K，磷酸肌醇3-激酶； RAF，快速加速的纤维肉瘤丝氨酸/苏氨酸激酶； Ras，大鼠肉瘤小GTPase蛋白； Rheb，Ras同源物富含大脑； RTK，受体酪氨酸激酶； SEM，平均值的标准误差； TGI，肿瘤生长抑制； ULK，UNC-51样的自噬激活激酶。AKT，蛋白激酶B; AMPK，单磷酸腺苷激活的蛋白激酶； ASR，适应性应激反应； ATG13，自噬相关蛋白13;出价，每天两次； CRO，临床研究组织； del，删除； DMSO，二甲基磺氧化物； ELISA，酶联免疫吸附测定； ERK，细胞外信号 - 调节激酶； GFP，绿色荧光蛋白；要点，胃肠道肿瘤； IC 50，最大抑制浓度的一半； LC3，微管相关的蛋白质轻链3; MAPK，有丝分裂原激活的蛋白激酶； Mek，Mapk激酶； MTOR，雷帕霉素的哺乳动物靶标； PATG13，磷酸化ATG13； PI3K，磷酸肌醇3-激酶； RAF，快速加速的纤维肉瘤丝氨酸/苏氨酸激酶； Ras，大鼠肉瘤小GTPase蛋白； Rheb，Ras同源物富含大脑； RTK，受体酪氨酸激酶； SEM，平均值的标准误差； TGI，肿瘤生长抑制； ULK，UNC-51样的自噬激活激酶。
抑制ULK1/2和KRASG12C控制肺癌临床前模型中肿瘤的生长 宿主细胞丝氨酸蛋白酶抑制剂MM3122对SARS-COV-2的疗效用于治疗和预防COVID-19 设计多面体DNA纳米结构的简单工具 北颜色：北极的4种产生色素细菌的隔离和表征 相同任务的多个大脑激活模式 标题1将性视为... 中的生物变量 NIPBL+ 中的胃阶段基因表达 珊瑚准确解决具有长阅读测序的外染色体外DNA基因组结构 在鼠感染模型中发现具有功效的SARS-COV-2蛋白酶样蛋白酶（PLPRO）抑制剂 标题：曲霉DSRNA病毒驱动真菌健身和... 通过深入的强化学习来鉴定SARS-COV-2 MPRO抑制剂，用于新的药物设计和计算化学方法
1。犹他州犹他州盐湖城肿瘤科学系。2。犹他州盐湖城犹他大学亨斯曼癌症研究所。3。德克萨斯大学医学博士安德森癌症中心遗传学系，德克萨斯州休斯敦4。Deciphera Pharmaceuticals LLC，堪萨斯州劳伦斯市643 ST。5犹他州盐湖城病理学系。 6。 犹他州盐湖城医学肿瘤学部内科学系。 7。 犹他州盐湖城皮肤科系皮肤科系。 *通讯作者马丁·麦克马洪（Martin McMahon），博士 俄罗斯大学，犹他大学，2000年希望圈，HCI-RS-2725盐湖城，盐湖城，UT 84112（801）213 5790电子邮件：martin.mcmahon@hci.utah.utah.utah.utah.utah.uta.edu作者贡献：PCG，PCG，PCG，MM，MM，MM，MB，BDS和DLF设计了实验者； PCG和MM分析了数据； PCG执行了大多数实验。 KTO协助免疫印迹；太太进行了体外协同作用测定； SSB和MTS协助体内动物研究； ELS进行了组织病理学分析； PCG和MM写了手稿；所有作者均审查并编辑了手稿。 相互竞争的利益声明：此处描述的研究得到了犹他大学和Deciphera Pharmaceuticals，LLC的赞助研究协议的支持，并授予MM和CGK。 关键字：KRAS，ULK，LKB1，TP53，自噬，KRAS G12C的基因工程小鼠模型 - 驱动的肺癌5犹他州盐湖城病理学系。6。犹他州盐湖城医学肿瘤学部内科学系。7。犹他州盐湖城皮肤科系皮肤科系。*通讯作者马丁·麦克马洪（Martin McMahon），博士俄罗斯大学，犹他大学，2000年希望圈，HCI-RS-2725盐湖城，盐湖城，UT 84112（801）213 5790电子邮件：martin.mcmahon@hci.utah.utah.utah.utah.utah.uta.edu作者贡献：PCG，PCG，PCG，MM，MM，MM，MB，BDS和DLF设计了实验者； PCG和MM分析了数据； PCG执行了大多数实验。 KTO协助免疫印迹；太太进行了体外协同作用测定； SSB和MTS协助体内动物研究； ELS进行了组织病理学分析； PCG和MM写了手稿；所有作者均审查并编辑了手稿。相互竞争的利益声明：此处描述的研究得到了犹他大学和Deciphera Pharmaceuticals，LLC的赞助研究协议的支持，并授予MM和CGK。关键字：KRAS，ULK，LKB1，TP53，自噬，KRAS G12C的基因工程小鼠模型 - 驱动的肺癌
钱奥立弗教授
