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利用数据驱动的光伏能力预测的气象预测
抽象背景：旋转阳极X射线源的允许输入功率密度受到可用目标材料的性能的限制。尽管使用临床实践的变化，但使用的用于焦点表面温度的简化公式忽略了管电压。如本工作所提出的那样，改进了电子传输和靶标侵蚀的建模，可改善X射线输出降解对X射线输出降解，绝对X射线剂量输出以及诊断成像的质量和Orthovolt Cancer Cherapy的质量，用于广泛的技术因素。目的：改进电子功率吸收的建模以包括体积效应和表面侵蚀，以提高对X射线输出降低的理解，增强X射线管的可靠性并安全地扩大其使用场。方法：我们结合了蒙特卡洛电子传输模拟，耦合的热弹性有限元建模，侵蚀引起的表面粒度以及热物理和热机械目标特性的温度依赖性。提出了半经验的热机械标准来预测目标侵蚀。我们模拟了侵蚀的钨 - 侵蚀目标的吸收电子功率，并用带有球形单层的toge靶模仿，并与原始目标进行比较。Results: The absorbed electronic power and with it the conversion efficiency varies with tube voltage and the state of erosion.With reference to 80 kV (100%), the absorption of a severely eroded relative to a pristine target is 105% (30 kV), 99% (100 kV), 97% (120 kV), 96% (150 kV), 93% (200 kV), 87％（250 kV）和79％（300 kV）。我们表明，尽管表面加热的简单的müller -oosterkamp模型低估了较高的管电压相对于在80 kV下的运行的好处，但该误差限制为30 kV的误差低于-6％（建议还原），而300 kV + 13％（输入功率增加允许）。结论：纠正侵蚀目标材料的X射线转换效率，通常无法通过测量管电流来访问，这可能意味着对现有的X射线剂量计算进行校正。随着管电压增加的旋转阳极X射线试管的相对增加，其量大的电压易于预测的agnosmmüller– oosterkamp age agnosism age age agnosism age agnosism age age ageostermism age age age agnosism age age age age age agnosism agn依赖性的依赖性依赖于焦距的依赖性，这显着的量加热模型要小得多。钨孔和粒度的扩散率随着管电压增加的旋转阳极X射线试管的相对增加，其量大的电压易于预测的agnosmmüller– oosterkamp age agnosism age age agnosism age agnosism age age ageostermism age age age agnosism age age age age age agnosism agn依赖性的依赖性依赖于焦距的依赖性，这显着的量加热模型要小得多。钨孔和粒度的扩散率
修改的扩展Kalman过滤算法，用于可充电电池的精确电压和电荷估计
1 1频道工程系，香港理工大学，香港，中国2号医学和工业超声中心，詹姆斯·瓦特工程学院，格拉斯哥大学，格拉斯哥大学，格拉斯哥大学，英国格拉斯哥，英国21118694r@connect.polyu.hk; tianshidexuanzhe@gmail.com; kokokhlam@polyu.edu.hk; kwokho.lam@glasgow.ac.uk通信：kwokho.lam@glasgow.ac.uk，中国香港香港理工大学电气工程系；詹姆斯·瓦特工程学院医学和工业超声学院，格拉斯哥大学，格拉斯哥大学，英国苏格兰，格拉斯哥大学†同样贡献。 