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transgrid_stable电压波形支撑条件的格式支撑规格
Term Definition AAS Automatic Access Standard AEMC Australian Energy Market Commission AEMO Australian Energy Market Operator BESS Battery Energy Storage System BOP Balance of plant CUO Continuous Uninterrupted Operation DMAT Dynamic Model Acceptance Test FFR Fast Frequency Response FRT Fault Ride Through HiL Hardware in Loop LVRT Low Voltage Ride Through IBR Inverter-based resource GFL Grid Following GFM Grid Forming GFMI Grid Forming Inverter GPS Generator Performance Standard MMIB Multi Machine Infinite Buss NER National Electricity Rules NREL National Renewable Energy Laboratory NSW New South Wales OEM Original Equipment Manufacturer PFR Primary Frequency Response PLL Phase locked loop POC Point of connection POD Power Oscillation Damper Proponent A prospective supplier of SVWSS PSCAD Power Systems Computer Aided Design PSS Power System Stabiliser PV Photovoltaic RL Resistive and Inductive RMS Root Mean Squared ROCOF Rate of change of frequency ROCOV Rate of change of voltage RUG Releasable User Guide SCR Short Circuit Ratio SMIB Single Machine Infinite Bus SOC State of Charge SRAS System Restart Ancillary Service SSS System Strength Service SVWSS Stable Voltage Waveform Support Service SSSP System Strength Service Provider (Transgrid) TOV Temporary Overvoltage Voluntary Specification AEMO's Voluntary Grid-forming Inverter Specification - 2023年5月[1]
电压门控钾通道在与年龄相关的神经退行性疾病中的治疗作用
电压门控离子通道对于膜电位维护，体内平衡，电信号产生和控制Ca 2+流过膜至关重要。在所有离子通道中，神经元兴奋性的关键调节剂是最大的K +通道家族的电压门控钾通道（K V）。由于大脑衰老的ROS高水平，K +通道可能受氧化剂的影响，并且是衰老和神经变性过程的关键。本综述提供了有关研究最多的神经退行性疾病中的通道病的新见解，例如阿尔茨海默氏病，帕金森氏病，亨廷顿疾病或脊椎脑性共济失调。这些神经退行性疾病中的主要受影响的K V通道是K V 1，K V 2.1，K V 3，K V 4和K V 7。此外，为了防止或修复这些神经退行性疾病的发展，已经提出了先前的K V通道调节剂作为治疗靶标。
基于防御方案机制的变电站电压控制电池储能系统 (BESS)
摘要 电池储能系统 (BESS) 可以改善具有各种综合能源的电网的电能质量。BESS 可以调节供需，以维持更稳定、可靠和有弹性的电力系统。连接到电网后，如果在峰值负载期间或发生干扰时电压下降，BESS 可以作为电网上的电压调节器快速响应。因此，该设备设计了一种电压调节方案，以防止由于某些快速电压波动而导致的电压下降和电能质量下降。本研究调查了 BESS 作为电压控制与防御方案机制相结合在雅加达高压网络中的作用。ETAP 建模软件研究了变电站指示处带有 BESS 的几种电压调节系统。结果表明，变电站的 BESS 可以通过电压调节来改善电网的电压质量。
低压景观照明 - CT.gov
