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ta2020-020 立体声 20w (4ω) class-t™ 数字音频放大器...
电路板布局 TA2020-020 是一款功率（高电流）放大器，工作在相对较高的开关频率下。放大器的输出在驱动高电流的同时，以高速在电源电压和地之间切换。该高频数字信号通过 LC 低通滤波器，以恢复放大的音频信号。由于放大器必须驱动电感 LC 输出滤波器和扬声器负载，因此放大器输出可能被输出电感中的能量拉高至电源电压以上和地以下。为避免 TA2020-020 受到可能造成损坏的电压应力，良好的印刷电路板布局至关重要。建议在所有应用中使用 Tripath 的布局和应用电路，并且只有在仔细分析任何更改的影响后才可以偏离。下图是 Tripath TA2020-020 评估板。电路板上最关键的组件之一是电源去耦电容。如图所示，C674 和 C451 必须放置在引脚 22 和 19 的旁边。如图所示，C673 和 C451B 必须放置在引脚 25 和 28 的旁边。输出级的这些电源去耦电容不仅有助于抑制电源噪声，而且还能吸收放大器输出过冲引起的 VDD 引脚上的电压尖峰。在发生高电流开关事件（如短路）期间，输出电感器反激也可能导致电压过冲
TM1934-规格表下载.pdf
低功耗CMOS工艺 OUT输出口耐压24V VDD内置5V稳压管，串联电阻后支持6-24V电压 15mA固定恒流输出 PWM亮度控制电路，256级亮度控制 精确的电流输出值 最大误差（通道间）：±3% 最大误差（芯片间）：±5% 单线串行级联接口 单线两通道串行级联接口：芯片数据接口可以通过命令配置DI或者FDI引脚输入，正常模式下输入接口互相切换，DI工作模式下DI引脚输入数据，FDI工作模式下FDI引脚输入数据，D0引脚转发级联数据，该信号不会因为某一芯片的异常而影响其它芯片的正常工作 振荡方式：内置RC振荡，根据数据线上的信号进行时钟同步，在接收到当前单元的数据后自动重新生成后续数据并通过数据输出端送到下一级，信号不随级联距离的增大而失真或衰减 内置上电复位电路，上电复位后所有寄存器均清零初始化 数据传输速率800KHz 封装方式：SOP8和SOT23-8
低功耗、高稳定性的单端 6T SRAM 单元
摘要：本文提出了一种具有单端特性的 6T 单元，以提高稳定性、降低能耗、降低漏电功率。该单元与规格优良的 10 和 12 晶体管结构进行了比较。然而，上述结构设计为具有最佳参数，尺寸小，晶体管数量最少，从而减小了单元尺寸。在某些参数方面，例如写入噪声容限，该结构与其他结构相比具有最佳优点，甚至高于 12 和 10 晶体管的结构。通过切断要写入为“1”的存储节点的下拉路径来增强写入操作；读取操作无需切断下拉路径即可执行。在 VDD=0.4V 时，与传统的 6T 相比，所提出的结构的静态功率、读取容限、写入容限、读取能量和写入能量分别优越 33%、50%、215%、9% 和 5%。与标准 6T 结构相比，电气质量指标 (EQM) 参数提高了约十倍，表明新结构的价值已经得到体现。对 32nm 技术中 5,000 次读写产量的蒙特卡洛模拟表明，我们的单元产量比典型的 6T 单元高出 2 倍和 3.4 倍。因此，对于需要低能耗和高稳健性的应用，建议的 6T 单元是一个合适的选择。
0.25°C 精度、16 位数字 SPI 温度传感器
表 1. 参数 最小值典型值最大值 单位 测试条件/注释 温度传感器和 ADC 精度 1 0.0017 ±0.20 2 °CTA = −10°C 至 +85°C, V DD = 3.0 V ±0.25 °CTA = −20°C 至 +105°C, V DD = 2.7 V 至 3.3 V ±0.31 °CTA = −40°C 至 +105°C, V DD = 3.0 V ±0.35 °CTA = −40°C 至 +105°C, V DD = 2.7 V 至 3.3 V ±0.50 °CTA = −40°C 至 +125°C, V DD = 2.7 V 至 3.3 V ±0.50 3 °CTA = −10°C 至 +105°C, V DD = 4.5 V至 5.5 V ±0.66 °CTA = −40°C 至 +125°C，V DD = 4.5 V 至 5.5 V −0.85 °CTA = +150°C，V DD = 4.5 V 