XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemvdd
a704e - 数据表 - Instant Microelectronics Inc.
7.1 绝对最大额定值 ................................................................................................ 5 7.2 建议工作条件 ................................................................................................ 6 7.3 直流电气特性 (VDD = 5.0V, 温度 = 25℃ ) ........................................ 6 7.4 交流电气特性 (VDD = 5.0V, 温度 = 25 ºC ) ........................................................ 6 8. 传感器像素阵列映射 ................................................................................................ 7 9. 典型应用电路 ............................................................................................................. 8 10. 封装 ............................................................................................................................. 9 11. 装配图 ............................................................................................................................. 9 12. 修订历史 ................................................................................................................ 10
SPK11R1LM4H-1低功率多模数数字底部port sisonic™麦克风
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Units Supply VoltageVdd1.621.81.98VLow Frequency RolloffLFRO-3dB relative to 1 kHz-20-HzHigh Frequency Flatness+3dB relative to 1 kHz-15-kHzResonant Frequency PeakFresFree Field response-29-kHzLatency@ 4kHz, Fclock = 2.4 MHz-3-μsDC OffsetSEL = 0 / SEL = 1: Fullscale = ±100%-0.0 / -0.39-%DirectivityOmnidirectionalPolarityIncreasing sound pressureIncreasing density of 1'sData Format½ Cycle PDMSensitivity DropVdd(min) ≤ Vdd ≤ Vdd(max)--±0.25dBClock Input CapacitanceCin-8-pFData Output CapacitanceCout-60-pFData Output LoadCload--110pFSELECT (high)Vdd-0.2-VddVSELECT (low)-0.3-0.2VShort Circuit CurrentIscGrounded DATA pin1-20mAFall-asleep Time3,4Fclock < 1kHz--10msWake-up Time3,5Fclock ≥ 380kHz--20msStartup Time3Powered Down →活动，最终值的1dB不超出20mstime到第一个数据位，从有效的VDD和CLK到第一个逻辑位在数据线上驱动到第一个逻辑位。输出为直到第一个数据位为止。初始输出位代表静音音频。音频数据将遵循启动时间。23MMSMODE-CHANGE TIME3，6LOW POWER MODE模式⇔快速模式 - 20ms
用于超导量子比特控制和读出的可扩展低温电子学
读出量子位，如图 1a 所示。图 1b-d 表示量子计算机从传统方法演变为可扩展架构。量子位是量子计算机中的基本计算块，由于其叠加和纠缠特性，可实现指数级更快的计算。量子位是一个两级系统，可以处于量子态 j ψ i ，可以表示为其两个计算基态 j 0 i 和 j 1 i 的叠加。这两个状态占据不同的层次，与经典数字逻辑零和一完全类似。量子位的状态有一个独特的注释，即布洛赫球面单位球表面上的一个点。如图 1e 所示，布洛赫球的北极和南极分别代表 j 0 i 和 j 1 i 状态，而布洛赫球表面的所有其他点则对应于不同的叠加态 j ψ i = α j 0 i + β j 1 i 。量子叠加态的振幅与平均占空比信号的经典模拟之间可以进行类比。两个电压电平 VDD 和 GND 在进行占空比和平均后，提供 VDD 和 GND 之间的所有电平，S avg = α VDD + β GND，如图 1f 所示。此外，在读出量子态时，输出要么处于 j 0 i 状态，要么处于 j 1 i 状态。同样，在读出经典模拟中的占空比平均信号时，输出要么为 VDD 要么为 GND。
PolarFire® FPGA 和 PolarFire SoC FPGA 上电和...