摘要：随着电动汽车（EV）的普及，可充电电池的电压和最新电压（SOC）估计具有重要意义。 SOC参数已被用作传递可充电锂离子电池（LIB）的电能的指标，而电压已是监测所需的关键参数，以防止造成电池损坏的原因，尤其是在充电和放电过程中。 因此，研究重点是使用算法准确估算SOC和电压。 具有避免重大估计误差的能力，使用间接测量值（例如电压和电流）获得的参数，已采用常规扩展卡尔曼过滤（EKF）来估计SOC的最佳值。 但是，该算法在SOC和电压估计中的精度有限，并且对电压预测的误差降低仍然没有深入研究。 这项研究表明，常规的EKF算法会引起估计错误，尤其是当当前突然改变时。1 1频道工程系，香港理工大学，香港，中国2号医学和工业超声中心，詹姆斯·瓦特工程学院，格拉斯哥大学，格拉斯哥大学，格拉斯哥大学，英国格拉斯哥，英国21118694r@connect.polyu.hk; tianshidexuanzhe@gmail.com; kokokhlam@polyu.edu.hk; kwokho.lam@glasgow.ac.uk通信：kwokho.lam@glasgow.ac.uk，中国香港香港理工大学电气工程系；詹姆斯·瓦特工程学院医学和工业超声学院，格拉斯哥大学，格拉斯哥大学，英国苏格兰，格拉斯哥大学†同样贡献。 摘要：随着电动汽车（EV）的普及，可充电电池的电压和最新电压（SOC）估计具有重要意义。 SOC参数已被用作传递可充电锂离子电池（LIB）的电能的指标，而电压已是监测所需的关键参数，以防止造成电池损坏的原因，尤其是在充电和放电过程中。 因此，研究重点是使用算法准确估算SOC和电压。 具有避免重大估计误差的能力，使用间接测量值（例如电压和电流）获得的参数，已采用常规扩展卡尔曼过滤（EKF）来估计SOC的最佳值。 但是，该算法在SOC和电压估计中的精度有限，并且对电压预测的误差降低仍然没有深入研究。 这项研究表明，常规的EKF算法会引起估计错误，尤其是当当前突然改变时。1频道工程系，香港理工大学，香港，中国2号医学和工业超声中心，詹姆斯·瓦特工程学院，格拉斯哥大学，格拉斯哥大学，格拉斯哥大学，英国格拉斯哥，英国21118694r@connect.polyu.hk; tianshidexuanzhe@gmail.com; kokokhlam@polyu.edu.hk; kwokho.lam@glasgow.ac.uk通信：kwokho.lam@glasgow.ac.uk，中国香港香港理工大学电气工程系；詹姆斯·瓦特工程学院医学和工业超声学院，格拉斯哥大学，格拉斯哥大学，英国苏格兰，格拉斯哥大学†同样贡献。摘要：随着电动汽车（EV）的普及，可充电电池的电压和最新电压（SOC）估计具有重要意义。SOC参数已被用作传递可充电锂离子电池（LIB）的电能的指标，而电压已是监测所需的关键参数，以防止造成电池损坏的原因，尤其是在充电和放电过程中。因此，研究重点是使用算法准确估算SOC和电压。具有避免重大估计误差的能力，使用间接测量值（例如电压和电流）获得的参数，已采用常规扩展卡尔曼过滤（EKF）来估计SOC的最佳值。但是，该算法在SOC和电压估计中的精度有限，并且对电压预测的误差降低仍然没有深入研究。这项研究表明，常规的EKF算法会引起估计错误，尤其是当当前突然改变时。尽管可以通过诸如Double Kalman滤波等联合算法提高SOC精度，但是由于非线性误差的叠加，仍然需要优化EKF本身。在这项研究中，进行了修改后的扩展卡尔曼滤波（MEKF）算法的研究，以估算LIB的电压和SOC，并具有估计精度的极大提高。Yuasa Lev50单元在298 K处的标准放电率为0.2 c，以获取离线参数，然后使用新提出的新提出的动态估计数学电池模型（DBOFT）进行优化。这是第一次提出一种结合增益矩阵和噪声的方法，以减少当前转弯点的电压估计误差，从而大大提高了电压估计的准确性。具体来说，MEKF算法能够实时调整参数并减少SOC
