a。请参阅IPC或IEC等通用标准。作为标准,我们根据IPC-A-600类2。b。请参阅我们的技术交付规范(www.we-online.com/tds)c。焊面中的孔:请勿在焊面中使用敞开的孔!从焊垫到要插入的孔(通过IPC III类型III)保持至少400μm的距离。有关IPC类型VII(填充和封顶)的VIA,请咨询我们以获取允许的设计规则(导体间距)!d。插入我们的设计指南“插入/填充/帐篷”(https://www.we-online.com/designguidepluggingfillingtenting),除了术语的基本定义外,我们还为您的各自的Variant提供了各自的Variant,他们还为您提供了各自的Variant。这将帮助您在IPC -4761及以后的每个应用程序中找到正确的解决方案。e。我们很乐意为您创建一个最佳的送货面板(最佳价格!)
摘要 — 本文报道了一种三通道、非连续、流形多路复用器,工作频率为 220 至 330 GHz,工作带宽为 40%。该结构采用一组脊状基片集成波导 (SIW) 进行设计和实现。与传统 SIW 设计相比,脊状 SIW 提高了阻带带宽,并将整体结构尺寸缩小了 35%。三工器采用英特尔开发的有机封装基板技术,具有四层厚铜金属层和连续沟槽通孔代替标准通孔围栏,可显著降低脊状 SIW 波导的欧姆损耗。在三工器结构的开发中采用了电磁电路建模和协同设计技术。使用带状毫米波晶圆探测测量制造的三工器,通带中的插入损耗为 3 ∼ 7 dB,每个通道滤波器的平均回波损耗优于 10 dB。测得的三个通道的阻带衰减均优于 27 dB。
摘要 — 本文报道了一种三通道、非连续、流形多路复用器,工作频率为 220 至 330 GHz,工作带宽为 40%。该结构采用一组脊状基片集成波导 (SIW) 进行设计和实现。与传统 SIW 设计相比,脊状 SIW 提高了阻带带宽,并将整体结构尺寸缩小了 35%。三工器采用英特尔开发的有机封装基板技术,具有四层厚铜金属层和连续沟槽通孔代替标准通孔围栏,可显著降低脊状 SIW 波导的欧姆损耗。在三工器结构的开发中采用了电磁电路建模和协同设计技术。使用带状毫米波晶圆探测测量制造的三工器,通带中的插入损耗为 3 ∼ 7 dB,每个通道滤波器的平均回波损耗优于 10 dB。测得的三个通道的阻带衰减均优于 27 dB。
系统连接续 图 8 显示了如何在单个 I2S 总线上连接两个 I2S 麦克风。R41–R44 用于抑制或终止各自的迹线。如果迹线在电气上很长,则它们应该是阻抗在 50-120 欧姆范围内的受控阻抗迹线。当迹线的长度(以英寸为单位)大于上升/下降时间(以 nS 为单位)的 2 倍时,该迹线被视为在电气上很长。即使迹线在电气上不长,R41-R44 也可以用作阻尼电阻(27-51 欧姆),通过减少由杂散电感和电容引起的过冲和振铃来改善信号完整性。无论哪种情况,R41-R44 都应尽可能靠近驱动迹线的设备(信号源)。如果电容器和麦克风之间的走线电感最小化,去耦电容器(C32-33 和 C34-35)最有效。这可以通过使用短而宽的走线来实现。如果在麦克风下方使用接地平面,则将电容器接地垫直接连接到带有过孔的平面,而无需使用任何走线。
使用 EUV 光刻技术不断缩小尺寸的需求为图案化材料和工艺带来了挑战和机遇。缩小 BEOL 互连结构是提高功能设备性能的关键要素。在本文中,我们研究了各种因素对 EUV 单次曝光通孔图案化的影响,以找到缩小临界尺寸 (CD) 的有效策略,从而提高临界尺寸均匀性 (CDU) 和局部临界尺寸均匀性 (LCDU) 并降低缺陷率。这项工作基于在最小水平互连线间距为 28nm 时图案化片上系统 (SoC) 随机逻辑通孔层,这是使用 0.33 NA EUV 工具进行单次曝光互连的极限。该设计使用激进的 3/2 CPP/Mx 齿轮比,相当于 38nm 到 34nm 间距的正交通孔阵列,从而检查主要图案化参数和照明源与矩形通孔的 OPC 处理共同优化的影响。将通孔图案转移到底部电介质,以研究 LCDU 的演变和蚀刻过程中的缺陷率。
3D 技术中不同功能层之间的垂直电互连通常采用硅通孔 (TSV) 实现 [1]。根据应用,这些 TSV 的长度范围从 100 μm 到几 μm。直径通常也相应地缩小。这些 TSV 对于 3D 技术来说是必不可少的,可确保更短的电互连,从而实现更高的器件密度和信号速度。但它们也容易出现故障。 TSV 中存在多种潜在故障原因和影响 [2],例如空洞(电迁移或加工引起)、分层、未对准、与金属连接不良、TSV 之间连接短路或开路、衬里击穿、应力引起的影响等。在本文中,我们讨论了两种已知故障分析技术——磁场成像 (MFI) 和光诱导电容改变 (LICA) 的替代用途,以检测与衬里击穿 (BD) 引起的泄漏和连接 TSV 的金属开路相关的 TSV 故障。