至 5.5 V −1.0 °CTA = +150°C，V DD = 2.7 V 至 3.3 V ADC 分辨率 13 位 符号位加上 12 个 ADC 位的二进制补码温度值（上电默认分辨率） 16 位 符号位加上 15 个 ADC 位的二进制补码温度值（配置寄存器中的位 7 = 1） 温度分辨率 13 位 0.0625 °C 13 位分辨率（符号 + 12 位） 16 位 0.0078 °C 16 位分辨率（符号 + 15 位） 温度转换时间 240 ms 连续转换和单次转换模式 快速温度转换时间6 ms 仅在上电时进行第一次转换 1 SPS 转换时间 60 ms 1 SPS 模式的转换时间 温度迟滞4 ±0.002 °C 温度循环 = 25°C 至 125°C 并返回 25°C 重复性5 ±0.015 °CTA = 25°C 漂移6 0.0073 °C 在 150°C 下进行 500 小时压力测试，V DD = 5.0 V DC PSRR 0.1 °C/VTA = 25°C 数字输出（CT、INT），开漏 高输出漏电流，I OH 0.1 5 µA CT 和 INT 引脚上拉至 5.5 V 输出低电压，V OL 0.4 VI OL = 3 mA (5.5 V)，I OL = 1 mA (3.3 V) 输出高电压，V OH 0.7 × V DD V 输出电容，C OUT 2 pF 数字输入(DIN、SCLK、CS) 输入电流 ±1 µA V IN = 0 V 至 V DD 输入低电压，V IL 0.4 V 输入高电压，V IH 0.7 × V DD V 引脚电容 5 10 pF 数字输出(DOUT) 输出高电压，V OH V DD − 0.3 VI SOURCE = I SINK = 200 µA 输出低电压，V OL 0.4 VI OL = 200 µA 输出电容，C OUT 50 pF 电源要求 电源电压 2.7 5.5 V 电源电流 转换时的峰值电流，SPI接口无效 3.3 V时 210 265 µA 5.5 V时 250 300 µA 1 SPS电流 1 SPS模式，TA = 25°C 3.3 V 时 46 µA VDD = 3.3 V 5.5 V 时 65 µA VDD = 5.5 V
背面功率和时钟布线协同优化的设计方法
背面电源传输网络 我们的 BS-PDN 结构如图 1 所示，其中 PDN 利用了几乎 100% 的 BSM 资源，将电源布线资源与正面的信号分离。A. 背面 DC-DC 转换器：片上 DC-DC 单元转换器 (UC) 提供高效转换和块级电压调节 [3]。封装寄生效应会导致不必要的 IR 压降/反弹，影响正面 (FS) 和 BS-PDN。相反，片上 UC 可以减轻封装和键合带来的压降；然而，它们的大尺寸使它们不适合 FS 集成。相比之下，背面提供了足够的空间，可以实现密集的 UC 集成而不会造成布线拥塞。B. BS-UC 的集成：我们的 4:1 背面 UC（BS-UC）将 3.3V 降至 0.7V 的片上电源电压。为了分离两个电压域，添加了两个额外的背面金属层 MB3 和 MB4（见表 I）。MB3 专用于 BS-UC 布线；MB4 用于为 BS-UC 提供 3.3V VDD 和 0V VSS 输入。图 2 显示了我们的 BS-UC 堆叠。我们的电压域去耦确保 MB4 和 MB2 层之间没有连接，从而保留了 BS-PDN 配置。对于 BS-UC 放置，我们应用了交错策略以实现紧凑性。BS-UC PDN 金属层击穿和 BS-UC 放置如图 3 所示。C. BS-UC 的好处：BS-UC 降低了最坏情况下的动态 IR 降和逐层最小电压降（见图 4）。最后，去耦策略可以实现更高的 C4/微凸块密度，而不会产生显著的电源焊盘面积开销。
主要特点 应用描述
