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型号 hv4032a - 高压系统 - Siliconpr0n
Siliconpr0n.org › camac › CAMAC3 PDF 1994年3月15日 — 1994年3月15日数字电压控制-A 12位ADC读取ac- ...注意：定期清洁空气过滤器...经过工业级现场验证的可靠性
100W DALI LED驱动器（恒压）
1.1。按下两个按钮中的两个按钮，直到数字数字显示闪烁，然后释放按钮。1.2。单击第一个按钮以选择“ 1A”，“ 2A”，“ 3A”或“ 4A”，这意味着1个地址，2个地址，3个地址或4个地址。1.3。然后按下并按住两个按钮中的任何一个，直到数字数字显示停止闪烁以确认设置为止。例如，当我们将地址设置为22：选择1A时，所有四个频道将是同一地址22。选择2a时，频道1和3将是相同的地址22，频道2和4将是相同的地址23。选择3A时，分别将分别地址为22、23、24，并且第4频道的地址也为24。选择4A时，频道1、2、3、4将分别分别为22、23、24、25。
DISC1中的突变改变IPR和电压门控CA渠道功能，对主要精神疾病的影响
参与了中央神经元的各种发育过程。它也起着在成人中央神经元中认知功能为基础的关键作用。在这里，我们总结了Disc1的一般属性，并讨论了其作为理解主要精神疾病（MMI）的模型系统的用途。然后，我们讨论二氧化激进1的细胞作用，该细胞作用涉及或调节成人中央神经元中Ca 2+信号传导。尤其是我们关注的束缚角色盘在运输包含Ca 2+通道亚基RNA（包括IP3R1，CACNA1C和CACNA2D1）的RNA颗粒以及将线粒体转移到树突状和轴突过程中。我们还回顾了DISC1在调节线粒体相关的ER膜（MAM）中调节IP 3 R1活性中的作用。最后，我们讨论了中央突触下电压门控的Ca 2+通道（VGCC）的功能性的调节功能的盘状 - 糖基合酶激酶3β（GSK3β）信号传导。在每种情况下，DISC1调节影响神经元中Ca 2+信号的分子的运动。
Scalable preparation of asymmetrical bilayer sulfide/halide electrolyte membranes for all-solid-state batteries with high voltage
抽象的全稳态电池（ASSB）被认为是提高电池安全性和能量密度的最有希望的候选者。硫化物电解质具有狭窄的电化学窗口，该窗口阻碍了其应用与高压阴极。具有高压耐力的卤化物电解质可以帮助解决此问题。在此，采用喷涂和污染方法的组合用作处理自由的LI 6 PS 5 Cl（LPSCL）不对称的电解质膜（19.23Ωcm2，75μm），用10μmLi3包含6（Licl）层装饰。LICL-LPSCL不对称的电解质膜增强了高压稳定性，使LINI 0.83 CO 0.83 CO 0.11 Mn 0.06 O 2（NCM811）和LI 1.2 Ni 0.13 CO 0.13 CO 0.13 CO 0.13 Mn 0.54 0.54 O 2（LRMO）Cathodes。NCM811 | LICL-LPSCL | NSI ASSB的初始库仑效率（ICE）为85.13％，在200个周期后的容量保留率为77.16％。Compared with the LPSCl membrane, the LICl-LPSCl membrane displayed high stability with the LRMO cathode as the charging cut-off voltage increased to 4.7 V, which improved the initial charge capacity from 143 to 270 mAh g −1 and achieved stable cycling of 160 mAh g −1 at 0.5 C. Additionally, we attempted continuous LICl-LPSCl membrane production and utilized the product to fabricate a基于LRMO的小袋型ASSB。LICL-LPSCL电解质膜的制造证明了其在Assbs中的可控和行业适应应用的潜力。
SNS连接的动态电压电流特性
