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芯片到晶圆 (d2w) 键合解决方案
直接键合技术不断发展，以应对“更多摩尔”和“超越摩尔”的挑战。自 20 世纪 90 年代绝缘体上硅 (SOI) 技术的出现以来，CEA-Leti 已在直接键合方面积累了丰富的专业知识。从那时起，CEA-Leti 团队一直在积极创新直接键合，以拓宽应用领域。该技术基于室温下两个紧密接触的表面之间的内聚力。然后，范德华力（氢键）和毛细桥产生所需的粘附能。键合后退火将弱键转变为共价键，最终形成一块材料。随着混合键合的出现，直接键合现在不仅解决了基板制造问题，还解决了 3D 互连领域的问题。本文介绍了 CEA-Leti 开发的不同直接键合技术及其在微电子行业和研发中的应用。在文章的第一部分，简明扼要地介绍了直接键合物理学。然后，概述了最先进的键合技术，包括晶圆对晶圆 (WTW) 混合键合、芯片对晶圆 (DTW) 混合键合和 III-V 异质键合。针对合适的应用领域，比较了每种技术的优势、挑战、应用和利害关系。第三部分重点介绍 CEA-Leti 在 ECTC 2022 和 ESTC 2022 上展示的最新混合键合 D2W 结果。讨论了集成挑战以及专用设备开发的作用。最后一部分介绍了潜在的市场和相关产品，并以具有硅通孔 (TSV) 和多层堆叠的芯片为例。
晶圆粘结后的晶圆边缘平面化
使用Tencor的HRP-250来测量轮廓。使用了来自Cabot的SS12和来自AGC的CES-333F-2.5。在将晶片粘合到粘合之前（氧化物到氧化物和面对面），将顶部晶圆的边缘修剪（10毫米），并同时抛光新的斜角。这可以防止晶片边缘在磨/变薄后突破[1]。将晶圆粘合后，将散装硅研磨到大约。20 µm。之后，通过反应性离子蚀刻（RIE）将粘合晶片的剩余硅移到硅硅基（SOI） - 底物的掩埋氧化物层（盒子）上。另一个RIE过程卸下了2 µm的盒子。之后，粘合晶片的晶圆边缘处的台阶高为3 µm。随后沉积了200 nm的氮化物层，并使用光刻和RIE步骤来构建层。此外，罪被用作固定晶片的si层的固定。必须将设备晶圆边缘的剩余步骤平面化以进行进一步的标准处理。为此，将剩余的罪硬面膜（约180 nm）用作抛光止损层。在平面化之前，将4500 nm的Pe-Teos层沉积在罪恶上。这有助于填充晶圆的边缘。在第一种抛光方法中，将氧化物抛光至残留厚度约为。用SS12泥浆在罪过的500 nm。在这里，抛光是在晶片边缘没有压力的情况下进行的。然后将晶圆用CEO 2泥浆抛光到罪。用CEO 2浆料去除氧化物对罪有很高的选择性，并且抛光在罪恶层上停止。第一种抛光方法花费的时间太长，将氧化物层抛光至500 nm的目标厚度。此外，在抛光SIO 2直到停止层后，用SS12稍微抛光了罪。最后，高度选择性的首席执行官2 -lurry用于抛光罪。结果表明，步进高度很好，但是弹药范围很高（Wafer＃1）。第二种方法的抛光时间较小，并在500 nm上停在SIO 2上，而最终的抛光和首席执行官2 -slurry直至罪显示出良好的步进高度，并具有更好的罪恶晶圆范围（Wafer＃2）。
2021 年 InP 晶圆、外延片和器件市场
3) 市场趋势 89 市场细分 InP 行业：发展时间表 InP 应用市场概览 技术概览、每种应用的经济要求 4) 市场份额和供应链 188 光子学和射频应用的 InP 供应链和商业模式 主要参与者和格局 不同地理区域主要晶圆和外延片参与者的映射 InP 裸片市场份额 打开 InP 外延片市场份额 InP 晶圆市场份额 公司简介：II-V、Lumentum、LandMark、Sumitomo、AXT、InPact、Denselight、Smart Photonics 5) InP 技术趋势 215 器件 • 基于 InP 的器件概览：光子学、集成 SiPh 和 PIC 和 RF 器件 外延 • 外延生长方法 • 关注 DFB 外延生长 • 讨论外延要求 晶圆 • InP 晶体生长方法 • 晶圆精加工 • 基板尺寸和类型 6) 展望 286 总结 7) 附录 291 8) Yole 集团公司介绍
HF/H2O中硅片减薄的刻蚀特性...
