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B.Tech（ECE）第 6 学期第 3 单元 VLSI 技术（BEC-35）
4. “硬抗蚀剂”（抗蚀剂的化学惰性部分）应与基底或 PR 下面的层牢固结合。5. “软抗蚀剂”（PR 的化学活性部分）应易于从晶圆表面去除。
人工智能和机器学习应用程序的高性能VLSI体系结构
人工智能（AI）和机器学习（ML）应用程序是通过高性能VLSI架构加速的，这允许在广泛的学科中实时推理，分析和决策。在本文中检查了VLSI体系结构的设计，开发和实施，重点是可扩展性，效率和实用性。该研究的主要目标是检查建筑范式，优化策略，节能设计概念，绩效评估方法以及对AI和ML的高性能VLSI体系结构的实际用途。对AI和ML应用的VLSI设计的研究，案例研究和政策含义的彻底分析都是方法论的一部分。主要发现强调了高性能VLSI架构的各种建筑范式，优化策略以及实际使用，以及实施困难和政策后果。政策后果强调了道德审议，遵守法规和国际合作在保证人工智能和机器学习的认真和公平应用方面的重要性。通过对高性能VLSI体系结构对AI和ML应用的设计，优化，部署和政策含义提供见解，这项研究促进了我们对这些技术以及AI-Driven技术领域的集体理解。由于这种融合，已经出现了专门为AI和ML应用设计的高性能计算平台的新时代。近年引言由于机器学习（ML）和人工智能（AI）与VLSI（非常大规模的集成）体系结构的融合，计算范例发生了重大变化。由于不断需要更多的处理能力来处理大量数据并运行复杂算法，并以前闻所未闻的效率运行复杂的算法，工程师和学者正在调查新的VLSI体系结构，这些vlsi体系结构承诺无与伦比的性能（Ande，2018）。
M. Tech-Ece（VLSI设计）第一学期S.编号...
单元IV 10小时的包装功能，租金规则，包装技术，通过孔，表面安装，单芯片包装的类型，粘结线，翻转芯片技术，胶带自动化键合，热管理，互连拓扑，系统包装简介，系统包装简介，系统中心，包装，包装，包装，多芯片模块，3D包装，3D包装，3D包装，未来趋势，未来的教科书1詹姆斯D.Deal和P.B.Griffin，“硅VLSI技术，基本面，实践和建模”，第1版，Pearson Education，2009年。2 Sorab Ghandhi，“ VLSI制造原理”，第2版，John Wiley and Sons，2008年。3 Yasuo Tarui，“ VLSI技术：基本面和应用”，Springer，2011年。参考书1 H. B. Bakoglu，“ vlsi的电路，互连和包装”，第1版，Addison Wesley Longman Publishing，1990年。2 S.M.Sze，“ VLSI技术”，第2版，McGraw-Hill，2017年。2 S.M.Sze，“ VLSI技术”，第2版，McGraw-Hill，2017年。
R22 B.Tech。 EEE教学大纲Jntu HyderabadR22 M.Tech。数字系统和计算机电子产品... R19 M.Tech欺骗/DECS R22 M.Tech。 VLSI/ VLSI设计/ VLSI系统设计 div> R19 M.Tech。机器设计R22 M.Tech。数字系统和计算机电子产品...R19 M.Tech欺骗/DECSR22 M.Tech。 VLSI/ VLSI设计/ VLSI系统设计 div> R19 M.Tech。机器设计R22 M.Tech。 VLSI/ VLSI设计/ VLSI系统设计 div>R19 M.Tech。机器设计R19 M.Tech。机器设计
确定施加载荷的位置点，以避免在航空航天应用中使用的薄层中扭曲。了解弯曲梁中中性轴和中心轴的区分的概念。理解用于分析经受扭转的非圆形条开发的类比模型，并分析滚动体和三维体中压力之间产生的应力。单位– I：剪切中心：弯曲轴和剪切中心的公理对称和不对称切片。不对称的弯曲：经受非对称弯曲的梁中的弯曲应力，由于非对称弯曲而导致的直束的挠度。单位– II：弯曲梁理论：绕线应力的Winkler Bach公式 - 局限性 - 校正因子 - 弯曲梁中的宽度应力 - 闭合环，受到链接链路中的浓缩和均匀载荷应力。单位– III：扭转：线性弹性溶液prandtl弹性膜（肥皂膜）类比；狭窄的矩形横截面，空心的薄壁扭转构件，倍数连接的横截面。