第一单元简介:集成电路技术简介——摩尔定律、微电子演进、制造:NMOS、CMOS(n 阱、p 阱、双管)MOS 晶体管的基本电气特性:I DS - V DS 关系、MOS 晶体管阈值电压-V T 、品质因数-ω 0 、跨导- gm 、g ds ;传输晶体管、NMOS 反相器、由另一个 NMOS 反相器驱动的 NMOS 反相器的上拉与下拉比(Z=4:1)、各种上拉、CMOS 反相器的分析和设计。第二单元 VLSI 电路设计流程:VLSI 设计流程(Y 图)、MOS 层、棒图、设计规则和布局、基于 Lambda(λ) 的导线、触点和晶体管设计规则、NMOS 和 CMOS 反相器和门的布局图 MOS 电路的缩放、缩放的局限性
ITU VLSI实验室小组和附属实验室的目标:•确保该领域的市场入口壁垒被简化为中小型企业,并在VLSI领域为大型企业创建有效的工作条件。•创建土耳其电子行业所需的知识,从使用中间产品的组装行业模型转变为开发高价值增值产品的生产模型。•培养合格元素,用于高添加有价值的补充设计和测量。•软件/硬件/测试设备基础架构可按可接受的费用访问。
ITU VLSI Labs Group及其附属实验室的目标是:•增加对高增值IC设计,测试和战略制造过程的专业知识,以支持土耳其在全球VLSI市场中的市场份额,以支持土耳其的目标。•为了帮助开发土耳其的VLSI技术生态系统,以减少入口障碍并改善公司的有效工作条件•生成必要的专有技术,以将土耳其电子行业从基于集会的生产业务模型转变为基于基于组装的生产业务模型,从而将基于汇编的生产业务模型转变为基于基于产品的产品。•教育高素质的劳动力,以进行高增值IC设计和测试业务。•允许以可接受的成本访问软件/硬件/测试设备基础架构。
CO4:识别同步设计中的问题并加以解决。讲座:使用 HDL 进行数字设计方法的介绍 - 设计流程 - 建模抽象级别、门级模型、RTL 模型、行为模型 - 仿真和综合 - ASIC/FPGA 建模 - 语言概念 - 数据类型和运算符 - 结构、数据流和行为模型 - 层次结构 - 组合和顺序电路描述 - 连续和程序分配 - 阻塞和非阻塞分配 - 任务和功能 - 接口 - 延迟建模 - 参数化可重用设计 - 系统任务 - 编译器指令 - 测试平台。数据路径和控制器 - 复杂状态机设计 - 建模 FSM - 状态编码 - 建模内存 - 基本流水线概念 - 流水线建模 - 时钟域交叉 - 算术函数建模 - 同步设计的障碍:时钟偏差、门控时钟、异步输入、同步器故障和亚稳态 - 同步器设计 - 同步高速数据传输 - 时序分析。综合简介 - 逻辑综合 - RTL 综合 - 高级综合、组合逻辑综合、优先级结构、带锁存器和触发器的时序逻辑 - 无意锁存器 - 状态机综合 - 寄存器和计数器 - 时钟 - 循环 - 代码优化 - 设计示例 - 可编程 LSI 技术 - PLA/PAL/PLD - CPLD 和 FPGA - Xilinx/Altera 系列 FPGA - 可编程片上系统 - Zynq SoC 设计概述。实践课程:HDL 模拟器简介、设计和测试平台代码、使用波形查看器进行回溯和调试 – 使用结构、数据流和行为模型对组合/时序逻辑电路进行建模 – 以不同风格对有限状态机进行建模 – FPGA 的综合和后端流程 – 在可重构设备上实现数字电路/系统 – 使用 ILA 进行调试 – 创建自定义 IP 并重复使用。
百万个晶体管(1994 年)、奔腾:310 万个晶体管(1994 年)、DEC Alpha:1000 万个晶体管(1995 年)-900 万个 SRAM、奔腾 IV(2001 年):4200 万个晶体管、酷睿 i7-8700K:约 30 亿个
1947 Bipolar Transistor invented by Bardeen, Brattain and Shockley at Bell Laboratories 1958 Simultaneous Development of Integrated Circuit by Kilby at Texas Instruments & Noyce and Moore at Fairchild Semiconductor 1961 First commercial digital IC available from Fairchild Semiconductor 1967 First Semiconductor RAM (64bits) discussed at the IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) 1968 Introduction of the first commercial IC operational amplifier the µA709 by Fairchild Semiconductor 1970 1-transistor dynamic memory cell invented by Dennard at IBM 1971 Introduction of the 4004 microprocessor by intel 1972 First 8-bit Microprocessor The Intel 8008 1974 First 1kBit memory chip, 8080 microprocessor 1978 First 16-bit Microprocessor 1984 1MBit Memory芯片
3. 教程 1 一阶常微分方程-I 2 一阶常微分方程-II 3 微分方程的应用 4 无限级数-I 5 无限级数-II 6 傅里叶级数-I 7 傅里叶级数-II 8 傅里叶积分与变换-I 9 傅里叶积分与变换-II 10 傅里叶积分与变换-II 11 贝塔函数与伽马函数-I 12 贝塔函数与伽马函数-II 13 线性代数方程组-I 14 线性代数方程组-II 15 线性代数方程组-III
处理 FPGA 板 资格: 应聘者应至少具有 ECE/IEE/电气/CSE/IT/电子科学硕士或同等专业的 BE/B.Tech 2 年级及以上学历。 录取: 申请表将由加尔各答 Jadavpur 大学电子与电信工程系 IC 中心发放,也可从我们的网站 [www.jaduniv.edu.in 或 https://jadavpuruniversity.in] 下载。 填写好的申请表应于周一至周五上午 11 点至下午 5 点送达 IC 中心。 课程费用: 7,000 卢比(JU 学生可享受 20% 优惠)+ 18% 的 GST 以即期汇票的形式开具给“REGISTRAR, JADAVPUR UNIVERSITY”,可在加尔各答的任何国有分支机构支付。 一旦缴纳,课程费用将不予退还。 不提供宿舍住宿。附件:一张 PP 尺寸照片、一份 Madhyamik 准考证/出生证明的复印件、高中成绩单、学期成绩单 [需附上成绩单/证书的认证/自认证副本]
本课程重点介绍现代数字电路的分析和设计。从数字角度介绍和描述硅技术和晶体管,并推导和评估各种电路的性能。将设计和分析 CMOS 数字电路。学生将使用商业软件 Cadance 进行为期一学期的团队 SRAM 芯片设计项目。项目将涵盖制造变化等高级主题。