XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemvlsi
EEL 5322 VLSI 电路与技术课程时长
佛罗里达大学的学生必须遵守荣誉誓言，其中规定：“我们，佛罗里达大学社区的成员，承诺遵守荣誉准则，以最高的荣誉和诚信标准要求自己和同学。佛罗里达大学学生提交的所有作业都必须或暗示以下誓言：“以我的荣誉，我在完成这项作业时既没有给予也没有接受过未经授权的帮助。”荣誉准则 ( https://www.dso.ufl.edu/sccr/process/student-conduct-honor-code/ ) 规定了违反此准则的若干行为以及可能受到的制裁。此外，您有义务向相关人员报告任何助长学术不端行为的情况。如果您有任何问题或疑虑，请咨询本课程的讲师或助教。软件使用
VLSI物理设计中的人工智能，以优化
非常大规模整合（VLSI）电路的复杂性日益增加，在实现力量，绩效和地区（PPA）目标方面提出了重大挑战。传统的物理设计方法通常涉及手动或启发式驱动的过程，这些过程耗时，可能无法完全利用优化机会。本文探讨了人工智能（AI）在自动化和改善VLSI物理设计过程的各个阶段的应用。通过利用机器学习（ML）算法，例如监督学习，无监督学习和强化学习（RL），AI可以协助实现优化的PPA目标，加快设计周期并增强芯片性能。关键阶段，包括平面图，放置，路由，标准单元格设计和电网优化，在AI-wired技术的背景下进行检查。案例研究表明AI如何减少设计迭代，提高性能并最大程度地减少功耗。
“ VLSI设计的最新趋势，芯片上的系统和嵌入式
国家理工学院锡金，国家重要的研究所是印度政府在2009年被印度政府的十个新批准的NIT之一。该研究所提供B.计算机科学和工程，电子和通信工程，电气和电子工程，机械工程以及土木工程的技术课程。此外，该研究所在VLSI和嵌入式系统，通信和信号处理，电气和电子工程以及AI和ML中提供M.Tech计划。该研究所还提供M SC。化学和博士学位的计划D计划在所有部门中。目前，NIT Sikkim位于South Sikkim的Ravangla的一个临时校园中，该校园是一个旅游城镇，它通过高速公路与该州其他主要城镇相连，位于Pelling和Gangtok之间。Ravangla位于2100 m的海拔，周围是喜马拉雅地形，以佛陀公园，Temi Tea Garden和Ralong修道院等旅游胜地而闻名。
课程 M.Tech VLSI 设计 2022-23 批次及以后
讲座总数：42 讲座分类 讲座数 1. MOS 电容器：金属-氧化物-半导体接触的能带图，操作模式：积累、耗尽、中间带隙和反转，MOS 的一维静电，耗尽近似，泊松方程的精确解，MOS 的 CV 特性，LFCV 和 HFCV，MOS 中的非理想性，氧化物固定电荷，界面电荷，中间带隙栅极电极，多晶硅接触，非均匀衬底掺杂的静电，超薄栅极氧化物和反转层量化，量子电容，MOS 参数提取
AI/ML/DL 算法及其在 VLSI 设计技术中的应用
3 助理教授，ECE 系，DSCE，班加罗尔，卡纳塔克邦 4 M.Tech。项目指导，教授兼系主任，ECE 系，DSCE，班加罗尔，卡纳塔克邦 摘要 本文简要回顾了可用于 VLSI 设计技术的 AI/ML 算法和应用。由于分析和开发可能减少由扩大工艺变异性带来的设计复杂性并缩短芯片制造周转时间的技术显然将成为纳米领域集成电路 (IC) 行业的一个问题。用于这些活动的传统方法大多是手动的，这需要时间和资源。相反，由于人工智能 (AI) 独特的学习策略，超大规模集成 (VLSI) 设计和测试可以利用各种新的自动化方法。利用自动学习算法，AI 和机器学习 (ML) 算法减少了理解和处理不同抽象级别内和跨不同抽象级别数据所需的时间和精力，从而提高了 IC 产量并加快了生产周转时间。本文研究了以前用于 VLSI 设计和生产的自动化 AI/ML 方法。本文介绍的工作是 PG (M.Tech) 学生的技术研讨会报告，这是 PG 课程第二学期每个学生必须就任何主题进行的研讨会的一部分。关键词：VLSI、设计、CMOS、芯片、晶体管 1.简介在微电子领域，CMOS 技术长期占据主导地位。在单个芯片上，制造的晶体管数量急剧增加。由于晶体管经过多代技术不断缩小尺寸，这些设备的密度和性能得到了提高，这极大地促进了微电子产业的发展。