单元– IV：接触应力：简介，确定接触应力的问题，基于接触应力的解决方案的假设；主压力的表达；计算接触应力的方法，体接触中的身体挠度；在狭窄的矩形区域（线接触）上接触的两个物体的应力（线接触）正常为面积，两个物体接触的应力，正常和切线与接触区域的负载。教科书：1。Boresi＆Sidebottom的高级材料力学，Wiely International。2。和较好的J.N.单位– V：介绍三维问题：棱柱形杆的均匀应力拉伸，其自身的重量扭曲恒定横截面的圆形轴，板的纯弯曲。Timoschenko S.P.的弹性理论McGraw，Hill Publishers 3 Rd Edition参考书：1。材料的高级强度由Den Hortog J.P. 2。 Timoshenko的板块理论。材料的高级强度由Den Hortog J.P. 2。Timoshenko的板块理论。Timoshenko的板块理论。
B. Tech。 VLSI设计和技术
advt。否。01/2025访谈将于2025年1月08日（星期三）上午10:00在NIT DELHI，NIT DELHI的管理员街区2楼的委员会会议室举行，以在计算机科学和工程部的助理教授（纯粹是基于合同和临时基础）的职位，该职位在以下表中提到了每月的固定薪水。可能会出现在适当填写的申请表的访谈中，以及所有原件中的所有证书，以及两套相同的影印本。
（iii）B。Tech。电子和通信工程（ECE）和M. Tech。在VLSI和嵌入式系统中
程序学习目标：1。在电子和通信工程原理上培养稳固的基础，包括电路分析，电子设备，信号处理，微处理器/微观控制器系统，模拟通信系统，数字通信和RF电路等。2。开发电子和通信项目管理技能，包括在指定的时间表和预算中计划，执行和完成的能力。3。在多学科团队中进行协作，展示有效的团队合作和沟通以解决复杂的工程问题。4。认识到持续的专业发展，从事认证，研讨会和会议等活动的重要性，以保持行业趋势的最新状态。
使用稀疏极限学习机进行癫痫和癫痫发作检测的多类分类的 LETTER VLSI 设计
摘要 一种用于区分健康、发作期和发作间期脑电图信号的自动检测系统在临床实践中具有重要意义。本文介绍了一种用于癫痫和癫痫发作检测的低复杂度三类分类 VLSI 系统。设计的系统包括基于离散小波变换 (DWT) 的特征提取模块、稀疏极限学习机 (SELM) 训练模块和多类分类器模块。在三级 DWT 中引入了 Daubechies 4 阶小波的提升结构，以节省电路面积并加快计算时间。SELM 是一种新型的机器学习算法，具有低硬件复杂度和高性能，用于片上训练。由于其分类精度高，因此首次设计了一对一的多类非线性 SELM。设计的系统在 FPGA 平台上实现，并使用公开的癫痫数据集进行评估。实验结果表明，设计的系统在低维特征向量下实现了高精度。关键词：低复杂度，分类，DWT，多类，SELM 分类：集成电路（存储器，逻辑，模拟，RF，传感器）
ECE 3349a：VLSI的引入-Swortn Engineering
构建3D锂金属阳极已被证明是解决液体电池中其树突问题的最有效的策略。然而，由于无机固体电解质（SES）的刚性，这种有前途的方法已被证明是在全稳态LI金属电池（ASSLMB）中继承的挑战，这限制了界面固体 - 固体固体离子的接触。在此，一个3D li阳极是通过卤化物SES和Li Metal之间的自发化学反应为ASSLMB构建的。在3D结构内部形成的原位形成的Li-合金和良好的硫磺是连续电子和Li +传输途径，并促进了电荷载体的同质分布。岩石性Li合金可以调节LI沉积行为并实现均匀的Li成核和沉积。Li || Li对称和完整电池在高电流密度下表现出良好的电化学性能。这项工作提供了一种普遍的策略和新的见解观点，可以为高性能的ASSLMB构建3D LI。
IEEE 超大规模集成电路和纳米技术系统缺陷与容错国际研讨会 2025 年 10 月 21 日至 23 日，西班牙巴塞罗那
