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在高熵氧化物Ruddlesden – Popper Cuprate膜中寻找超导性
和SR +2以已知诱导超导性超导性的浓度，ND 2 CUO 4和LA 2 CUO 4。Electron doped (La 0.185 Pr 0.185 Nd 0.185 Sm 0.185 Eu 0.185 Ce 0.075 ) 2 CuO 4 and hole doped (La 0.18 Pr 0.18 Nd 0.18 Sm 0.18 Eu 0.18 Sr 0.1 ) 2 CuO 4 are synthesized and shown to be single crystal, epitaxially strained, and highly uniform.传输测量表明，所有生长的薄膜都在绝缘，而不是掺杂。退火研究表明，可以通过修饰氧气化计量和诱导金属性但没有超导性来调整电阻率。这些结果反过来又连接到扩展的X射线吸收良好的结构结果，表明高熵库层中缺乏超导性可能起源于Cu – O平面内的大变形（σ2>0.015Å2），这是由于A-部位阳离子阳离子尺寸变化引起的，这驱动了载货者本地化的本地化。These findings describe new opportunities for controlling charge- and orbital-mediated functional responses in Ruddlesden – Popper crystal structures, driven by balancing of cation size and charge variances that may be exploited for functionally important behaviors such as superconductivity, antiferromagnetism, and metal-insulator transitions while opening less understood phase spaces hosting doped Mott insulators, strange metals, quantum临界，伪胶囊和有序的电荷密度波。
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