变更原因 第 2703.1 条下的几项例外规定含糊不清且已过时。例外 6 豁免“低压景观照明”；然而，康涅狄格州建筑规范中没有定义该术语，从而造成了法律上不必要的模糊性。它留下了一个悬而未决的问题，即应如何解释、遵守和执行该条款。可以假设“低压景观照明”一词是指某些类型的低强度灯具，它们由于体积小和/或流明输出低而不需要屏蔽，然而，这一点并不明确。康涅狄格州建筑规范需要对“低压景观照明”一词做出明确的定义。这项拟议的规范变更将对该术语做出明确的定义并使其与时俱进。市政规范中的大多数“低压景观照明”豁免条款都为这一特定类别的豁免设定了发光上限（以流明或瓦特或 BUG 等级为单位）。1 但是，第 2703.1 条2703.1 没有规定。按照目前的法律规定，每个灯的光输出可能高达 3,200 流明或更高，因为一些“低压”（12 伏）户外照明灯具能够产生超过 3,000 流明的光。（例如，参见 Westgate 12v、32 瓦景观泛光灯。）此拟议的代码更改将为 LED 设置 100 流明的上限或为白炽灯设置 10 瓦的上限，这相当于 100 支蜡烛在一英尺远的地方同时燃烧。应该注意，这种发光水平对于景观照明来说仍然很高。为了精确起见，“低压”不应成为限制某些类型的低强度景观照明的屏蔽要求的标准或度量。流明是规范此类灯具的更好的指标。2此外，Sec. 2703.1 并未对可用于照亮一个景观或一个场地的“低压”灯具数量设定限制。根据现行的康涅狄格州建筑规范，一个景观特征（如树木、灌木、桥梁或池塘）可以由多个灯具照亮，从而在该特征上累积产生非常高的亮度。因此，为无屏蔽“低压景观照明”的流明或瓦数设定合理的上限就显得尤为重要，以限制眩光和不必要的光污染。自 2004 年通过第 2703.1 条以来，照明技术和指标以及光污染水平也发生了重大变化。价格实惠的
由疼痛相关电压门控钠通道提供的扩展药物-靶标相互作用网络的机器学习研究
摘要 疼痛是一个重大的全球健康问题，目前的疼痛治疗方案在有效性、副作用和成瘾可能性方面存在局限性。迫切需要改进疼痛治疗和开发新药。电压门控钠通道，特别是 Nav1.3、Nav1.7、Nav1.8 和 Nav1.9，在神经元兴奋性中起着至关重要的作用，主要在周围神经系统中表达。针对这些通道可能提供一种治疗疼痛的方法，同时最大限度地减少中枢和心脏的不良影响。在本研究中，我们基于疼痛相关的钠通道构建了蛋白质-蛋白质相互作用 (PPI) 网络，并开发了相应的药物-靶标相互作用网络，以识别用于疼痛管理的潜在先导化合物。为了确保可靠的机器学习预测，我们从 PPI 网络中的 1000 多个目标池中精心选择了 111 个抑制剂数据集。我们采用 3 种不同的机器学习算法，结合先进的基于自然语言处理 (NLP) 的嵌入，特别是预训练的变压器和自动编码器表示。通过系统筛选过程，我们评估了 150,000 多种靶向 Nav1.7 和 Nav1.8 钠通道的候选药物的副作用和再利用潜力。此外，我们评估了这些候选药物的 ADMET（吸收、分布、代谢、排泄和毒性）特性，以确定具有接近最佳特性的先导药物。我们的策略为疼痛治疗的药理学开发提供了一个创新平台，有可能提高疗效并减少副作用。
四个中电压应用，其中gan将转换电子设计
•功率供应单元（PSU）。开放计算项目的变化正在增加48V输出的普及；但是，与以前的溶液相比，所需的80V和100V硅溶液的损失（门驱动和重叠损失）明显更高。GAN溶液（例如LMG3100）可以帮助最大程度地减少电感 - 电感 - 伴随阶段（LLC阶段）的同步整流器中的这些损失。•中间总线转换器（IBCS）。此系统将中间电压（48V）从PSU的输出转换为较低的电压，然后将其转换为服务器。随着48V电压级别流行，IBC有助于减少服务器子系统分布期间的I 2 r损失，并启用总尺寸和成本降低总线杆和携带电源的电线。IBCS的缺点是，它们为电源转换增加了另一个步骤，这可能会降低效率。因此，除了OEM正在测试高效率和功率密度的最佳组合外，还要利用高效gan设备（例如LMG2100和LMG3100）等高效GAN设备。•电池备用单元。降压阶段通常将电池电压（48V）转换为总线电压（48V）。当电源线路熄灭并且功率流是双向时，您也可以使用BBU进行电池电源转换。不间断的电源使用此阶段，因为它可以通过直接从电池直接执行DC到DC转换来避免由DC到AC-AC-TO-DC转换造成的损失。
硅MOS电容器中的低压AC电致发光
低功率硅的光源和检测器在易于过程集成的情况下对芯片光子电路具有吸引力。然而，常规的硅发光发射二极管发射光子，该光子在带边缘附近的能量，相应的硅光dectors缺乏响应性。另一方面，先前报道的使用反向偏置二极管的热载体电发光硅设备需要高工作电压。在这里，我们研究了在瞬态电压条件下运行的硅金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化载体电容。在每个电压瞬变期间，在源接触的边缘创建大能带弯曲，远大于稳态下可实现的要素。结果，将电子和孔从单个源对相应的电压瞬变处的硅通道进行效率注入，然后它们随后经过影响电离电离和声子辅助的侧带重组。值得注意的是，我们通过使用20 nm厚的高j门电介质显示低压操作至2.8 V。我们可以通过减少栅极介电厚度来显示进一步的电压缩放，从而为硅光电集成电路提供一个低压平台。
