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R22 B.Tech。 EEE教学大纲Jntu Hyderabad R22 M.Tech。数字系统和计算机电子产品... R19 M.Tech欺骗/DECS R22 M.Tech。 VLSI/ VLSI设计/ VLSI系统设计 div> R19 M.Tech。机器设计
1。使用FPGA公开设计方法。2。可以深入了解故障模型。3。了解用于故障检测的测试模式生成技术。4。在连续电路中设计故障诊断。5。使用案例研究在流量的设计中提供理解。单元 - I可编程逻辑设备：可编程逻辑设备，SPLD，PAL设备，PLA设备，GAL设备，CPLD架构，FPGAS-FPGA技术，体系结构，Virtex CLB和Slice，FPGA编程技术，XC2000，XC2000，XC3000，ACT1 Act1 anderction Actient1 Actrect1，Act1 andertion。[TEXTBOOK-1] UNIT- II Analysis and derivation of clocked sequential circuits with state graphs and tables: A sequential parity checker, Analysis by signal tracing and timing charts-state tables and graphs-general models for sequential circuits, Design of a sequence detector, More Complex design problems, Guidelines for construction of state graphs, serial data conversion, Alphanumeric state graph notation.需要和设计策略，用于多盘顺序电路。[教科书2]单元-III顺序电路设计：顺序电路设计的设计步骤，示例，代码转换器，迭代循环设计，比较器的设计，控制器（FSM） - 标准，同步，FSM问题，FSM问题，使用FPGAS的序列电路共享，使用FPGAS的顺序设计，模拟和测试的序列循环设计。[Techtbook-3＆Ref.1][教科书2]单元 - IV故障建模和测试模式生成：逻辑故障模型，故障检测和冗余，故障等效性和故障位置，故障优势，单个卡在故障模型，多个卡在故障模型上，桥接故障模型。通过常规方法，路径敏化技术，布尔差异方法，Kohavi算法，测试算法-D算法，随机测试，过渡计数测试，签名分析和测试桥梁的断层对组合回路的故障诊断。
VLSI设计
模块-1 VLSI设计简介，抽象水平和设计的复杂性，VLSI设计的挑战：功率，时机，面积，噪声，噪声，可检验性，可靠性和产量； CAD工具：仿真，布局，合成和测试。模块-2 MOS建模，MOS设备模型，短通道效应和速度饱和，MOS电路的缩放； CMOS逆变器，VTC，切换行为，噪声边缘和功率耗散；静态和动态的CMOS组合逻辑门，静态CMO中的晶体管大小，逻辑努力，传递晶体管逻辑，大小问题，多米诺骨牌逻辑门，估算负载电容，简单延迟模型（RC），CMOS门的简单延迟模型（RC），功耗；模块3布局设计，设计规则，棍子图；标准细胞布局，芯片布局和地板计划，阵列布局；数据路径单元，加法器，变速杆，乘数；控制逻辑策略，PLA，多级逻辑，合成以及位置和路线；闩锁和时钟，触发器，设置和保持测试，静态和动态闩锁和触发器，时钟分布，时钟合成和使用PLL的同步。模块4 MOS回忆，注册，SRAM，DRAM；互连的全局互连建模，电容，电阻和电感；信号和功率供应完整性问题，电气移民，RC互连建模驱动大型电容载荷，减少RC延迟； Verilog HDL。课程结果：
M.TECH. VLSI
完成本课程后，学生将获得电子工程领域的理论知识和实践技能，并专攻 VLSI 和芯片设计。本课程由 VLSI 专业的高级学习课程提供支持，包括设备级理解、设计、制造和工具。为了更好地了解专业，VLSI 设计和制造的核心实验室的设计考虑了对专业核心课程的实验理解。实验室实验将构建芯片设计的基本概念和高级概念。总而言之，为期两年的 M.Tech 课程让学生能够满足当前和下一代行业挑战性的需求。
VLSI 设计.pdf
小时量子与统计力学、波粒子对偶和薛定谔方程、自由和束缚粒子、准低维结构量子阱、线、点、低维系统的能带结构、量子限制、2D、1D 和 0D 结构中的态密度、异质结构和带隙工程、调制掺杂、应变层结构纳米级 MOSFET CMOS 技术的挑战、高 k 电介质和栅极堆栈、未来互连。MOSFET 作为数字开关、传播延迟、动态和静态功率耗散摩尔定律、晶体管缩放、恒定场缩放理论、恒定电压缩放、广义缩放、短沟道效应、反向短沟道效应、窄宽度效应、亚阈值传导泄漏、亚阈值斜率、漏极诱导势垒降低、栅极诱导漏极泄漏。
vlsi 幻想家俱乐部
VLSI 俱乐部是一个协作空间，学生可以在此学习超大规模集成设计的基础知识。它专注于由经验丰富的教师指导的实践项目，确保学生深入了解核心概念。定期举办的研讨会涵盖 VLSI 设计中的基本主题、工具和技术。学生以团队形式开展实际项目，培养团队合作精神和创造力。俱乐部营造了一种支持性的环境，会员可以向教师寻求指导和反馈。此外，它鼓励在项目开发中进行实验和创新。学生获得宝贵的经验，从而提高他们的学术学习水平。与同学和教师建立联系的机会有助于建立强大的社区。总体而言，俱乐部是学生发展技能和将知识应用于现实场景的理想平台。 俱乐部名称：VLSI Visionaries
超大规模集成电路技术硕士
学科选修课 – II EE 619 - 混合信号 VLSI 设计（3-0-2-4） EE 621 - 微波集成电路（3-0-0-3） EE 523 - 数字 VLSI 架构（3-0-0-3） CS 541P - 物联网系统和云（1-0-3-3） EE 516 - 生物医学系统（2.5-1.5-0-4） CS 507 - 计算机架构（4-0-0-4） EE 592 – 形式验证选定主题
VLSI 设计 UNIT-I.pdf
VLSI 是微芯片处理器、集成电路 (IC) 和组件设计中最广泛使用的技术之一。它最初设计用于支持微芯片上的数十万个晶体管门，截至 2012 年，这个数字已超过数十亿。所有这些晶体管都高度集成并嵌入在微芯片中，微芯片随着时间的推移不断缩小，但仍具有容纳大量晶体管的能力。第一个 1 兆字节 RAM 是基于 VLSI 设计原理构建的，其微芯片染料上包含超过一百万个晶体管。
VLSI 设计 – I
• 对于慢速信号和/或短线段，分布式 RC 模型（包括与相邻线的电容耦合）将提供足够准确的图像。 • 存在几种精确（尽管计算成本高昂）的方法来提取 R 和 C 值。 • 可以使用 RC 模型模拟延迟和耦合效应。