4.1 概述 HP5834 是一款高精度气压计，其压力和温度由内部 24 位 ADC 测量，并通过专利算法进行补偿。完全补偿的值可由外部 MCU 通过 I²C 接口读出。 4.2 工厂校准 每个设备都经过单独的工厂校准，以校准温度和压力测量的灵敏度和偏移。调整值存储在片上 128 字节非易失性存储器 (NVM) 中。在正常情况下，用户无需进行进一步校准。 4.3 自动上电初始化 一旦设备检测到外部供电的有效 VDD，就会产生内部上电复位 (POR)，设备将自动进入上电初始化序列。此后，设备将进入睡眠状态。通常整个上电序列大约消耗 400 us。用户可以扫描 INT_SRC 寄存器中的 DEV_RDY 位，以了解设备是否已完成其上电序列。序列完成后，此位显示为 1。除非设备从外部 MCU 收到正确的命令，否则设备将处于睡眠状态。这将有助于实现最低功耗。 4.4 传感器输出转换 对于每次压力测量，始终在压力测量之前自动测量温度，而温度测量可以单独进行。转换结果存储在嵌入式存储器中，当设备处于睡眠状态时，这些存储器保留其内容。转换时间取决于在 ADC_CVT 命令中发送到设备的 OSR 参数的值。可以选择 OSR 的六个选项，范围从 128、256 到 4096。下表显示了根据 OSR 的不同值的转换时间：表 6 转换时间与 OSR
BQ27Z558EVM-084单细胞阻抗Track™技术
1。J2-芯片启用（CE）：此跳线允许用户将CE引脚连接到接地，BAT_SN或直接与BAT+连接。接地或漂浮CE引脚禁用并重置设备。将跳线连接到4-3或2-1的位置以启用设备。或者，如果需要，可以将跳线直接绑在主机系统上，以达到其他低功率状态。2。J11 -I 2 C时钟上拉（SCL）：此套头衫在I 2 C通信线上应用了10K上拉值。3。J12 -I 2 C数据拔下（SDA）：此跳线在I 2 C通信线上适用于J13的10K拉值。4。J6 -BQ27Z558脉冲上拉（脉冲）：该跳线在BQ27Z558的脉冲引脚上施加10K上拉值。5。J7 -BQ27Z558中断上拉（INT）：此跳线在BQ27Z558的int引脚上施加10K上拉值。6。J9＆J10-感官电阻：可以将这些跳线配置为使用高侧或低侧感电阻器。将J9上的分流设置为2-3位置，然后将J10上的分流设置为1-2，以使用低侧感。将分流器在J9上设置为位置1-2，然后将分流器在J10上设置为2-3，以使用高方向。7。J3 -BQ27Z558 VDD连接：此跳线将BQ27Z558 BAT PIN与Cell+联系起来。可以卸下此分流，以允许使用另一种仪器在各种操作条件下监视设备的当前消耗。8。J5 -BQ27Z558 TS连接：此跳线允许使用外部RT1热敏电阻。9。卸下并联允许使用内部温度感或与J8的2-3引脚连接的外部感觉。j13-上拉级选择器：此跳线允许用户在使用SYS+或外部电压作为拉力电压之间进行选择。将分流器设置为1-2以使用SYS+，然后将分流器设置为3-2的位置以使用EXT_VCC。将电压应用于EXT_VCC时，请谨慎，因为EXT_VCC已连接到EV2400。
64位SRAM内存阵列的设计和性能评估
高能电荷颗粒。电子孔对。电场将这些电子孔对分开，然后在敏感节点上收集。由于电荷积累而产生了短的电压脉冲。[5]。高密度记忆以及电子设备在生物应用中至关重要。低电压下运行记忆的主要基本原理是在尽可能少的能量的同时最大化电池寿命。正常6T SRAM单元的读取过程噪声免疫很小。随着电源电压的降低，噪声免疫力显着降低。结果，标准6T SRAM无法在低电源电压下操作。已知脱钩的7T和8T SRAM细胞的利用是通过将存储节点与位线分离出来，从而增强了读取操作过程中的噪声免疫。但是，值得注意的是，这些细胞具有相当大的泄漏功率。即使数百万个SRAM细胞可能保持在“待机状态”状态，记忆的功耗呈指数增长。[6] [7] [8] [9] [10]。嵌入式内存配置已通过现代VLSI（非常大规模的集成）系统增强。在处理RAM时，将DRAM（动态随机访问存储器）和SRAM（静态随机访问存储器）之间的区分至关重要。“静态”一词是指所有组件始终耦合到VDD或VSS的电路，从而消除了浮动节点问题，并允许仅使用电容器和单个晶体管构建DRAM单元。7T SRAM“随机”一词表示可以在需要时访问数据，并在可以存储的任何地方访问。访问需要内存搜索和位存储。每个单元存储一点点。[11] [12] [13]。SRAM单元是由晶体管和闩锁建造的。电容器都用于存储数据和检索数据，但是充电和排放它们的过程需要大量精力和时间。此益处是SRAM细胞广泛使用SOC的主要原因。[14] [15] [16] [17]，其中它们是设计和实施的重要组成部分。响应于当前SOC技术的功耗降低和更高生产率的需求增加，已经创建了多种SRAM细胞设计，每种SRAM细胞设计都经过优化，以表现出色。这导致可以存储在给定数量的空间中的记忆量显着增加。
紧急医疗器械信息
