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能量贫乏的国家面临特殊挑战：垂直能源过渡
图1以风格化的方式说明了水平和垂直能量过渡。在水平过渡中，一个国家的总能源需求保持恒定，而其可再生能源的份额则从25％线性增长到100％。在垂直过渡中，一个国家的总能源需求在其可再生能源份额的同时增长了线性增长，从25％线性增长到100％。水平能量过渡仅需要随着可再生能源的增长而逐步缩小遗产化石燃料的能力，而垂直过渡需要在近期备份备用可更可再生能源的能力（在这里假定为气体燃料的发生器），然后才能长期逐步淘汰它。没有新的可调节生成的垂直过渡将意味着可再生能源份额的实际增长速度比实际上更快地增加，以及在远远超过富裕国家所取得的范围内的短期和长期储能的部署。
在伊朗北部使用垂直农业的可行性
垂直农场（VF）的农业生产将在防止环境危机，良好的治理和维持世界上所有人的粮食安全方面发挥重要作用。吉兰省的生态足迹大大超过了其生物学能力，表明其自然资源和生态系统的压力很大。这个问题主要是由于在农业领域使用传统生产方法，需要改变生活方式和生产方法。当前研究的目的是借助优势，劣势，机遇和威胁（SWOT）模型和定量战略规划矩阵（QSPM）的VF在吉兰省的实现。在确定了影响VF产量的内部因素（优势和劣势）和外部因素（机会和威胁）之后，确定了必要的策略，然后使用QSPM矩阵确定了优先级。通过书面科学来源和调查研究进行了必要的信息，这些信息基于两种地理和农村计划教授之间的关键问题，工厂生产部门的水资源工程，土壤，建筑和专家以及环境部门负责人，吉兰省的圣战农业组织以及该组织食品卫生。参加调查的统计人群为30人。研究结果表明，根据优势，劣势，机遇和威胁制定了7种策略，并根据QSPM表中四种策略的重要性进行了优先排序。确保吉兰省粮食安全的首要任务是专注于提高单位面积的农业生产率。考虑到该地区的所有权挑战和有限的土地可用性，该策略至关重要。因此，应将提高单位面积的生产率提高，以满足人口的粮食需求。吉兰省VF生产的策略是一种竞争激烈的战略，并且在这种情况下需要吸引必要的资金。本研究通过对吉兰省垂直农业的可行性进行全面评估来填补研究空白。强调方法论，战略规划以及应对粮食安全和环境挑战的重视有助于现有知识体系。通过强调研究发现的可转移性和适应性，其他研究人员可以利用甲基苯丙胺并将策略调整到自己的地区，从而在可疑的农业领域进行进一步的研究和进步。
草地垂直高度异质性预测花朵和蜜蜂的多样性：无人机摄影方法
图1：这项研究的主要期望的图形摘要。基层生态系统（通过UAV pho-to-to-to-to-to to-to grammetric图像评估）具有复杂的垂直结构（从上图中的侧面和下部图中从上方看）和高环境异质性，预计将具有高的花朵多样性和高度的多样性和丰富性和丰富性（左图）。另一方面，HH低的草地地区可能具有较低的花朵多样性，蜜蜂的多样性和丰度（右图）。
硅上的完全垂直gan p-i-n二极管
esearchers from France's Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN) and Siltronic AG in Germany claim the first demonstration of high-current operation (above 10A) for vertical gallium nitride (GaN)-based devices on silicon substrates [Youssef Hamdaoui et al, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.72（2025），否。1（1月），P338]。 团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。 这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构 “伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。 虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。 结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。 完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。 在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。 通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。 一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。 