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微电子电路第 8 版 - 牛津学习链接
********问题：P9_4 **************** ****** 主电路从这里开始************** M1 VD1 VG1 VS VDD PMOS0P18 + L=0.5u + W=29u + M=1 M2 VD2 0 VS VDD PMOS0P18 + L=0.5u + W=29u + M=1 R1 VSS VD1 4k TC=0,0 R2 VSS VD2 4k TC=0,0 I1 VDD VS DC 0.2mAdc V1 VDD 0 0.9Vdc V2 VG1 0 0.25Vdc V3 0 VSS 0.9Vdc ****** 主电路从这里结束**********************************************
准谐振PSR CC/CV 控制器TM5880
VDD欠压保护 UVLO（OFF） VDD 电压下降 8.5 9.5 10.5 V VDD启动电压 UVLO(ON) VDD 电压上升 14 15.5 16.5 V VDD过压保护 VDD_OVP 31 33 35 V VDD钳位电压 VDD_Clamp I(VDD)=7mA 33 35 37 V 反馈输入部分（FB管脚） 反馈参考电压 VFB_EA_Ref 1.98 2.0 2.02 V 输出过压保护阈值电压 VFB_OVP 2.4 V 输出短路阈值 VFB_Short 0.65 V 输出短路钳位频率 FClamp_Short 40 KHz 退磁比较器阈值 VFB_DEM 75 mV 最小关断时间 Tmin_OFF 2 uSec 最大关断时间 Tmax_OFF 3 mSec 最大线缆补偿电流 ICable_max 40 uA 电流检测部分（CS管脚） CS前沿消隐时间 T-blanking 500 nSec 芯片关断延迟 TD_OC CL=1nF at GATE 100 nSec 恒流控制部分（CC管脚） 内部CC基准电压 V_CC_ref 490 500 510 mV
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******** Analysis begins here**************** .OP .TRAN 0.01mS 2mS *.AC DEC 20 1 100K .PROBE .END ******** Analysis ends here**************** For part (f), copy the netlist given below and paste it into a text file and save it with *.cir extension.********Problem: P11_37(f) *************** ******* Main circuit begins here************* V_DD VDD 0 1Vdc I3 VO VSS DC 100uAdc I2 VD4 VSS DC 300uAdc I1 VS12 VSS DC 200uAdc V_SS 0 VSS 1Vdc M1 VD1 VSIG VS12 0 NMOS0P18 + L = 0.36U + W = 8U + M = 1 M2 VDD VG2 VS12 0 NMOS0P18 + L = 0.36U + W = 8U + W = 8U + M = 1 M3 VD1 VD1 VDD VDD VDD VDD VDD VDD PMOS0P18 + L = 0.36U + L = 0.36U + W = 32u + M = 1 M = 1 M = 1 M4 PMOS0P18 + L = 0.36U + W = 96U + M = 1 M5 VDD VD4 VO 0 NMOS0P18 + L = 0.36U + W = 8U + W = 8U + M = 1 V1 VSIG 0 AC 0 AC 0 + SIN 0 + SIN 0 10M 1K 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 I4 VO 0 DC 0AC 0AC 0AAC 0AAC 0AAC 0AAC + SIN 0AAC + SIN 0AAC 0AAC + SIN 0 0A 0 0A 0 0 1K 0 0 1K 0 0 0 0 0 0 0 M1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 c = 2 5.39meg TC = 0,0 *******主电路在这里结束*****************************************************************************************
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********问题：P17_8 **************** ****** 主电路从这里开始************** M1 VO VIN 0 0 NMOS0P065 + L=65n + W=130n + M=1 M2 VO VIN VDD VDD PMOS0P065 + L=65n + W=260n + M=1 V1 VDD 0 1Vdc V2 VIN 0 +PULSE 1 0 0.25n 0.001n 0.001n 0.5n C1 0 VO 4f ******* 主电路从这里结束**************
上海海栎创微电子有限公司Hynitron Microelectronics
r l = 4OHM增益= 23dB vdd = 3.6V，5V，5.5V，6.6V r l = 2ohm增益= 23dB vdd = 3.6V，5V，5.5V，5.5V，6.6V
A603EP - Instant Microelectronics Inc.
7.1 绝对最大额定值 ................................................................................................ 5 7.2 建议工作条件 5 7.3 直流电气特性 (VDD = 5.0V, 温度 = 25 ℃ ) ........................................................................................ 5 7.4 交流电气特性 (VDD = 5.0V, 温度 = 25 ºC ) ............................................................................................. 6 8. 典型应用电路 ............................................................................................................. 6 9. 封装 ............................................................................................................................. 7 10. 装配图 ............................................................................................................................. 7 11. 修订历史 ............................................................................................................................. 8
A824F - Instant Microelectronics 公司
7.1 绝对最大额定值 ................................................................................................ 5 7.2 建议工作条件 ................................................................................................ 5 7.3 直流电气特性 (VDD = 5.0V, 温度 = 25℃ ) ........................................ 6 7.4 交流电气特性 (VDD = 5.0V, 温度 = 25 ºC ) ........................................................ 6 8. 典型应用电路 ............................................................................................................. 7 9. 封装 ............................................................................................................................. 7 10. 装配图 ............................................................................................................................. 8 11. 修订历史 ............................................................................................................................. 9
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********问题：P10_22 **************** ****** 主电路从这里开始************** IBIAS VG23 0 DC 100uAdc RSIG VSIG VG1 20k TC=0,0 VS VSIG 0 AC 10m +SIN 0.58 2m 1k 0 0 0 V1 VDD 0 1.8Vdc M1 VO VG1 0 0 NMOS0P18 + L=0.4u + W=5u + M=1 M2 VO VG23 VDD VDD PMOS0P18 + L=0.4u + W=5u + M=1 M3 VG23 VG23 VDD VDD PMOS0P18 + L=0.4u + W=5u + M=1 CGS 0 VG1 17.5f CGD VO VG1 3.2f ******* 主电路从这里结束*************** ***************** PMOS 模型从这里开始 ******************************* .model PMOS0P18 PMOS(Level=1 VTO=-0.4 GAMMA=0.3 PHI=0.8 + LD=0 WD=0 UO=118 LAMBDA=0.2 TOX=4.08E-9 PB=0.9 CJ=1E-3 + CJSW=2.04E-10 MJ=0.45 MJSW=0.29 CGDO=3.43E-10 JS=4.0E-7 CGBO=3.5E-10 + CGSO=3.43E-10) ***************** PMOS 模型从这里结束 ***************************************** ***************** NMOS 模型从这里开始 ****************************** .model NMOS0P18 NMOS(Level=1 VTO=0.4 GAMMA=0.3 PHI=0.84 + LD=0 WD=0 UO=473 LAMBDA=0.2 TOX=4.08E-9 PB=0.9 CJ=1.6E-3 + CJSW=2.04E-10 MJ=0.5 MJSW=0.11 CGDO=3.67E-10 JS=8.38E-6 CGBO=3.8E-10 + CGSO=3.67E-10) ***************** NMOS 模型到此结束 *****************************************