现代超大规模集成 (VLSI) 技术使得在单个芯片上实现复杂的数字系统成为可能。随着晶体管尺寸变小，半导体制造工艺的复杂性增加。随着我们越来越接近原子尺寸，简单的缩放不可避免地会走到尽头。即使这些器件很小，其性能的几个方面也会随着时间的推移而下降，例如泄漏增加、增益降低以及对制造工艺波动的敏感性增加。制造差异的急剧增加严重影响了电路的功能，导致相同尺寸的晶体管性能不一致。这会影响电路的传播延迟，其表现为随机变量，使时序收敛程序更加困难，并大大降低芯片产量。设计流程中需要采用未来技术节点的经济实惠的设计和先进的设计技术进行更精细的优化，以保持 VLSI 系统的性能趋势，以应对工艺变化增加带来的日益严峻的挑战，设计复杂性和芯片集成度。电子设计自动化 (EDA) 工具在克服设计复杂性方面的有效性
用于 VLSI 的稳健且可扩展的混合 1 位全加器电路
摘要 本研究论文介绍了一种用于“超大规模集成”（VLSI）应用的新型 22 晶体管 (22T)、1 位“全加器”（FA）。所提出的 FA 源自混合逻辑，该逻辑是“栅极扩散输入”（GDI）技术、“传输门”（TG）和“静态 CMOS”（SCMOS）逻辑的组合。为了评估所提出的 FA 的性能，在“设计指标”（DM）方面将其与最先进的 FA 进行了比较，例如功率、延迟、“功率延迟乘积”（PDP）和“晶体管数量”（TC）。为了进行公平比较，所有考虑的 FA 都是在常见的“工艺电压温度”（PVT）条件下设计和模拟的。模拟是使用 Cadences 的 Spectre 模拟器使用 45 nm“预测技术模型”（PTM）进行的。仿真表明，在输入信号频率 fin=200 MHz 和电源电压 V dd =1 V 时，所提出的 FA 的“平均功率耗散”(APD) 为 1.21 µW。它的“最坏情况延迟”(WCD) 为 135 ps，并且“功率延迟积”(PDP) =0.163 fJ。进一步为了评估所提出的 FA 在 V dd 和输入信号操作数大小方面的可扩展性，它嵌入在 64 位 (64b)“行波进位加法器”(RCA) 链中，并通过将 V dd 从 1.2 V 以 0.2 V 的步长降低到 0.4 V 来进行仿真。仿真结果表明，只有所提出的 FA 和其他 2 个报道的 FA 能够在不同的 V dd 值下在 64b RCA 中运行，而无需使用任何中间缓冲器。此外，我们观察到，与其他 2 个 FA 相比，所提出的 FA 具有更好的功率、延迟和 TC。关键词：全加器、PDP、低功耗、静态 CMOS、门扩散输入、传输门逻辑
5G 和未来电信技术的高频 VLSI 设计的进步
关键词：5G 网络、VLSI 设计、高频操作、电信技术、毫米波、太赫兹频谱、数据传输、节能处理、半导体材料、硅锗 (SiGe)、氮化镓 (GaN)、磷化铟 (InP)、器件架构、FinFET、纳米级晶体管、速度增强、效率提高、功耗、热管理、信号完整性、先进冷却技术、低功耗设计方法、纠错算法、人工智能 (AI)、机器学习 (ML)、优化、自适应性能、连接性、数据处理能力、下一代网络、尖端方法、技术挑战、设计解决方案、新颖的设备实施、未来电信进步。
ECE 498NSU/NSG - 机器学习中的VLSI（2024年秋季）
ece 498nsu/nsg - 机器学习中的VLSI（2024年秋季）讲师：Naresh Shanbhag Tas：Vignesh Sundaresha：vs49@illinois.edu kaining Zhou：kainingz@kainingz@illinois.edu prereques：ece 313 and Ece 313 and Ece 342或指示： Lecture : M and W 10:00-11:20, ECEB 2022 Instructor Office Hours: Wednesdays 2PM-3PM, CSL 414 TA Office Hours: Thursdays 2pm-4pm, ECEB 2036 Course Description : This course will present challenges in implementing machine learning algorithms in VLSI (silicon) for applications such as wearables, IoTs, autonomous vehicles, and biomedical devices.