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高Q差距MetaSurfaces驱动的总频率生成...
图3。sfg对（a）泵梁从855到880 nm的不同波长的光谱依赖性，以及（b）1525至1565 nm的信号梁。在前一种情况下，信号的波长固定为1545 nm，而在后一种情况下，泵的波长固定在875 nm处。在（a）和（b）所示的光谱中，将泵和信号梁设置为极化状态，从而提供最大的非线性发射。（c）由元表面（彩色线）产生的三种非线性排放的强度，与SHG 2 P，SFG和SHG 2 S相对应，以及差距半导体材料的灭绝系数（带正方形的灰色线）作为波长的功能。插图中显示了与SFG非线性过程相对应的能级图。（d）SFG强度是泵梁（底部）和信号梁（顶部）中平均功率的函数。实验数据（在对数字图中显示的实验数据）表明SFG具有泵和信号梁的功率的线性依赖性。
B.Sc 物理学 2016-17.pdf - Adikavi Nannaya 大学
叠加原理 – 相干性 – 时间相干性和空间相干性 – 光干涉的条件。菲涅尔双棱镜 – 光波长的测定 – 反射时相位的变化。由于反射和透射光（余弦定律）而导致的平面波在薄膜上的斜入射 – 薄膜的颜色 – 具有两个非平行反射表面的薄膜的干涉（楔形薄膜）。金属丝直径的测定，反射光中的牛顿环。迈克尔逊干涉仪，使用牛顿环和迈克尔逊干涉仪测定单色光的波长。
为什么高频材料具有不同的DK值
还有另一个与电路大小有关的DK。通常，使用DK值较低的材料的电路比使用具有更高DK值的材料的电路具有更长的波长。许多RF应用对波长非常敏感，电路特征的设计通常基于波长的一部分。举例来说，旨在共振剂的纤维结构通常被设计为具有与一半波长有关的物理大小，以期与预期的共振频率相关。在此示例上扩展，如果RF电路设计的目的是在3.6 GHz处具有共鸣峰，则使用20米的材料；材料的DK值为3.66，因此谐振元件的长度应约为0.97英寸（24.6mm）。但是，在相同的比较和唯一的区别的情况下，材料的DK值为6.4，谐振元件的长度将减小为0.77”（19.6 mm）。的尺寸降低约20％，如果使用材料为11.2的材料，则尺寸降低了37％。使用
定向能武器.pdf
假设指向精度具有特定程度，激光对任何类别目标的致死性将由功率水平，波长和光学维度确定。这些因素通常在设计整体系统时交易。较短的波长使设计人员能够使用较小的功率或较小的光学尺寸，并且仍然达到所需的致死性，尽管大气湍流的效果在较短的波长下更为明显。较高的功率或更大的光学元件可以在较长的波长下实现相同的效果，而降解较少。但是，这些参数中的每个参数都有限制。例如，在大气中在任何给定波长中工作的激光将具有定义其最大杀伤力的“临界功率水平”。在较高的功率水平下，与大气相互作用导致的光束降解实际上会减小沉积在目标上的能量。高功率输出也可以超过光学系统的公差，从而导致系统故障。15
tcs230 可编程彩色光频转换器
注释：3.光学测量是使用发光二极管 (LED) 光源的小角度入射辐射进行的。4.470 nm 输入辐照度由具有以下特性的 I nGaN 发光二极管提供：峰值波长 λ p = 470 nm、光谱半宽 ∆λ ½ = 35 nm，发光效率 = 75 lm/W。5.524 nm 输入辐照度由具有以下特性的 I nGaN 发光二极管提供：峰值波长 λ p = 524 nm、光谱半宽 ∆λ ½ = 47 nm，发光效率 = 520 lm/W。6.565 nm 输入辐照度由具有以下特性的 GaP 发光二极管提供：峰值波长 λ p = 565 nm、光谱半宽 ∆λ ½ = 28 nm、发光效率 = 595 lm/W。7.635 nm 输入辐照度由具有以下特性的 Al I nGaP 发光二极管提供：峰值波长 λ p = 635 nm、光谱半宽 ∆λ ½ = 17 nm、发光效率 = 150 lm/W。8.辐照度响应度 R e 的特征范围为 0 至 5 kHz。9.饱和辐照度 = (满量程频率)/(辐照度响应度)。10.照度响应度 Rv 是使用注释 4、5 和 6 中所述的 LED 发光效率值并使用 1 lx = 1 lm/m 2 ，根据辐照度响应度计算得出的。11.非线性定义为 f O 与零点和满量程之间的直线的偏差，以满量程的百分比表示。
使用可变路径长度技术的蛋白质浓度和药物抗体比（DAR）的ADC平台的验证
用于控制Solovpe的VIPER软件最近更新了，以添加应用程序指定的cally来执行和计算DAR。该应用程序要求分析师在280nm和药物接头波长时输入药物接头的波长（该药物接头的248nm）和灭绝系数。该软件在10个不同的路径长度下测量吸光度并绘制结果。然后使用斜率值来计算抗体和药物接头的摩尔浓度，以替换方程4和5中的吸光度值。通过将摩尔药物接头浓度除以摩尔抗体浓度来计算DAR。
二维铂二硒化物波导集成红外光电探测器
摘要：低成本、易于集成的硅 (Si) 光子学光电探测器 (PD) 仍然是光子集成电路 (PIC) 的瓶颈，特别是对于 1.8 μ m 以上的波长。多层铂硒化物 (PtSe 2 ) 是一种半金属二维 (2D) 材料，可以在 450°C 以下合成。我们通过在 Si 波导上保形生长直接集成基于 PtSe 2 的 PD。PD 在 1550 nm 波长下工作，最大响应度为 11 mA/W，响应时间低于 8.4 μ s。1.25 至 28 μ m 波长范围内的傅里叶变换红外光谱表明 PtSe 2 适用于远至红外波长范围的 PD。我们通过直接生长集成的 PtSe 2 PD 优于通过标准 2D 层转移制造的 PtSe 2 PD。红外响应性、化学稳定性、低温下选择性和保形生长以及高载流子迁移率的潜力相结合，使 PtSe 2 成为光电子和 PIC 的有吸引力的 2D 材料。关键词：铂硒化物、光电探测器、硅光子学、二维材料、红外 ■ 简介
doi：10.29026/oes.2024.230035高分辨率直接激光写作的H-Line超临界金属
超临界透镜（SCL）可以打破远场中的衍射极限，并已证明用于高分辨率扫描共共共聚焦成像。在紫罗兰或紫外线（UV）波长时，其在较尖锐的焦点和类似针状的长焦点深度方面应允许高分辨率光刻，但是，从未实验证明这一点。作为概念证明，在本文中，在405 nm（h-line）波长下运行的波长较小，其全尺寸最大的最大最大量度比传统的壁球镜头比传统的侧脚镜头更长，而焦点的深度则更长，同时将受控的侧面裂片保持直接签名（DLW）的直接写作（DLW）光刻。氮化铝（ALN）具有高折射率和紫外线范围内低损失的铝（ALN）用于制造金属人的基于纳米乳鼠的跨质体结构。使用具有子划分限制的焦点功能的SCL制造具有改进音高分辨率的光栅阵列。DLW短波长的SCL的基于ALN的元表面可以进一步扩展到紫外线或深紫外线光刻，并且可能引起研究和行业应用的极大兴趣。