Chyan 教授的研究项目享有国际声誉，成功探索了关键的基础界面科学，极大地促进了微电子制造和功能纳米结构设计的发展。Chyan 教授在麻省理工学院获得材料化学博士学位。自 1992 年以来，Chyan 建立了界面电化学和材料研究实验室，在那里他领导一个跨学科研究团队，研究大量与半导体处理和先进微电子制造相关的基础和应用研究项目。对于前端处理，对各种湿法清洗溶液中的金属和有机污染进行了检测和监控，以实现超净硅表面。探索 2D TMD 材料上的新型湿法清洗化学，以促进高产量纳米电子制造。关于后端处理，Chyan 博士发明了一种超薄、可直接镀覆的钌基铜扩散阻挡层/衬里，用于高级互连应用。重要的界面现象包括铜 ECD 回填、铜扩散、铜 CMP 后清洗和铜/钌双金属腐蚀，都在积极研究之中。开发了新颖的光谱计量法来表征图案化超低 k 纳米结构上的痕量蚀刻后残留物。对 ULK ILD 界面的化学、结构和键合改性的新见解促进了等离子蚀刻和蚀刻后清洁技术的开发，从而最大限度地减少了低 k 电介质损伤。当前的 BEOL/MEOL 研究工作集中在优化界面化学控制以促进使用 Ru 和 Mo 制造纳米互连。在 IC 封装领域，Chyan 博士的团队开发了一种新颖的 Cu 选择性钝化涂层，可消除热应力下 Cu 引线键合封装中氯化物引起的腐蚀缺陷。正在积极探索将这种 Cu 选择性涂层技术应用于先进的 2D/3D IC 封装。用于先进 IC 封装的高密度 Cu 互连的新型制造技术也在积极探索中。 Chyan 博士的研究项目得到了半导体研究公司 (Semiconductor Research Corporation) 和工业合作伙伴的支持，其中包括英特尔、德州仪器 (TI)、TEL、NXP/Freescale、Lam Research、联发科、L-3 Communications、ATMI、JSR-micro 和 REC Inc. 工业合作研究活动亮点：• 在材料化学和界面特性方面拥有 30 多年的研究经验
修订了A.C.A.的资源估算值豪...
90 f igure 10-4 2019 c ore和Sonic s urface d rill h ole l ole l ocation for s tar k imberlite。93 f igure 10-5 2019 t rench c uterface d rill d rill h ole h ole l o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o s t t tar k imberlite。97 F IGURE 10-6 2016 S URFACE D RILL H OLE L OCATIONS F OR T HE O RION S OUTH K IMBERLITE ............ 103 F IGURE 10-7 2019 C ORE A ND S ONIC S URFACE D RILL H OLE L OCATIONS F OR T HE O RION S OUTH K IMBERLITE ........................................................................................................................ 109 F IGURE 11-1 E XAMPLE OF AN U NDERGROUND W ALL M AP S HOWING THE C ONTACT B ETWEEN THE B EDDED EJF (S HADES O F G REEN ) K IMBERLITE AND THE M ORE M ASSIVE MJF K IMBERLITE (P EACH ) ........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 114 f igure 11-2 p rocess p lant f lowsheet-p rimary k imberlite p rocessing（2004-2009）........................................................................................................................... igure 11-4 thunder b ay p rocess f lowsheet。