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评估纳米硅，微波加热和紫外线辐照对素素蛋白烯酮排毒的影响
食品安全在人类生活中起着至关重要的作用。霉菌毒素是由多种真菌产生的有毒次生代谢产物，它们的生长对人类的生命构成威胁。由于它们的结构多样性和变化的物理特性，霉菌毒素会引起广泛的生物学作用，包括遗传毒性，诱变，致癌性，致伤性和对肾脏，肝，皮肤，神经系统等的毒性作用[1，2]。霉菌毒素是小且高度稳定的分子，使其去除或消除非常困难。他们在保留其有毒特性的同时进入食物链。鉴于霉菌毒素的毒性及其对人类和动物的严重风险，控制从农场到消费者的所有阶段对于最大程度地减少霉菌毒素的产生至关重要。aflatoxin B1（AFB1），富莫诺菌素B1（FB1），脱氧核烯醇（DON），Ochratoxin A（OTA）和Zearalenone（ZEN）是五种主要的霉菌毒素（ZEN）是在农业产品和食物中引起重大主要污染的五种主要霉菌毒素，并创造了最有问题的问题，这些问题是最有问题的问题。
紫外线激光的非线性光学晶体在极端压力下保持非常稳定
已经以其非凡的品质而闻名，例如极好的热量散热，暴露于温度变化时的最小不均匀膨胀以及传播紫外线光的能力（一种来自阳光的光和其他特殊灯（如特殊灯）的光线，但它是人眼看不见的），BZBP是一种理想的选择，可用于lasviole deep listav instrang intraviole。这些系统在医学诊断，半导体生产和尖端科学研究等领域至关重要。
紫外激发下 Ba{4}{3}{17}$:Yb$^{3+}$:Eu$^{3+}$ 纳米粒子的近红外下转换发光
根据国际能源署 (IEA) 和欧洲环境署 (EEA) 的数据，能源消耗量逐年增加。这刺激了人们对新能源的探索和现有能源效率的提高。据预测，到 2030 年，光伏设备将产生太瓦级能源，同时千瓦时成本也将降低 [1]。太阳能是最经济实惠的能源之一。硅基太阳能电池主要用于太阳能利用。大部分能源将由硅太阳能电池板产生。除了硅之外，还有各种多层复合材料，如 GaAs、CdTe、Cu(In,Ga)Se 2 和最近提出的钙钛矿结构 [2, 3]。后者价格昂贵，难以在工业规模上生产。此外，由于有毒成分，过期后处理也存在问题，使用此类复合材料违背了绿色化学的原则。硅的优势在于化学可用性、技术链的成熟度、电子元件（包括含有稀土元素的元件）的处理。同时，硅基太阳能电池的一个严重缺点是光电转换效率 (LECE) 相对较低，即最佳样品的转换效率不高于 25% [4,5]。硅的最高光敏性区域位于约 1 µ m，其 LECE 光谱与太阳发射光谱的对应性较差。通过将太阳辐射从紫外线和蓝色光谱范围向下转换为 1 µ m 光谱范围来提高硅太阳能电池板的效率是一项紧迫的任务，对于太空应用而言，这非常现实 [6– 9]。潜在的发射体是三价镱离子，因为它的近红外 (NIR) 发光带约为 1000 nm（ 2 F 5 / 2 – 2 F 7 / 2 跃迁）[9–13]，与硅电池的 LECE 光谱顶部高度重合。Ba 4 Y 3 F 17 [14–17] 是经过深入研究的新型发光基质之一，因为它表现出下转换发光的高量子产率 [14]。对于在这些光谱区域吸收的各种敏化阳离子，能量可以从紫外和蓝色光谱区域转移到镱。一种特别有效的能量转移机制是通过敏化剂离子的逐步弛豫，通过量子切割机制激发两个受体离子 [12, 13, 18, 19]。量子切割表现出高达 195% 的高量子效率系数，但 NIR 发光的量子产率较低。更有效的途径是在具有更高发光量子产率的系统中简单地降档。一种有前途的组合物是 Yb/Eu 掺杂对，因为铕的吸收光谱包含 UV 和蓝色光谱区域的几条线。镱发光的最高直接测量量子产率（2.对于 SrF 2 :Yb (1.0 mol %):Eu (0.05 mol %) 粉末，在 266 nm 泵浦下达到 5 % [20]。本文旨在合成 Ba 4 Y 3 F 17 :Yb:Eu 固溶体并研究其发光性能。该样品旨在用于增强硅太阳能电池的 LECE。
新型深紫外微型 LED 阵列推动无掩模光刻技术发展
光刻技术在集成电路芯片制造中发挥着至关重要的作用，是半导体和微电子工业的关键核心技术之一。20世纪90年代以来，低成本、高分辨率无掩模光刻系统成为先进光刻技术研究的热点。然而，该项前沿技术的专利主要掌握在欧洲、美国、日本和韩国手中，技术壁垒较高。
评估太阳能紫外线辐射的影响
紫外线辐射是一种非电离辐射的一种形式，可以来自人工和自然来源。与热和可见光不同，太阳能UVA和UVB射线看不到或感觉到。太阳能UVA射线渗透到皮肤深处，与长期皮肤损伤有关，在暴露期间无法检测到。[1，2]尽管对太阳UVB的短暂暴露可以支持健康，但通过损害皮肤细胞和遗传物质会造成危险，延长的暴露可能是有害的。UVB射线仅穿透皮肤的外层，是晒伤和相关皮肤癌的主要原因。[1，2]在安大略省，对UVR的接触归因于估计每年2,540例癌症病例，这使其成为该省环境因癌症的主要原因。[3]
vildagliptin（VD）和dapagliflozin（DP）通过RP-HPLC使用紫外线（UV）检测器，Hypersil Gold C18（250×4.6