注释： • 上电至功能时间基于 IO 组的 VDDI/VDDAUX 在 VDD/VDD18/VDD25 之前或之后通电的情况。IO 组启用时间从 VDD/VDD18/VDD25 的断言时间开始测量。如果 IO 组的 VDDI/VDDAUX 在 VDD/VDD18/VDD25 之后通电充足，则 IO 组启用时间从 VDDI/VDDAUX 的断言开始测量。在这种情况下，IO 操作由 BANK_#_VDDI_STATUS 的断言指示，而不是相对于 FABRIC_POR_N 否定进行测量。 • AUTOCALIB_DONE 的断言可以在 DEVICE_INIT_DONE 的断言之前或之后发生。AUTOCALIB_DONE 断言所需的时间取决于： – VDD/VDD18/VDD25 通电后 VDDI/VDDAUX 上升的时间。 – 指定用于自动校准的每个 IO 组的 VDDI 斜坡时间。 – 需要对 PCIe、SerDes 收发器和结构 LSRAM 执行多少自动初始化。 – 如果任何指定用于自动校准的 IO 组未在自动校准超时窗口内打开其 VDDI/VDDAUX，则每当 VDDI/VDDAUX 随后打开时，它都会自动校准。为了在此类 IO 组上获得准确的校准，需要启动重新校准（使用结构中的 CALIB_START）。 • 在 DEVICE_INIT_DONE 或 AUTOCALIB_DONE 断言后约 100 个系统控制器时钟周期，SUSPEND_EN 断言（如果启用了挂起模式）。 • 这两个设备系列都具有内置篡改检测功能，用于监控电压供应和标志以检测最小或最大阈值。这些标志仅在设计初始化后有效，而不是在 POR 期间有效。如果启用了系统控制器挂起模式，则必须锁存 TAMPER 标志，以便在 DEVICE_INIT_DONE 置位之后、SUSPEND_EN 置位之前，结构设计可以读取这些值。
微电子电路第 8 版 - 牛津学习链接
********问题：P7_31 **************** ****** 主电路从这里开始************** M1 VD VG 0 0 NMOS0P18 + L=0.5u + W=12u + M=1 V2 VDD 0 1Vdc I1 VDD VD DC 200u R1 VG VD 22MEG TC=0,0 R2 0 VO 15k TC=0,0 C1 VD VO 1 TC=0,0 C2 VI VG 1 TC=0,0 V3 VI 0 AC 1 +SIN 0 10m 1k 0 0 0 ******* 主电路从这里结束********************************************** ***************** NMOS 模型从这里开始 ************************************* .model NMOS0P18 NMOS(Level=1 VTO=0.8 GAMMA=0.3 PHI=0.84 + LD=0 WD=0 UO=450 LAMBDA=0.05 TOX=4.08E-9 PB=0.9) ***************** NMOS 模型到此结束 *****************************************
极地设计公司为太空应用设计了抗辐射 14T SRAM 单元
摘要 本文提出了一种用于航天应用的抗辐射极性设计 14T (RHPD-14T) SRAM 单元。通过估算 65 纳米互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术的各种设计指标，分析了所提出的 RHPD-14T 单元的性能。基于结合抗辐射极性设计技术与合理的布局拓扑，所提出的 RHPD-14T 可以耐受所有单节点翻转和部分双节点翻转。仿真结果表明，RHPD-14T 的写入访问时间比 RSP-14T/QUCCE-10T/DICE/S4P8N/We-Quatro(@VDD=1.2V) 短 1.83 倍 / 1.59 倍 / 1.56 倍 / 1.12 倍 / 1.05 倍。 RHPD-14T的字线写触发电压比QUCCE-10T/DICE/We-Quatro/S4P8N/RSP-14T (@VDD=1.2V)高2.67×/2.22×/1.35×/1.29×/1.26×；RHPD-14T的保持静态噪声容限比DICE/S4P8N/RHPD-12T (@VDD=1.2 V)高14.85×/7.15×/1.05×。此外，蒙特卡洛(MC)模拟证明RHPD-14T波动性小、稳定性强、恢复能力稳定、抗单效应翻转(SEU)能力强。关键词：保持静态噪声容限、极性设计抗辐射、单效应翻转分类：集成电路
L3G4200DH - MEMS 运动传感器：三轴数字输出...
表 1.设备摘要。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。1 表 2.引脚描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。6 表 3.过滤值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。7 表 4.机械特性 @ Vdd = 3.0 V, T = 25 °C 除非另有说明。.........8 表 5。电气特性 @ Vdd =3.0 V, T=25 °C 除非另有说明。.............9 表 6.温度。传感器特性 @ Vdd =3.0 V, T=25 °C 除非另有说明 ........9 表 7.SPI 从属时序值。..。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.10 表 8.I2C 从属时序值（TBC） ....................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.11 表 9.绝对最大额定值 ...................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。12 表10.串行接口引脚说明 ..........< div> 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。18 表 11.I2C 术语。...< div> 。。。。。。。。。。。。。。。 < /div>.....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>......18 表 12.SAD+读写模式。...< div> 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.19 表 13.主机向从机写入一个字节时的传输 ...............................19 表 14.主机向从机写入多个字节时的传输 ..........................20 表 15.当主机从从机接收（读取）一个字节数据时进行传输 ..............20 表 16.主机从从机接收（读取）多个字节数据时的传输 ........20 表 17.文档修订历史 ...。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。26
母体维生素D缺乏症和大脑功能
钙稳态和胎儿骨发育，但同时也暗示了许多生物学功能作为激素。7因此，许多研究强调了其在怀孕期间的骨骼和非骨骼作用，例如胎儿植入以及胎盘形成和功能8或肺活性。9 - 11有趣的是，VD对于大脑发育也很重要，尤其是在多巴胺系统上，轴突连通性和神经元差异。12在过去的十年中，几项研究暴露了妊娠VD缺乏症（VDD）对脑部开发的不利序列和生命后期神经疾病的发作。本综述的目的是评估母体VDD对春季神经发育及其长期神经系统后果的影响的现有证据。