简单的单阶段分类器将首先讨论，然后是深神网络。将采用有限精确分析来设计定点网络，以最大程度地减少能量，延迟和内存足迹。单阶段和深网的训练算法（后置）将介绍，然后介绍其固定点实现。算法到架构映射技术将在深度学习数字加速器和模拟内存架构中的权衡范围探索。学习行为，定点分析，建筑能量和延迟模型的基础知识将在整个课程中引入正常的时间。还将介绍深度学习系统的硬件（体系结构和电路）实现的案例研究。家庭作业将包括Python和Verilog中的分析和编程练习的混合。nsu部分将完成一个术语项目，涉及在嵌入式硬件平台（例如FPGA/MCU）上实现深网。NSG部分将根据对其感兴趣的特定主题的文献综述撰写一份学期论文，并就该主题进行研究项目。课程评分：NSU部分将在每周的作业（30％）上进行评分，涉及Python和Verilog编程以及设计和分析问题，以及两个中期（30％）和一个学期设计项目（40％）。NSG部分将被评为：25％（家庭作业），25％（两个中期），30％（研究项目）和20％（学期论文）。
M.Tech学位课程和VLSI设计的课程和教学大纲
主题代码主题名称L-T-P CRORC 22101设备建模3-0-0 3模块1（13小时）半导体表面，理想的MOS结构，MOS设备，热平衡中的MOS设备，非理想的MOS：工作函数差异，氧化物中的电荷，氧化物，界面状态，界面状态，非理想的MOS，flate traptage thatbage，flattage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage coldection a MOS，电荷计算（计算），计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算电压，MOS作为电容器（2个端子设备），三个端子MOS，对阈值电压的影响。模块2（10小时）MOSFET（增强和耗尽的MOSFET），活动性，对当前特征，当前特征，亚刺孔摇摆，界面状态对子阈值的影响对子阈值的影响，排水电导和跨导电，源偏置的影响，源偏置和身体偏置对阈值电压和设备操作。模块3（6小时）缩放，短通道和狭窄的通道效应 - 高场效应。模块4（5小时）MOS晶体管在动态操作中，大信号建模，低频率和高频的小信号模型。模块5（8小时）SOI概念，PD SOI，FD SOI及其特征，SOI MOSFET，多门SOI MOSFET的阈值电压，替代MOS结构。参考：1。E.H. Nicollian，J。R. Brews，《金属氧化物半导体 - 物理与技术》，John Wiley and Sons。 2。 Nandita Das Guptha，Amitava Das Guptha，半导体设备建模和技术，Prentice Hall印度3. Jean- Pierrie Colinge，硅启用技术：VLSI的材料，Kluwer学术出版商集团。 4。 Yannis Tsividis，MOS晶体管的操作和建模，牛津大学出版社。E.H. Nicollian，J。R. Brews，《金属氧化物半导体 - 物理与技术》，John Wiley and Sons。2。Nandita Das Guptha，Amitava Das Guptha，半导体设备建模和技术，Prentice Hall印度3.Jean- Pierrie Colinge，硅启用技术：VLSI的材料，Kluwer学术出版商集团。4。Yannis Tsividis，MOS晶体管的操作和建模，牛津大学出版社。5。M.S.Tyagi，《半导体材料和设备简介》，John Wiley＆Sons，ISBN：9971-51-316-1。
2020-21 超大规模集成电路与嵌入式系统 印度理工学院 巴特那
VLSI 和嵌入式系统分支是当今世界上最受欢迎的硕士课程之一。考虑到 VLSI 行业的规模，我们于 2017 年启动了该项目，重点是为学生提供各自领域的必要技能，并结合实习、项目和认证计划，帮助培养适合行业、学术和研究的年轻工程师。在 IIT 巴特那，这是一个跨学科项目，招收来自不同本科背景的学生。