R. Ariff a,b , CK Sheng a,* a 马来西亚登嘉楼大学科学与海洋环境学院，21030 Kuala Nerus，登嘉楼，马来西亚。b 马来西亚登嘉楼大学海洋工程技术与信息学学院，21030 Kuala Nerus，登嘉楼，马来西亚。使用酸性或氟化物溶液对硅表面进行湿法蚀刻具有技术和基础意义，这对于生产用于微电子封装所需厚度的可靠硅芯片至关重要。在这项工作中，我们研究了湿法蚀刻对浸入 48% HF/水溶液中的硅晶片的厚度耗散、重量损失、蚀刻速率、表面形貌和晶体性质的影响。蚀刻速率是通过蚀刻重量损失和深度随时间的变化确定的。结果表明，随着蚀刻时间的增加，硅的厚度减少和重量损失增加。在高分辨率光学显微镜下可以在蚀刻后的硅晶片表面观察到粗糙的表面。从 XRD 分析可以看出，蚀刻后硅的结晶峰强度变弱，这意味着硅衬底上形成的非晶结构表面的光散射减少。毕竟，这一发现可以作为生产可靠的硅薄晶片的参考，这对于更薄的微电子器件制造和纳米封装至关重要，从而减少环境污染和能源消耗，实现未来的可持续发展。（2021 年 3 月 27 日收到；2021 年 7 月 7 日接受）关键词：湿法蚀刻、Si、蚀刻速率、HF、H 2 O
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科学，技术与研究机构（A*Star）是新加坡的首席公共部门研发机构。通过公开创新，我们与公共部门和私营部门的合作伙伴合作，使经济和社会受益。作为一个科学技术组织，一颗*星星弥合了学术界与行业之间的差距。我们的研究为新加坡创造了经济增长和就业机会，并通过改善医疗保健，城市生活和可持续性的社会成果来改善生活。A*星在培养更广泛的研究社区和行业的科学人才和领导者方面起着关键作用。A*Star的研发活动涵盖生物医学科学和工程学，研究实体主要位于Bioporis和Fusionpolis。有关正在进行的新闻，请访问www.a-star.edu.sg。
消除半导体晶圆清洗中的腐蚀担忧
客户利益 在安装过程中，采用了 GF 管路系统提供的多种专业解决方案，例如 ProSite 和 Engineering，提供相关专业知识。客户获得了专业知识支持，并在有限的空间内构建了塑料管道模块，同时保持了所有组件的高纯度。除了根据其对高纯度和耐化学性的需求获得合适的可持续解决方案外，ASE 还通过依赖 GF 管路系统作为一站式解决方案提供商，而不是与多家供应商协调，与以前的项目相比节省了 10% 的工作时间。从长远来看，轻便、非常耐用且无腐蚀的管道系统将减少韩国晶圆清洁业务的维修需求和总体成本。
晶圆级光学制造
市场新闻6微型芯片收入达到2024年的23亿美元微电子新闻8 Qorvo，以创建异质的集成包装RF生产和原型化中心； acquires UWB software provider 7Hugs Labs • Imec's Advanced RF program to develop 6G device technology Wide-bandgap electronics News 16 ROHM and UAES open joint lab in Shanghai •Infineon launches first 1200V transfer-molded SiC integrated power module •GTAT to supply SiC boules to Infineon •DENSO adopts SDK's 150mm SiC epiwafers Altum wins two-year ESA合同•HRL目标是首先W波段N极高的低噪声放大器•EPC增强了欧洲销售团队•200mm Wafers材料和加工设备新闻35 AXT合并Boyu和Jinmei的IGAN和A-PRO共同开发650V GAN设备；从Dingxing•GlobalWafers接管Siltronic•Umicore合格的VCSELS 6英寸GE Wafers•IQE开发IQGEVCSEL 150技术；创始人纳尔逊（Nelson）将放弃首席执行官角色•血浆 - 塞姆（Plasma-therm）获得OEM的PVD，RTP和Etch Business Led News 52 Aledia在300mm硅Wafers上生产首个微型筹码•Porotech•Porotech推出了首个原住民Red Ingan LED Epiwafer for Micro-Newss•Osram unde usram unde usirs•OSR uviirs usecers•OSR uv-cyers usectron uv-cyecron uv-cyecron uv-cyers usecron uv-cyecron， SLD Laser •ROHM develops VCSEL module technology • NUBURU raises $20m • Hitachi High-Tech acquires VLC Photonics Optical communications News 68 POET unveils first flip-chip directly modulated lasers • Lumentum acquires TriLumina assets •Ayar Labs raises $35m • Lumentum sampling first 100G PAM4 directly modulated lasers Photovoltaics News 86 NREL和UNSW提高了两连通效率的记录，至32.9％
研究局部光子退火对硅晶片中应力的影响
使用三重晶体X射线衍射研究了光子退火对硼掺杂CZ-SI晶状体晶体结构中变形的影响。具有卤素灯灯（光子退火模式）和快速热退火的双面抛光硅晶片的整个表面的常规退火产生压缩变形。在相对较低的晶圆温度下（小于55°C），使用特殊的光电板将多个分离的晶圆区域（局部光子退火模式）提供局部退火，可产生拉伸变形。但是，如果退火晶片的反向侧面包含机械固定层，则不会观察到这种效果。已经提出了一种解释实验结果的机制，可用于合成光电转换器结构中的电荷泵。