另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。1（1月），P338]。团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构“伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。根据电化学电容 - 电压（ECV）测量值，漂移层中的硅掺杂浓度为3x10 16 /cm 3，净离子化电子密度为9x10 15 /cm。较厚的漂移层应承受更高的电压，但要以更高的抗性为代价。在弱梁暗场模式下使用透射电子显微镜（TEM）的检查确定螺纹位错密度〜5x10 8 /cm 2。霍尔效应测量值的漂移层迁移率为756cm 2 /v-s。P-I-N二极管是制造的，从用作边缘终止的深斜角台面开始。通过血浆反应离子蚀刻（RIE）和电感耦合等离子体（ICP）蚀刻进行深度蚀刻。边缘终止的目的是将电场散布在交界处，并减少泄漏。
对多晶硅垂直薄膜晶体管的电特性的深入分析
hal是一个多学科的开放访问档案，用于存款和传播科学研究文件，无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
班夫2022肾脏会议报告
到2050年，世界人口将增加到97亿，世界三分之二将居住在城市地区。这种要求进行创新的农业，因为历史表明，如果没有1960年代的绿色革命技术，则需要将1.761亿公顷的范围内的巨型公顷用于实现相同的文化产量，因此这些技术避免了590 Gigatonnes of 590 Gigatonnes of Equivalent carbon dioxide（Burney et al。2010）。不幸的是，工业农业的古典技术实际上正在引起大规模的环境退化，例如土壤侵蚀，栖息地破坏，生物多样性的丧失，水污染和温室气体的排放。矛盾的是，对于这些问题的有前途的解决方案，垂直农业也很密集，尽管它在许多方面也是生态的（图。1，Kozai和Niu 2016a）。在这里，我们讨论了垂直耕作和风，太阳能和氢燃料的潜在协同作用。
垂直 GaN 的阴极发光和电学研究......
Thi Huong Ngo、Rémi Comyn、Eric Frayssinet、Hyonju Chauveau、Sébastien Chenot 等人。具有位错簇的垂直 GaN-on-GaN 肖特基二极管的阴极发光和电学研究。《晶体生长杂志》，Elsevier，2020 年，552，第 125911 页。�10.1016/j.jcrysgro.2020.125911�。�hal- 03418915�
针对Pan-Raf和垂直MAPK抑制作用BRAF激酶融合
BRAF激酶融合是基因组结构变异的一种形式，是驱动器阴性黑色素瘤中的复发事件。虽然BRAF融合可重复保存激酶结构域，但具有5'基因伴侣和特定BRAF断裂点的遗传变异性。我们研究了BRAF激酶融合的遗传多样性如何影响二聚体信号传导和ERK激活。我们与5'基因伙伴（包括AGK，ZKSCAN1，ARMC10，PPFIBP2和TRIM24）的BRAF融合过过表达，并发现依赖融合的信号传导和抑制剂敏感性。尽管有下一代RAF抑制剂的发展，但多种pan-Raf抑制剂仍存在矛盾的ERK磷酸化，在某些BRAF融合中，使用TrameTinib和Ly3009120改善了垂直RAF/MEK抑制的某些BRAF融合。共同观察到了一些融合依赖性作用，但肿瘤的生长抑制和垂直途径抑制的矛盾激活的分辨率。
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Jennifer Aurandt-Pilgrim，Marquis Energy Scott Betts，Corteva Agriscience Luis Cascao-Pereira，IFF John Caupert，国家玉米到乙醇研究中心Daniel Cullen，USDA Forest Service Brian Service Brian Brian Brian Davison，Ornl/Cbi Nathan nathan Deboom，Califor Califor Califor Califor + Power + Power + Power
垂直 GaN-on-GaN 肖特基势垒二极管中的深能级瞬态傅里叶光谱 (DLTFS) 和等温瞬态光谱 (ITS)
P. Vigneshwara Raja、Christophe Raynaud、Camille Sonneville、Hervé Morel、Luong Viet Phung 等人。垂直 GaN-on-GaN 肖特基势垒二极管中的深能级瞬态傅里叶光谱 (DLTFS) 和等温瞬态光谱 (ITS)。微纳米结构，2022 年，172，第 207433 页。�10.1016/j.micrna.2022.207433�。�hal-04032160