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血浆通过金属反应性蒸发在有机硅蒸气中增强了晚期膜材料的高速沉积
摘要：密集的均匀纳米复合材料Tisicn涂层，其厚度高达15微米，硬度为42 GPa，通过在AR + C 2 H 2 + N 2 -GAS混合物中与Hexamethyld -iSlyld -iSlyld -iSlyld -iSILASEANE（HMDS）混合物中的空心阴极排放中的反应性钛蒸发方法获得了高达42 GPA的硬度。对等离子体组成的分析表明，该方法允许气体混合物所有成分的激活程度的广泛变化，可提供高（高达20 mA/cm 2）的离子电流密度。可以通过改变蒸气– GAS混合物的压力，组成和激活程度，可以广泛改变该方法获得的化学成分，微结构，沉积速率和性能。将C 2 H 2，N 2，HMD和排放电流的频率增加导致涂层形成速率的增加。中，从微硬度的角度获得最佳涂料是在低排放电流下获得的，并且相对较低的含量为c 2 H 2（1 SCCM）和HMD（0.3 g/h）（0.3 g/h），超过了，这会导致质量和非质量的质量的降低，从而导致降低其质量的降低，这可能会导致其质量的降低，而质量的质量差异会导致质量的降低。涂料。中，从微硬度的角度获得最佳涂料是在低排放电流下获得的，并且相对较低的含量为c 2 H 2（1 SCCM）和HMD（0.3 g/h）（0.3 g/h），超过了，这会导致质量和非质量的质量的降低，从而导致降低其质量的降低，这可能会导致其质量的降低，而质量的质量差异会导致质量的降低。涂料。
大麻在商用蒸发器中加热后微生物的调查
简介：人们担心在临床环境中使用大麻材料的人的健康状况已经受到损害，并且可能更容易受到材料上存在的微生物群的机会性感染。最令人担忧的是吸入给药，即在蒸发器中加热大麻植物材料，雾化并吸入以获取生物活性成分。众所周知，加热到高温可以杀死包括细菌和真菌在内的微生物；然而，微生物的死亡取决于暴露时间和温度。目前尚不清楚在临床环境中使用的商业蒸发器在指定的温度和时间下加热大麻是否会显著降低大麻植物材料中的微生物负荷。
表面纹理化和功能涂层的有效结合，适用于极低二次电子产额表面和粗糙非蒸散性吸气剂膜
电子诱导的电子发射通常用二次电子产额 (SEY) 来量化，有时也称为总电子产额 (TEY)。低 SEY 材料或表面旨在减少航天器和卫星的表面充电 [1,2] 以及减轻粒子加速器中电子云的形成。[3–7] 几十年来，为了满足不断发展的技术需求，人们在元素材料表面和化合物中 [7–17] 深入研究了二次电子产额的一次电子能量依赖性以及发射电子的动能分布。对于许多应用，低于 1 的 SEY 最大值足以避免撞击电子的级联倍增。然而，对于其他解决方案而言，进一步降低 SEY 可能会有所帮助，以抑制可能产生背景噪声或使测量信号恶化的反射、背散射和二次电子，例如在电子收集器中，用于测量超高真空 (UHV) 中的低电子电流或用于基于电离的压力计。[18,19]
2d ...
图2。（a）菱形CR 2 S 3纳米片的原子结构。在参考文献50的许可下复制。版权所有2019，美国化学学会。50（b）六边形CRSE纳米晶体的原子模型。经参考文献52的许可。版权所有2019。Wiley-Vch。52（c）三角形Cr 5 te 8片的结构模型。在参考文献58的许可下复制。版权2021。Wiley-Vch。58（d）沿[001]方向模拟菱形和三角形Cr 2 s 3的茎图像。比例尺：0.5 nm。经参考41的许可重复。版权所有2019。Wiley-Vch。41（e）CRSE 2，R-CR 2 SE 3，T-CR 2 SE 3的模拟茎图像和强度线轮廓，并沿[001]方向进行CRSE。比例尺：1 nm。经参考40的许可重复。版权所有2021，施普林格。40（f-g）分别模拟三角形和单斜cr 5 te 8的茎图像和强度线谱。经参考53的许可重现。版权所有2022，Springer性质。53
碳化硅涂层的保形和超保形化学气相沉积
本期刊文章的自存档后印本版本可在林雪平大学机构知识库 (DiVA) 上找到：http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-187711 注意：引用本作品时，请引用原始出版物。Huang, J., Militzer, C., Wijayawardhana, C., Forsberg, U., Pedersen, H., (2022)，碳化硅涂层的保形和超保形化学气相沉积，真空科学与技术杂志。A. 真空、表面和薄膜，40(5)，053402。https://doi.org/10.1116/6.0001909