栅极源偏置电压和栅极泄漏电流对FTO型SIC功率MOSFET的短路性能的影响
最近已显示：损害累积和SC-FTO型设备的故障仅用于短路脉冲比给定临界值更长的短路脉冲，此后，栅极裂口电流明显增加； 由于热机械应力和随后的温度相关的顶部金属化挤出，降解和失效是在顶部SIO 2中产生裂纹的结果[1]； 遵守临时偏置条件，由于金属路径在设备顶部区域融合效果，因此可以恢复功能[2]。在此，提出和讨论了一个新的结果，即直接在门和排水之间流动的泄漏电流的检测，也影响晶体管的短路性能和稳健性，为此表明，短路期间门源偏置的值也起着重要作用。
耦合仿真和加速退化模型的可靠性评估：应用于电压调节器
本文根据低压差稳压器的行为，演示了如何使用数值模拟数据，基于加速退化测试数据进行可靠性性能评估。该稳压器采用 Cadence Virtuoso 软件和 180 nm AMS CMOS 技术设计，并通过模拟评估其输出电压随温度和输入电压的变化。输出电压退化数据是根据环境参数（输入电压和温度）约束生成的，这使得我们能够利用数值模拟模型和所提出的退化模型定义加速条件下的故障阈值。采用退化路径模型确定指定故障标准（5%）下的伪故障时间。然后，我们推导出加速度定律模型，通过执行最大似然估计法来估计可靠性模型参数，不仅可以分析，还可以预测不同电压和温度应力条件下稳压器的寿命数据分布。
SiC-MOSFET阈值电压漂移的测量与分析
法国里昂 摘要 碳化硅功率 MOSFET 在许多研究中用于提高电力电子转换器的效率或性能。然而，栅极氧化物技术弱点是碳化硅 MOSFET 晶体管的主要可靠性问题。阈值电压漂移是解决工业电源应用可靠性的关键现象。更好地理解栅极阈值电压漂移中隐含的现象非常重要。在此背景下，本文提出了一种基于 JEDEC 标准的静态老化测试，并研究和讨论了由此产生的栅极氧化物应力。进行了补充测试，包括动态可靠性和栅极氧化物特性，例如电荷泵技术。获得的结果用于为当前有关 SiC MOSFET 稳健性的讨论增添见解。此外，还详细介绍了测试台和测量协议。 * 通讯作者 quentin.molin@supergrid-institute.com 电话：+33 6 68 30 16 52 1. 简介 由于 SiC 具有比硅更优越的电气性能，因此它是一种很有前途的高压高温器件材料。然而，仍有许多可靠性问题有待解决，例如氧化物退化 [1]、阈值电压不稳定性 [2]、[3] 和短路行为 [4]、[5] 和 [6]。其中一些关键点对于开发用于工业应用的可靠功率器件至关重要 [7]。
高压低功耗集成直流变换器拓扑结构...
• 最大磁通密度：变压器尺寸和损耗对于满足规格至关重要。对于此标准，根据施加在初级侧的最大伏秒来评估最大磁通密度 B MAX。变压器内部的磁芯损耗与此参数直接相关，因此会影响变压器的设计（几何形状、磁芯材料等）。 • 电气应力：为了管理高输入电压，功率级需要高压功率开关。某些结构可以帮助降低施加在功率开关上的电压应力。它可以减小它们的尺寸并提高它们的性能，因为在硅集成环境中，没有多少功率开关可以承受 1 kV。 • ZVS：某些拓扑结构支持 ZVS（零电压开关）操作，可以减少开关损耗，这对于高压来说非常重要。然而，这种模式需要特别注意功率级的命令。 • 复杂性：为了减小功率级尺寸，一种选择是减少所需的组件数量及其尺寸。如果变压器尺寸已经由第一个标准描述，那么开关（MOSFET、二极管）、电容器等的数量也是功率级在电路板上所占空间的指示。这些元件的值和额定电压当然会影响它们的尺寸，也可以指示将它们集成到芯片中的可能性。• 其他标准也很重要，如启动、反馈回路、稳定性方法等，但这里不予考虑。
在不同电压应力下在空气中实现阴极定向流光模型。
