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水上的高级能力建设计划...
DST在Gangtok锡金大学地质学系的卓越中心正在组织“水资源管理高级培训计划，冰川监测与气候变化研究”。培训计划旨在提高在Cryosphere，水文学和气候变化研究领域工作的专业人员和利益相关者的能力，并提供动手培训。培训计划应包括三周的内部动手训练，其中包括对湖泊和弹簧的地球物理研究，环境数据科学，黑碳引起的辐射强迫，评估冰川湖的GLOF潜力以及用于水文建模的AI/ML。有针对性的参与者研究生，博士学位。学者，博士后研究人员，科学家和利益相关者在水资源管理/冰冻圈/气候变化研究领域工作，可以适用于培训计划。此培训计划可用的座位总数为20。将偏爱具有冰川学/水资源管理/遥感/气候变化研究的先验知识/背景的候选人。旅行和住宿：该培训计划由印度政府科学技术部（DST）完全资助，该计划是在锡金大学地质学系成立的“ DST的卓越中心”。选定的参与者将获得火车票价的报销（AC III Tier）。应为甘托克选定的参与者提供计划。参与者需要带上自己的笔记本电脑。申请程序符合条件的候选人被要求使用链接https://forms.gle/vq5vry64uyjzmy3b9注册并填写在线申请表，最新时间在2025年1月15日之前。候选人选出的培训计划应在2025年1月20日之前告知有关任何查询，请致电 +91-9873122054/ +91-8100420032或发送电子邮件至dstcoe.su@gmail.com。选定的参与者应有权从其机构/组织参加培训计划。赞助教授Jyoti Prakash Tamang教授，锡金大学副校长，Gangtok，Sikkim组织团队Anil Kumar Misra博士Anil Kumar Misra博士。Ranjan，锡金大学地质系副教授Nishchal Wanjari博士，锡金大学地质学系副教授
对欧姆 p-GaN 功率 HEMT 进行预处理，以实现可重复的 Vth 测量
在 GaN HEMT 的可靠性研究中，阈值电压 (V th ) 的波动对监测电漂移提出了挑战。虽然欧姆 p-GaN 等技术可以减轻 V th 波动，但可恢复电荷捕获的问题仍然存在。因此，在进行可靠性研究时采用新颖的特性分析方法至关重要，这样才能测量内在变化而不是即使在未退化的晶体管中也存在的电荷捕获效应。本文阐述的一种方法可以可靠且可重复地测量欧姆 p-GaN 栅极 HEMT GaN 的 V th 。在阈值电压测量之前立即引入专用的栅极偏置曲线以使其稳定。这个预处理阶段需要负偏置电压，然后再施加适当高的电压才能有效。所介绍的新协议也被证明适用于其他 HEMT GaN 结构。
光伏辅助自Vth取消CMOS整流器...
摘要 开发了一种用于射频能量收集的高效 CMOS 整流器（采用 0.18 µ m CMOS 技术）。为了在极低输入功率条件下也能高效运行，采用自 Vth 抵消 (SVC) 和光伏 (PV) 辅助技术的有效组合实现了基于倍压器的整流器。在该整流器中，二极管连接 MOSFET 的阈值电压 (Vth) 由直流偏置电压补偿，该偏置电压不仅由片上 PV 电池产生，还由整流器本身的输出电压产生。因此，即使在低输入功率条件下，整流器也能高效运行。此外，采用了使用简单 pn 二极管的偏置电压限制器来有效调节过度的 Vth 补偿，并在宽功率范围内实现整流器的高运行效率。在输入功率为 − 15 dBm、频率为 1 GHz、输出负载电阻为 10 k Ω 和光照度为 10 mW/m 2 的情况下，射频到直流功率转换效率 (PCE) 达到 30.8%。关键词：能量收集、无线电波、光伏、功率转换效率、整流器分类：能量收集设备、电路和模块
Bapurao B. Shingate博士
9 de Mai。 de 2024 - 生物信息学（学位）。 vth和Vith学期。 （第三年）。 课程结构和课程。 基于选择的信用和分级系统。 MSPORTIL。 muy。 （Jadhav Mia）。9 de Mai。de 2024 - 生物信息学（学位）。vth和Vith学期。（第三年）。课程结构和课程。基于选择的信用和分级系统。MSPORTIL。 muy。 （Jadhav Mia）。MSPORTIL。muy。（Jadhav Mia）。
采用漏电流降低技术的低功耗 FINFET SRAM 的设计和分析
MTCMOS 电路的构造通常如图 2 所示。逻辑电路和电源线之间是高 Vth 的 PMOS 和 NMOS 晶体管。为了实现实时逻辑功能，在系统处于活动状态时激活休眠信号。在休眠模式下，具有较高 Vth 值的晶体管被关闭，以将逻辑电路与电源线分开。在待机状态下，这会将流中的泄漏降低到阈值以下。对于低功耗、高速设备，MTCMOS 可能是制造商的可行选择。在构建具有 MTCMOS 架构的电路时，确定更高阈值晶体管的尺寸是一项重要的考虑因素。在 6T FinFET SRAM 的上部和下部，放置了更高阈值的晶体管，如图 11 所示。这种更高的
90nm高端CMOS技术