GTIN 型号 产品名称 GTIN 型号 产品名称 GTIN 型号 产品名称 00802526558924 L101 ESSENTIO DR SL 00802526572241 L221 PROPONENT DR EL 00802526559365 S722 ALTRUA 2 DR EL 00802526558931 L101 ESSENTIO DR SL 00802526576416 L221 PROPONENT DR EL 00802526559372 S722 ALTRUA 2 DR EL 00802526571954 L101 ESSENTIO DR SL 00802526578045 L221 PROPONENT DR EL 00802526576515 S722 ALTRUA 2 DR EL 00802526571961 L101 ESSENTIO DR SL 00802526593307 L221 提议者 DR EL 00802526577017 S722 ALTRUA 2 DR EL 00802526576317 L101 ESSENTIO DR SL 00802526559143 L231 提议者 DR EL MRI 00802526578113 S722 ALTRUA 2 DR EL 00802526576812 L101 ESSENTIO DR SL 00802526572272 L231 提议者 DR EL MRI 00802526593239 S722 ALTRUA 2 DR EL 00802526558962 L111 ESSENTIO DR SL MRI 00802526576423 L231 PROPONENT DR EL MRI 00802526559389 U125 VALITUDE CRT-P EL 00802526558979 L111 ESSENTIO DR SL MRI 00802526578052 L231 PROPONENT DR EL MRI 00802526559396 U125 VALITUDE CRT-P EL 00802526572012 L111 ESSENTIO DR SL MRI 00802526559174 L301 荣誉 DR SL 00802526573101 U125 VALITUDE CRT-P EL 00802526572029 L111 ESSENTIO DR SL MRI 00802526559181 L301 荣誉 DR SL 00802526573118 U125 VALITUDE CRT-P EL 00802526576331 L111 ESSENTIO DR SL MRI 00802526572333 L301 ACCOLADE DR SL 00802526577024 U125 VALITUDE CRT-P EL 00802526576836 L111 ESSENTIO DR SL MRI 00802526572340 L301 ACCOLADE DR SL 00802526577109 U125 VALITUDE CRT-P EL 00802526558986 L121 ESSENTIO DR EL 00802526576942 L301 ACCOLADE DR SL 00802526578793 U125 VALITUDE CRT-P EL 00802526558993 L121 ESSENTIO DR EL 00802526559228 L311 ACCOLADE DR SL MRI 00802526559402 U128 VALITUDE CRT-P EL MRI 00802526572043 L121 ESSENTIO DR EL 00802526559235 L311 ACCOLADE DR SL MRI 00802526559419 U128 VALITUDE CRT-P EL MRI 00802526576348 L121 ESSENTIO DR EL 00802526572395 L311 ACCOLADE DR SL MRI 00802526572609 U128 VALITUDE CRT-P EL MRI 00802526593277 L121 ESSENTIO DR EL 00802526576461 L311 ACCOLADE DR SL MRI 00802526572616 U128 VALITUDE CRT-P EL MRI 00802526559006 L131 ESSENTIO