简介。热力学相变描述了在外部参数的绝热变化下颗粒的宏观集合状态的变化。例如，某些电气导体从电阻状态（即正常导体n）转到临界温度以下以下的无耗散状态（超导体S）。同样，由两个S触点弱连接的约瑟夫森连接（JJ），当由大于临界电流i c大的直流电流驱动时，从零电阻态转换为电阻状态。当系统由迅速变化的参数驱动时，会发生动态相变，以使系统没有时间平衡。在这里，我们研究了超导体 /正常金属 /超导体连接（即SNS，即JJ，弱连接由正常金属组成的JJ）中的这种动态相变，该振幅和频率分别大于I C，并且分别在N中大于n，弱连接是正常金属组成的）。
使用最佳门源电压去极化在功率SIC MOSFET的短路操作下朝着安全故障模式
摘要 - 本文重点介绍了在短路条件下SIC MOSFET的鲁棒性水平的提高。在这项研究中，提出了两种允许在短电路操作下在平面电源MOSFET设备中确保安全的“失败”（FTO）模式的方法。这些方法基于栅极源电压的直接去极化及其根据FTO和经典不安全热失控之间的临界消散功率（W/mm²）的计算进行估计。他们允许确定门源电压的最大值，以在接近名义值的排水源电压下保留FTO模式。引入了FTO和“ Fafto-Short”（FTS）之间功率密度的边界。对竞争中的两种故障模式进行了完整的实验，该实验可能出现在1.2 kV SIC MOSFET的短路测试（SC）测试中。最后，研究了栅极源电压去极化对国家电阻（R DS（ON））的惩罚，以评估技术效率。
采用 0.25 m pHEMT 技术的 5G 毫米波紧凑型压控振荡器
所提出的 VCO 架构基于参考文献 [16-18] 中研究的 Colpitts 结构以及作者在 [12] 中提出的结构，如图 2 所示。该振荡器的有源部分由两个晶体管 pHEMT 1 和 pHEMT 2 组成：每个晶体管有 4 个指状物，栅极长度和宽度分别为 0.25 µm 和 20 µm。指状物数量越多，输出功率就越大 [19]。每个晶体管都偏置在工作点 (VDS=2.2 V, VGS -0.6 V)，三个电感 Ld1、Ld2 和 Lg 分别等于 0.15 nH、0.15 nH 和 0.1 nH。电路的性能在很大程度上取决于偏置条件 [20]，因此偏置电压和电感的值需要仔细选择。 VCO 的谐振电路基于两个源漏短路晶体管 pHEMT 3 和 pHEMT 4。因此，这两个晶体管充当变容二极管，其电容值由施加到其栅极的电压源 Vtune 调整。
电压偏置的约瑟夫森二极管中的非肾脏电荷运输和亚谐波结构
我们研究电压偏置的单渠道连接处的电荷传输，涉及有限的库珀对动量的螺旋超导体。对于约瑟夫森结，平衡电流相关的关系显示出超级传导二极管效应：临界电流取决于传播方向。我们为电压偏置的约瑟夫森二极管制定了一种散射理论，并表明多个安德烈的反射过程在DC电流 - 电压曲线中导致在低温和小电压下，由于光谱间隙的多普勒移位而导致的小电压。在当前偏向的情况下，二极管效率具有最大的矩效率η0≈0。4对于此模型。在电压偏置的情况下，拟合效率可以达到理想值η=1。我们还讨论了正常金属和螺旋超导体之间正常驾驶连接的电荷传输，并对具有自旋轨道相互作用和磁性Zeeman Fileds的相关模型发表评论。
使用最佳门源电压去极化在功率SIC MOSFET的短路操作下朝着安全故障模式
摘要 - 本文重点介绍了在短路条件下SIC MOSFET的鲁棒性水平的提高。在这项研究中，提出了两种允许在短电路操作下在平面电源MOSFET设备中确保安全的“失败”（FTO）模式的方法。这些方法基于栅极源电压的直接去极化及其根据FTO和经典不安全热失控之间的临界消散功率（W/mm²）的计算进行估计。他们允许确定门源电压的最大值，以在接近名义值的排水源电压下保留FTO模式。引入了FTO和“ Fafto-Short”（FTS）之间功率密度的边界。对竞争中的两种故障模式进行了完整的实验，该实验可能出现在1.2 kV SIC MOSFET的短路测试（SC）测试中。最后，研究了栅极源电压去极化对国家电阻（R DS（ON））的惩罚，以评估技术效率。
在特定的低闸门源电压偏置方面的SIC MOSFET的重复短路能力，以实现更健壮的极端操作
摘要 - 本文提出了在高排水源电压下重复定位的SC应力下的商用硅卡比德（SIC）MOSFET设备的短路（SC）性能。研究了两种方案，以评估栅极源电压（V GS）去极化和SC持续时间（T SC）降低的影响。V GS去极化可提供功率密度的降低，并允许在短路持续时间t scmax的情况下保持安全的故障模式（FTO：失败）。结果表明，SIC MOSFET V GS去极化不会降低T SCMAX时的SC循环能力。但是，使用V GS去极化允许将近1000个周期@T SC = 10 µ s的IGBT鲁棒性水平接近IGBT鲁棒性水平。 SC测试期间芯片温度演变的模拟表明，降解归因于SC周期期间的连接温度（T J）的升高，这导致顶部Al诱导裂纹融合到厚氧化物中。