Changes from Revision H (February 2020) to Revision I (July 2020) Page • Added the Functional Safety-Capable feature.................................................................................................... 1 • Added the BQ771823 device to the Device Comparison Table ......................................................................... 3 • Added BQ771823 to the DC Characteristics ..................................................................................................... 6 • Added BQ771823 delay settings to Section 7.6 ................................................................................................ 7
可持续能源产生的份额不断增长,并将继续导致效果储能系统的重要性显着增加,因为它变得越来越有必要弥补能够在电网中弥补可再生能源的波动。1,2在大量可能的技术中,一种有希望的电化学能量系统是氧化还原流量电池(RFB),例如全泡氧化还原流量电池(AVRFB)。3,4,在两个半细胞中,不同的氧化态种类用作氧化还原对。这比RFB具有一个显着的优势,而RFB在每个半细胞中采用了不同的金属氧化还原对,因为通过膜对钒物种的交叉污染不会导致AVRFBS的永久损失,从而导致系统的寿命较短。5,6 AVRFB的原理如图所示 1。 电池的两个半细胞通过质子交换膜(PEM)隔开,该质子交换膜(PEM)促进了通过质子传递的电荷平衡,而电气导体可确保电子的流动。 应该注意的是,也可以使用阴离子交换膜;但是,PEM是最常用的膜。 7–9因此,阴离子交换膜将5,6 AVRFB的原理如图1。电池的两个半细胞通过质子交换膜(PEM)隔开,该质子交换膜(PEM)促进了通过质子传递的电荷平衡,而电气导体可确保电子的流动。应该注意的是,也可以使用阴离子交换膜;但是,PEM是最常用的膜。7–9因此,阴离子交换膜将
摘要 超级电容器越来越多地用作储能元件。与电池不同,它们的充电状态对正常工作时的电压有相当大的影响,使它们能够从零工作到最大电压。在本文中,根据这些设备的工作电压,对其能效进行了理论和实践分析。为此,对几个超级电容器进行了充电和放电循环,直到电流和电压的测量值稳定下来。此时计算了它们的能量效率。这些充放电循环是在以下情况下进行的:i)充电和放电之间不休息;ii)两个阶段之间休息几分钟。利用从测试中获得的信息,绘制了能量效率与最小和最大工作电压的关系图。通过查阅数据和图表,可以获得优化这些设备能效的理想工作电压。
作为H441,H459或H471安全召回的车辆召回的车辆随后经历了热超载。诊断软件更新已被确定为为2019年的美国车辆提供适当的保护水平。作为一项临时措施,召回的车辆将收到软件更新,将EV电池的最大充电状态更改为80%。正在开发一种永久补救措施,并在适当的时候通知。
电穿孔会导致细胞膜通透性暂时增加,并导致兴奋细胞和非兴奋细胞的跨膜电压 (TMV) 发生长时间变化。然而,这些 TMV 变化的机制仍有待完全阐明。为此,我们使用 FLIPR 膜电位染料将两种不同的细胞系暴露于单个 100 µ s 电穿孔脉冲后,在 30 分钟内监测 TMV。在表达极低水平内源性离子通道的 CHO-K1 细胞中,脉冲暴露后的膜去极化可以用非选择性漏电流来解释,这种漏电流一直持续到膜重新密封,使细胞能够恢复其静止的 TMV。在表达多种不同离子通道的 U-87 MG 细胞中,我们意外地观察到初始去极化阶段之后的膜超极化,但仅在 33 ◦ C 时发生,而在 25 ◦ C 时未发生。我们开发了一个理论模型,该模型得到了离子通道抑制剂实验的支持,该模型表明超极化在很大程度上可归因于钙激活钾通道的激活。离子通道激活与 TMV 和细胞内钙的变化相结合,参与各种生理过程,包括细胞增殖、分化、迁移和凋亡。因此,我们的研究表明离子通道可能是影响电穿孔后生物反应的潜在靶点。
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全面研究了 O 2 等离子体处理对 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 动态性能的影响。漏极电流瞬态谱表明,经过 O 2 等离子体处理的 HEMT 的电流衰减过程大大减慢并得到缓解。在负栅极偏压应力下,通过 O 2 等离子体处理实现了 10.7 % 的电流崩塌和 0.16 V 的微小阈值电压漂移。此外,HEMT 的电流崩塌比与应力/恢复时间的关系表明,经过 O 2 等离子体处理的 HEMT 在各种开关条件下均具有优异的性能。特别是在高频开关事件中,电流崩塌比从约 50 % 降低到 0.2 %。最后,通过电容-频率测量证明了经过 O 2 等离子体处理的 AlGaN/金属界面的质量,界面陷阱密度 D 估计为 1.39 × 10 12 cm − 2 eV − 1 。这些结果表明,采用 O 2 等离子体处理的 GaN HEMT 是一种在功率开关应用中很有前途的技术。
锂离子电池表现出复杂,非线性和动态电压行为。对其缓慢的动态进行建模是一个挑战,因为涉及多个潜在原因。我们在这里提出了锂离子电池的神经等效电路模型,包括缓慢的电压动力学。该模型使用具有电压源,串联电阻和扩散元件的等效电路。使用神经网络对串联电阻进行参数化。扩散元素基于使用神经网络和可学习参数的参数化的离散形式的Fickian扩散形式。不仅代表沃伯格的行为,还可以灵活地代表电阻器型动力学。在数学上,由此产生的模型由结合了普通和神经微分方程的差分 - 代数方程系统给出。因此,该模型将物理理论(白框模型)和人工智能(Black-Box模型)的概念结合到了组合的框架(Grey-Box模型)。我们将这种方法应用于基于磷酸锂的锂离子电池。模型很好地再现了恒定循环期间的实验电压行为以及脉冲测试过程中的动力学。仅在非常高和非常低的电荷状态下,模拟显着偏离了实验,这可能是由于这些地区的训练数据不足而导致的。