作为IC制造的最后一步,包装是封装芯片并提供最终表单I/O的互连的过程。对越来越高的I/O密度,缩小设备尺寸和较低成本的需求也适用于包装过程。为了实现这些目标,已经开发了各种技术,其中大多数是晶圆级包装(WLP)。与传统的包装过程不同,大多数I/O互连是在晶状体级别进行的,并使用重新分布层(RDL)进行。rdls是铜线和远处形成电气连接的层。取决于应用程序的市场,例如移动,内存或物联网(IoT),粉丝 - 外部晶圆级包装(FOWLP)提供了支持I/O密度要求和良好的RDL线/空间的最有希望的方法。此外,还开发了粉丝范围的面板级包装(FOPLP),以利用规模经济并优化底物利用率。在这项技术中,该过程中使用了矩形基板,而不是像晶圆那样的圆形底物。
征集参与第一届 IEEE 国际芯片互连测试与修复研讨会 (CITaR) 专注于基于芯片的三维堆叠 IC 的互连测试与修复,以及实现这一点的片上基础设施。这些 IC 包括所谓的 2.5D、3D 和 5.5D 堆叠 IC。芯片到芯片互连可能包含微凸块对、混合键合、中介层导线和硅通孔 (TSV)。虽然这些堆叠 IC 在异构集成、小尺寸、高带宽和性能以及低功耗方面具有许多吸引人的优势,但在测试和修复其芯片间互连方面仍有许多未解决的问题。CITaR 研讨会为研究人员和从业人员提供了一个独特的论坛,可供展示和讨论这些挑战和(新兴)解决方案。诚邀您参加 CITaR 研讨会。 CITaR 研讨会将与 IEEE 欧洲测试研讨会 (ETS) 一起在荷兰海牙万豪酒店举行,并由 IEEE 计算机学会测试技术委员会 (TTTC) 提供技术赞助。研讨会计划 – 研讨会计划包含以下内容。
动脉高血压和肥胖具有复杂的,多因素的病因,并且是由于基因,环境,生活方式和情绪因素的相互作用而产生的,并且被认为是低强度的慢性炎症状态,因为研究表明,这些临床条件与炎症标记的水平高。与肥胖相关的动脉高血压具有复杂的机制,但是交感神经多动作作为这些机制涉及的主要因素。在肥胖个体中,交感神经的增加主要源自胰岛素抵抗和随之而来的高胰岛素血症,肾素 - 血管紧张素 - 醛固酮的过度激活(MRS);和高稀释血症。这些因素导致各种途径导致交感神经的动力,并且可能是中枢神经系统或间接道路的直接刺激,但是由此产生的高肾上腺素能状态会触发一系列变化,导致高血压,动脉粥样硬化和增加的血栓形成风险。在肥胖症中观察到的交感神经多动引起的许多变化中,我们可以突出显示:增加糖化产物的形成,血管肌肉组织中营养作用的增加,较大的管状钠钠的表达,血管蛋白原mRNA在人脂肪组织中的血管蛋白酶mRNA的表达,通过脂肪组织中的氧化偏压,氧化牛的氧化偏压,氧化能力,氧化能力,氧化能力,通过氧化性氧化,氧化能力,氧化能力。在一氧化氮合成酶(ENOS)中。其他药物和其他脂肪蛋白,例如抗药药,维斯法汀和吉碱,也参与了肥胖个体动脉高血压的机制,但与瘦素和脂联素相关的作用较小。最近的研究表明,巨噬细胞的积极作用,因此在脂肪组织的炎症网络中具有先天的免疫力,这表明适应性免疫元素的重要参与,例如T细胞及其细胞因子。
亲爱的同事和访客,我们很高兴欢迎您参加UNC Adams牙科学院的第40届年度研究日!在过去的40年中,我们庆祝并认可了促进口腔健康专业的创新和有见地的研究。这是认识我们学生,教职员工,研究研究员以及我们整个大学和州的同事的辛勤工作的绝佳机会。也是认识我们合作伙伴的实力的一天,无论是在北卡罗来纳大学的教堂山,北卡罗来纳州和国家以及全球范围内的北卡罗来纳大学。除了口头和海报演示外,当天的活动还将包括一个主题演讲,标题为“发现,创新和传播:实现下一代科学的承诺”,由ASOD Alum Jennifer Jennifer Webster-Cyriaque,DDS,DDS,DDS,PhD博士,国立国立国立国立式牙科和Craniofacial Instercial Insteral Instermitial Instermitsituts national Insteral Instermities national Instermitities national Insteral Insteral Insteritiuts efternation of National Insteral Insteral Insteritiuts。韦伯斯特·科里亚克(Webster-Cyriaque)博士是一位有成就的临床医生,研究人员和领导者,也是UNC牙科和医学学校的教职员工已有二十多年了。我们希望您有机会听到一些演讲并享受今天的活动,我们希望您能为自己的研究和项目汲取灵感和想法。我要感谢所有使这一天成为可能的人 - 我们的ASOD组织委员会由Adam Lietzan,博士,DMD,MS,Apoena Ribeiro,DDS,PhD,MS和Nishma Vias,DDS ’25,北卡罗来纳州牙科基金会,北卡罗来纳州牙科基金会和我们的公司党派的主持人。我们感谢您对研究和创新的承诺,我们很高兴看到下一步!