90nm 系列包括低功耗 CS100A-LL、高性能 CS100 和通用 CS100A-G，让客户能够灵活地选择合适的技术来区分其产品。CS100 的 HV（高 Vth 晶体管）比 CS100A-G 具有更高的性能和更低的功耗。I/O 范围为 1.8V 至 3.3V，SRAM 存储器单元尺寸小于 1.0µm 2 。
65nm CMOS技术，CS200 / CS200A < / div>
CS200A技术，尤其是从低裂变（LL）的蜂窝电话到服务器或网络设备的超高速度（UHS）的各种晶体管。客户可以将晶体管混合在芯片中以满足他们的需求。65NM家庭由低功率CS200A和高性能CS200组成，使客户具有选择适当的技术以区分产品的功能。CS200的HVT（高VTH晶体管）可实现更高的性能。
通道宽度对顶门自我对准的Coplanar Igzo薄膜晶体管的电气性能降解的定量分析
Dong-Ho Lee 1 , Hwan-Seok Jeong 1 , Yeong-Gil Kim 1 , Myeong-Ho Kim 2 , Kyoung Seok Son 2 , Jun Hyung Lim 2 , Sang-Hun Song 1,* , and Hyuck-In Kwon 1,* Abstract —In this study, a quantitative analysis was conducted on the effects of channel width on electrical performance degradation induced by self-heating stress (SHS) in顶门自我对准的共蓝淀粉锌氧化物（IGZO）薄膜晶体管（TFTS）。从SHS之前和之后获得的转移和电容 - 电压曲线，我们透露，TFT的电性能沿通道长度方向不均匀地降解，并且该降解的程度在具有较宽通道宽度的TFT中更为显着。在制成的Igzo TFT中，SHS下的阈值电压偏移（δVTh）主要归因于Igzo活性区域的浅供体状态的密度和受体样的深状态的增加，并且电子陷入了Sio X Gate Patectric中的快速和慢速陷阱。此外，我们使用基于状态δVTh Th Th的TFTs的TFTS的子仪密度来进行SHS诱导的δv Th起源于每个降解机制。尽管每种降解机制的每一个δv th都随着通道宽度的增加而增加，但增加了电子捕获到Sio X Gate中的慢陷阱
DMX512 解码及驱动IC TM512AE0
特殊说明 TM512AE0 单位 参数名称 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 低电平输出电流 Iol Vo ＝0.4V，ADRO 10 - - mA 高电平输出电流 Ioh Vo ＝4.6V，ADRO 10 - - mA 输入电流 Ii - - ±1 µA 差分输入共模电压 Vcm 12 V 差分输入电流 Iab VDD=5V 28 µA 差分输入临限电压 Vth 0V
ICNS-14 参与者统计
ED1-2 （ 口头 ） 14:45 - 15:00 通过掺杂分布工程提高 p-GaN 栅极 HEMT 的稳健性 Matteo Borga 1 , Niels Posthuma 1 , Anurag Vohra 1 , Benoit Bakeroot 2 , Stefaan Decoutere 1 1 比利时 imec，2 比利时 imec、CMST 和根特大学 ED1-3 （ 口头 ） 15:00 - 15:15 在低 Mg 浓度 p-GaN 上使用退火 Mg 欧姆接触层的横向 p 型 GaN 肖特基势垒二极管 Shun Lu 1 , Manato Deki 2 , Takeru Kumabe 1 , Jia Wang 3,4 , Kazuki Ohnishi 3 , Hirotaka Watanabe 3 , Shugo Nitta 3 , Yoshio Honda 3 , Hiroshi Amano 2,3,4 1 日本名古屋大学工程研究生院、2 日本名古屋大学深科技系列创新中心、3 日本名古屋大学可持续发展材料与系统研究所、4 日本名古屋大学高级研究所 ED1-4（口头） 15:15 - 15:30 高 VTH E 模式 GaN HEMT 具有强大的栅极偏置相关 VTH 稳定性掺镁 p-GaN 工程 吴柯乐 2 , 杨元霞 2 , 李恒毅 2 , 朱刚廷 2 , 周峰 1 , 徐宗伟 1 , 任方芳 1 , 周东 1 , 陈俊敦 1 , 张荣 1 , 窦友正 1 , 海陆 1 1 南京大学, 中国, 2 科能半导体有限公司, 中国 ED1-5 （口头报告） ） 15:30 - 15:45 EID AlGaN/GaN MOS-HEMT 中 Al 2 O 3 栅氧化膜下的电子态分析 Takuma Nanjo 1 , Akira Kiyoi 1 , Takashi Imazawa 1 , Masayuki Furuhashi 1 , Kazuyasu Nishikawa 1 , Takashi Egawa 2 1 Mitsubishi electric Corporation, Japan, 2 Nagoya Inst.日本科技大学