黑洞蒸发的简单全息模型
摘要：最近有几篇论文表明，纠缠楔重构与 AdS/CFT 中黑洞蒸发的幺正性之间存在密切的关系。然而，这些论文的分析有一个相当令人费解的特点：所有计算都是使用体动力学进行的，而体动力学本质上是霍金用来预测信息丢失的动力学，但应用纠缠楔重构的思想似乎表明佩奇曲线与信息守恒一致。为什么同一模型中的两个不同计算会给出不同的佩奇曲线答案？在本文中，我们提出了一对新模型来澄清这种情况。我们的第一个模型给出了幺正黑洞蒸发的全息图解，其中霍金辐射的类似物按预期净化自身，这种净化由纠缠楔分析重现。此外，光滑的黑洞内部一直持续到蒸发过程的最后阶段。我们的第二个模型对体积演化导致信息丢失的情况给出了另一种全息解释：与迄今为止提出的模型不同，这种体积信息丢失可以通过纠缠楔分析正确再现。这说明量子极值表面在某种意义上是运动学的：它们计算的熵的时间依赖性取决于体积动力学的选择。在这两个模型中，都无需考虑体积量子校正：经典极值表面足以完成这项工作。我们认为，我们的第一个模型是对蒸发黑洞实际发生情况的正确类比，但我们也强调，任何信息问题的完全解决都需要了解非微扰体积动力学。
化学气相沉积三硫化钛纳米结构中的异常重掺杂
纳米级过渡金属三硫属化物如 TiS 3 在基础研究和应用开发方面都表现出巨大的潜力，但它们的自下而上的合成策略尚未实现。在这里，我们探索了 TiS 3 的化学气相沉积 (CVD) 合成，其晶格各向异性使得其能够沿 b 轴优先生长，从而得到长宽比可通过生长温度调节的矩形纳米片或纳米带。所获得的纳米结构在保持与原始半导体 TiS 3 一样的光谱和结构特征的同时，表现出高电导率和超低载流子活化势垒，有望作为纳米级导体。我们的实验和计算结果表明，CVD 生长的 TiS 3 中 S 2 − 2 空位的存在是造成重 n 型掺杂直至简并能级的原因。此外，预计通过用环境中的氧原子钝化 S 2 − 2 空位可以恢复半导体性能。因此，这项工作预示着利用缺陷工程三硫属化物半导体构建纳米级电子器件的诱人可能性。
蒸发一个成分后，对相结合的相形成和生长的定量分析
我们对一个成分蒸发后三元混合物中相分离的蒙特卡洛模拟结果进行定量分析。特别是，我们计算平均域大小，并将其绘制为模拟时间的函数，以计算获得的功率定律的指数。我们对三种不同模型进行了比较和讨论通过两种不同方法获得的结果：二维（2D）二进制模型（ISING模型），2D三元态模型，具有和不蒸发。对于三元态模型，我们还研究了域生长对浓度，温度和初始组成的依赖性。我们为ISING模型重现了预期的1/3指数，而对于不蒸发的三元态模型，对于蒸发的模型，我们获得了指数的较低值。事实证明，在这种类型的系统中可以形成的相位分离模式很复杂。所获得的定量结果为在有机太阳能电池的背景下出现时对形态的尺寸效应的可计算理论估计提供了宝贵的见解。
磁控溅射和热蒸发低损耗 Sb-...
摘要：硫族相变材料 (PCM) 在非挥发性的非晶态和结晶态之间具有很大的光学特性差异，引起了人们对其在长期接近零功耗的超紧凑光子集成电路中的应用的浓厚兴趣。然而，在过去十年中，PCM 集成光子器件和网络受到各种常用 PCM 本身巨大光学损耗的困扰。在本文中，我们重点研究了一种新兴低损耗相变材料 Sb 2 Se 3 在硅光子平台上的沉积、特性和单片集成。蒸发的 Sb-Se 薄膜的非晶相和结晶相之间的折射率对比度被优化到 0.823，而椭圆偏振法测得的消光系数保持小于 10 − 5。当集成在硅波导上时，非晶薄膜引入的传播损耗可以忽略不计。结晶后，磁控溅射Sb-Se贴片覆盖硅波导的传播损耗低至0.019 dB/µm，而热蒸发贴片覆盖硅波导的传播损耗低于0.036 dB/µm。
通过控制 AgNO 3 墨水等离子转化过程中的溶剂蒸发来设计喷墨打印 Ag 的表面形貌
在本文中，我们表明，由于蒸发效应，通过无颗粒墨水的等离子体转化制备的银 (Ag) 结构的表面形貌可由溶剂控制。我们使用了三种基于乙二醇的溶剂系列来系统地改变墨水的蒸气压。喷墨打印之后，通过暴露于低压、低温射频 (RF) 等离子体来转化薄膜。Ag 薄膜的扫描电子显微镜 (SEM) 和轮廓测定法表明，表面粗糙度和孔隙率取决于墨水溶剂的蒸气压，并且随着蒸气压的降低而增大。由于孔隙率的变化，电阻率随着溶剂蒸气压的降低而增大。为了证明金属印刷技术对粗糙多孔薄膜的效用，我们使用由三种基于乙二醇的溶剂组成的墨水制作了基于 Ag 的过氧化氢 (H 2 O 2 ) 传感器。发现这些传感器的灵敏度与表面粗糙度和孔隙率有关，而这又与溶剂的蒸汽压有关。