论文提交：欢迎作者提交上述领域的原创和未发表的论文。作者必须先提交一段摘要，然后提交最终论文以供审查。提交的论文不得超过 6 页，并遵守 IEEE 会议模板，即 2 栏样式（可在会议网站上找到）。论文可以作为普通论文或短文接受。这两种类型的论文都将收录在 IEEE 论文集中。论文集的页数限制为普通论文 6 页和短文 4 页。被接受为短文的 6 页论文的作者必须将其缩减为 4 页才能发表。欢迎提交在 RISC-V 峰会上展示或提交的相关工作的完整论文版本。请参阅研讨会网页以获取最新信息。特别会议征集：也欢迎提交特别会议提案。有关更多信息，请访问研讨会网站并查看具体征集。论文出版：只接受原创、未发表的作品。会议论文集将由 IEEE 计算机学会出版，并将出现在数字图书馆中。作者注册：每篇被接受的论文在提交照相排版论文时必须至少有一个完全付费的注册，并且必须有一名作者参加研讨会。最佳论文奖：委员会将选出最佳论文奖和最佳学生论文奖，并在会议上颁发。与会议相关的期刊特刊：DFTS 2025 被接受的论文的作者将被邀请向专门针对 2025 年会议的区域期刊的特刊提交该作品的扩展版本。未来的作者应遵守以下截止日期：摘要提交：2025 年 4 月 27 日全文提交：2025 年 5 月 4 日录取通知：2025 年 7 月 8 日照相排版和作者注册：2025 年 7 月 25 日
R18 B.Tech。 EEE教学大纲Jntu Hyderabad 1 R22 B.Tech。 EEE教学大纲Jntu Hyderabad R22 M.Tech。数字系统和计算机电子产品... R19 M.Tech欺骗/DECS R22 M.Tech。 VLSI/ VLSI设计/ VLSI系统设计 div> R19 M.Tech。机器设计
1。使用FPGA公开设计方法。2。可以深入了解故障模型。3。了解用于故障检测的测试模式生成技术。4。在连续电路中设计故障诊断。5。使用案例研究在流量的设计中提供理解。单元I可编程逻辑设备：可编程逻辑设备，SPLD，PAL设备，PLA设备，GAL设备，CPLD-Archittuction，FPGAS-FPGA技术，体系结构，Virtex CLB和Slice，FPGA编程技术，XC2000，XC2000，XC3000，Act 3 Actient Act1 anderct1 anderct1 anderct1 anderct1 anderct1 anderct1[TEXTBOOK-1] UNIT-II Analysis and derivation of clocked sequential circuits with state graphs and tables: A sequential parity checker, Analysis by signal tracing and timing charts-state tables and graphs-general models for sequential circuits, Design of a sequence detector, More Complex design problems, Guidelines for construction of state graphs, serial data conversion, Alphanumeric state graph notation.需要和设计多锁顺序电路的策略。[TEXTBOOK-2] UNIT-III Sequential circuit Design: Design procedure for sequential circuits-design example, Code converter, Design of Iterative circuits, Design of a comparator, Controller (FSM) – Metastability, Synchronozation, FSM Issues, Pipelining resources sharing, Sequential circuit design using FPGAs, Simulation and testing of Sequential circuits, Overview of computer Aided Design.[Ref.3][教科书2]单元IV故障建模和测试模式生成：逻辑故障模型，故障检测和冗余，故障等效性和故障位置，故障优势，单个卡在故障模型，多个卡在故障模型上，桥接故障模型。通过常规方法，路径敏化技术，布尔差异方法，Kohavi算法，测试算法-D算法，随机测试，过渡计数测试，签名分析和测试桥梁的断层对组合回路的故障诊断。[教科书-3＆Ref.1]单元 - 顺序电路中的v故障诊断：电路测试方法，过渡检查方法，状态识别和故障检测实验，机器识别，故障检测实验的设计。