vildagliptin（Vd）和dapagliflozin（DP）通过RP-HPLC使用紫外线（UV）检测器同时确定，Hypersil Gold C18（250×4.6 mm）列（250×4.6 mm）列，5 µm，5 µm和乙腈的流动相：与O-phostocior Acthocior Acter-phostocior Acthoce/ph 3）一起调节。选择估计波长为213 nm。VD和DP的保留时间分别为2.9分钟和8.3分钟。Q2（R1）在验证过程中遵循ICH指南。VD和DP相关系数R 2值分别为0.9993和0.999。虽然DP的线性范围为1至6 µg/ml，但VD为10至60 µg/ml。精度和准确性研究表明，％相对标准偏差（％RSD）低于2％。恢复％被评估以满足ICH Q2（R1）指南标准。对强制降解的提出的研究表明稳定性表明研究。调查结果还表明，建议的方法适合精确，准确地确定VD和DP。关键字：Vildagliptin，Dapagliflozin，强制退化研究，验证。国际药物输送技术杂志（2024）； doi：10.25258/ijddt.14.3.49如何引用本文：Deshmukh SB，Wagh PA，Yadav SS，Mane MB。稳定性指示HPLC方法的开发和验证，以同时确定药物剂型中的Vildagliptin和dapagliflozin。国际药物输送技术杂志。2024; 14（3）：1599-1603。支持来源：零。利益冲突：无
元素特异性高带宽铁电磁共振光谱与连贯的极端粉丝源
在本文中，我们在超薄的磁合金和多层上，在不透明的SI底物上应用桌面，超快，高谐波生成（HHG）来测量元素特异性铁磁共振（FMR）。我们证明了连续的波带宽高达62 GHz，并承诺将其扩展到100 GHz或更高。该实验室规模的仪器使用超快，极端粉状物（EUV）的光检测FMR，光子能量跨越了最相关的杂志元素的M-边缘。射频频率梳子发生器用于产生微波激发，该微波激发本质上同步与EUV脉冲，其正时抖动为1.1 ps或更高。我们应用该系统来测量多层系统以及Ni-FE和Co-FE合金中的动力学。由于该仪器以反射模式运行，因此它是测量和成像磁态动力学和主动设备在桌面上任意基板上的自旋传输的里程碑。较高的带宽还可以测量具有高磁各向异性的材料，以及纳米结构或纳米电视中的铁磁体，抗铁磁铁和短波长（高波形）自旋波。此外，EUV的相干性和短波长将能够使用动态纳米级无透镜成像技术（例如相干差异成像，Ptychography和全息图）扩展这些研究。
受紫外线辐射影响的莲花种子的微生物和物理化学变化
莲花种子敏感易腐和褐变。但是，很少有出版物强调UV-C治疗的应用。这项工作的目的是评估UV-C辐射对储存期间4℃储存过程中莲花种子的物理化学和微生物质量的潜在影响，持续8天。评估了5分钟和10分钟的UV-C暴露时间。结果表明，10分钟-UV-C处理的莲花种子的总可行数量达到了泰国工业标准研究所（TISI）脆皮莲花种子（TCPS 490-2547）（≤3log cfu/g）的标准质量，尽管所有处理的酵母和模具均未受UV-C辐射的影响。此外，与对照处理相比，在UV -C处理的样品中发现了10分钟，酚含量的降低水平不受UV -C的影响，而酚含量的积累和产物软化的延迟。因此，处理10分钟的UV-C可以用作控制储存期间莲花种子产品总细菌数量生长的一种有希望的方法。
高功率，狭窄的线宽固态深紫外线激光在193 nm处通过LBO晶体中的频率混合
摘要。在LBO晶体中具有两个阶段，在193 nm处有60兆瓦的固态深紫外线（DUV）激光器，狭窄的线宽。泵激光器分别来自258 nm和1553 nm，源自自制的YB-Hybrid激光器，分别采用了第四次谐波产生和ER掺杂的纤维激光器。YB-HYBRID激光器最终是功率缩放的2 mm×2 mm×30 mm YB：YAG散装晶体。伴随着221 nm的220兆瓦DUV激光器，193 nm激光器的平均功率为60 mW，脉冲持续时间为4.6 ns，重复速率为6 kHz，线宽约为640 MHz。据我们所知，这是有史以来报告的LBO晶体产生的193 nm激光和221 nm激光的最高功率，也是193 nm激光的最狭窄线宽。 值得注意的是，转化效率为221至193 nm的转化效率为27％，为258至193 nm的转化效率，这是迄今报告的最高效率值。 我们展示了LBO晶体生产数百毫克甚至瓦特级193 nm激光器的巨大潜力，这也铺平了一种新的方式来产生其他DUV激光波长。据我们所知，这是有史以来报告的LBO晶体产生的193 nm激光和221 nm激光的最高功率，也是193 nm激光的最狭窄线宽。值得注意的是，转化效率为221至193 nm的转化效率为27％，为258至193 nm的转化效率，这是迄今报告的最高效率值。我们展示了LBO晶体生产数百毫克甚至瓦特级193 nm激光器的巨大潜力，这也铺平了一种新的方式来产生其他DUV激光波长。
原子平面错位取向有助于提高纳米图案化蓝宝石 (0001) 表面上 AlN 外延生长的晶体质量，用于深紫外光电器件
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