DR EL MRI 00802526578076 L311 ACCOLADE DR SL MRI 00802526576522 U128 VALITUDE CRT-P EL MRI 00802526559013 L131 ESSENTIO DR EL MRI 00802526559242 L321 荣誉 DR EL 00802526577031 U128 VALITUDE CRT-P EL MRI 00802526572081 L131 ESSENTIO DR EL MRI 00802526559259 L321 荣誉博士EL 00802526578120 U128 VALITUDE CRT-P EL MRI 00802526576355 L131 ESSENTIO DR EL MRI 00802526572425 L321 ACCOLADE DR EL 00802526593284 U128 VALITUDE CRT-P EL MRI 00802526559044 L201 PROPONENT DR SL 00802526593260 L321 ACCOLADE DR EL 00802526559433 U225 VISIONIST CRT-P EL 00802526572135 L201 PROPONENT DR SL 00802526559266 L331 ACCOLADE DR EL MRI 00802526572630 U225 VISIONIST CRT-P EL 00802526576379 L201 PROPONENT DR SL 00802526559273 L331 ACCOLADE DR EL MRI 00802526577048 U225 VISIONIST CRT-P EL 00802526576874 L201 PROPONENT DR SL 00802526572456 L331 ACCOLADE DR EL MRI 00802526577116 U225 VISIONIST CRT-P EL 00802526578014 L201 PROPONENT DR SL 00802526576485 L331 ACCOLADE DR EL MRI 00802526578809 U225 视觉专家CRT-P EL 00802526559068 L209 提议者 DR (VDD) SL 00802526578083 L331 ACCOLADE DR EL MRI 00802526559457 U226 VISIONIST CRT-P EL 00802526576386 L209 提议者 DR (VDD) SL 00802526592201 L331 ACCOLADE DR EL MRI 00802526559464 U226 VISIONIST CRT-P EL 00802526559105 L211 提议者 DR SL MRI 00802526559358 S702 ALTRUA 2 DR SL 00802526577062 U226 VISIONIST CRT-P EL 00802526572210 L211 支持者 DR SL MRI 00802526572517 S702 ALTRUA 2 DR SL 00802526577123 U226 VISIONIST CRT-P EL 00802526576409 L211 支持者 DR SL MRI 00802526576508 S702 ALTRUA 2 DR SL 00802526559488 U228 VISIONIST CRT-P EL MRI 00802526576904 L211 支持者 DR SL MRI 00802526577000 S702 ALTRUA 2 DR SL 00802526572692 U228 VISIONIST CRT-P EL MRI 00802526578038 L211 PROPONENT DR SL MRI 00802526578106 S702 ALTRUA 2 DR SL 00802526577130 U228 VISIONIST CRT-P EL MRI 00802526559129 L221 PROPONENT DR EL 00802526593208 S702 ALTRUA 2 DR SL 00802526578830 U228 VISIONIST CRT-P EL MRI