¹Univ. Grenoble Alpes，CNRS，Grenoble INP*，G2Elab，Grenoble，38031，法国 *francis.boakye-mensah@g2elab.grenoble-inp.fr 摘要 - 为了在气候变化法规日益严格的情况下找到 SF 6 的可行替代品，应该对压缩空气等替代品进行适当的评估。对于中压应用，耐受电压被用作尺寸标准，这取决于流光的引发和传播，而流光是电击穿的前兆。为了优化设计，应该通过预测模型从实验和数值上彻底研究在不同应力、压力等条件下此类放电的引发和传播机制。到目前为止，大多数数值研究都是通过自制代码完成的，因为由于此类计算的复杂性和非线性，商业软件中不易获得流光模型。最近，随着商业有限元软件COMSOL™Multiphysics 等离子体模块稳健性的增强，可以开发具有合理精度的流光放电模型。
专用于电池储能系统的中压ANPC转换器多层母线
能源转型加速了可再生能源的大规模使用，特别是太阳能和风能取代化石燃料[1]。然而，为了确保电力生产和消费之间的平衡，储能系统与可再生能源发电机相结合[2]。这些储能系统还必须满足效率和电网支持方面的要求。欧洲人才项目提出将BESS的电压从传统的低压机架[3]1kV-1.4kV提高到中压机架（2×1 500V，中点接地），以实现高效率（> 99%）并减少所需功率元件原材料的数量。在外部开关调制模式（OSMM）下工作的ANPC转换器的主要优势在于仅在逆变器或整流器模式下使用小开关环路，从而可以提高开关速度[4]。本文重点介绍ANPC转换器设计。作者将在后续文章中对DC/DC转换器进行分析。
恰加斯病的 QRS 波低电压新参数...
作者的贡献：AGMB：对作品的构思、设计以及作品数据的获取、分析和解释做出了重大贡献；起草作品；最终批准出版版本；同意对作品的所有方面负责。JASJ：对作品数据的解释做出了重大贡献；对重要的知识内容进行了批判性修改；最终批准出版版本；同意对作品的所有方面负责。EGCN：对作品数据的解释做出了重大贡献；对重要的知识内容进行了批判性修改；最终批准出版版本；同意对作品的所有方面负责。MMG：对作品数据的解释做出了重大贡献；对重要的知识内容进行了批判性修改；最终批准出版版本；同意对作品的所有方面负责。AASF：对作品数据的解释做出了重大贡献；对重要的知识内容进行了批判性修改；最终批准出版版本；同意对工作的所有方面负责。RAM：对工作数据的解释做出重大贡献；对工作的重要知识内容进行重大修改；最终批准要发布的版本；同意对工作的所有方面负责。RRM：对工作数据的解释做出重大贡献；对工作的重要知识内容进行重大修改；最终批准要发布的版本；同意对工作的所有方面负责。TAAMF：对工作数据的解释做出重大贡献；对工作的重要知识内容进行重大修改；最终批准要发布的版本；同意对工作的所有方面负责。MFA：对工作数据的解释做出重大贡献；对工作的重要知识内容进行重大修改；最终批准要发布的版本；同意对工作的所有方面负责。CMA：对工作构思、设计以及工作数据的获取、分析和解释做出重大贡献；起草工作；最终批准要发布的版本；同意对各方面的工作负责。
SiC MOSFET 在特定低栅源电压偏置下具有重复短路能力，可实现更强劲的极端操作
摘要 — 本文介绍了商用碳化硅 (SiC) MOSFET 器件在高漏源电压下重复性短路应力下的短路 (SC) 性能。研究了两种方案来评估栅源电压 (V GS ) 去极化和短路持续时间 (T SC ) 减少的影响。V GS 去极化可降低功率密度，并允许在增加短路持续时间 T SCmax 的情况下保持安全故障模式 (FTO：开路故障)。结果表明，SiC MOSFET V GS 去极化不会降低 T SCmax 下的短路循环能力。但是，使用 V GS 去极化可以使性能接近 IGBT 稳健性水平，在 T SC =10 µ s 下循环近 1000 次。短路测试期间芯片温度变化的模拟表明，性能下降仍然归因于短路循环期间结温 (TJ ) 的升高，这导致顶部 Al 融合，从而导致厚氧化物中出现裂纹。