XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemwbg
报告编号
CC 协调中心 CCDR 国家气候与发展报告 DBSA 南部非洲开发银行 DRC 刚果民主共和国 EPC 工程、采购和建设 ESMF 环境和社会管理框架 ESIA 环境和社会影响评估 ESMP 环境和社会管理计划 F/S 可行性研究 GDP 国内生产总值 IDA 国际开发协会 IFR 中期财务报告 IPOE 独立专家小组 IPPF 基础设施项目准备基金 IRP 综合资源计划 ISR 实施状况和结果报告 MDTF 多方捐助者信托基金 MTR 中期审查 NEPAD 非洲发展新伙伴关系 NPV 净现值 PAD 项目评估文件 PAT 项目加速小组 PAU 项目咨询组 PDO 项目发展目标 PIDA 非洲基础设施发展计划 PPA 电力购买协议 PPDF 项目准备发展基金 RTIFF 区域输电基础设施融资基金 SADC 南部非洲发展共同体 SAPP 南部非洲电力联盟 SAPP-AREP SAPP 加速区域能源/转型项目计划 STEP 采购交易的系统跟踪 WB世界银行 WBG 世界银行集团 ZTK 赞比亚-坦桑尼亚-肯尼亚输电互连系统
环境和社会管理框架 ESMF ...
AIIB：亚洲基础设施投资银行 BESS：电池储能系统 CDP：储蓄与收益 CTF：清洁技术基金 CS：通信专家 EHS：环境健康与安全 EPA：环境保护局 ESMP：环境与社会管理计划 ESMF：环境与社会管理框架 ESIA：环境与社会影响评估 ESF：环境与社会框架 ESO：环境与社会官员 ESS：环境与社会保障专家或环境与社会标准 EPPA：马尔代夫环境保护和保存法 EV：电动汽车 FSPV：浮动太阳能光伏 GAP：性别行动计划 GBV：基于性别的暴力 GoM：马尔代夫政府 IC：岛屿理事会 IDA：国际开发协会 IEE：初步环境审查 IFC：国际金融公司 IFI：国际金融机构 IPP：独立电力生产商 LMP：劳动力管理程序 ME：环境部 MIGA：多边投资担保机构 O&M：运营与维护 PA：保护区 PAD：项目评估文件 PMU：项目管理单位 PV：光伏 PQ：资格预审 RE：可再生能源 SCADA：监控与数据采集 SEP：利益相关方参与计划 STELCO：国家电力有限公司 VRE：可变可再生能源 WBG：世界银行集团 WB：世界银行
ESMF 出现
AIIB：亚洲基础设施投资银行 BESS：电池储能系统 CDP：储蓄与收益 CTF：清洁技术基金 CS：通信专家 EHS：环境健康与安全 EPA：环境保护局 ESMP：环境与社会管理计划 ESMF：环境与社会管理框架 ESIA：环境与社会影响评估 ESF：环境与社会框架 ESO：环境与社会官员 ESS：环境与社会保障专家或环境与社会标准 EPPA：马尔代夫环境保护和保存法 EV：电动汽车 FSPV：浮动太阳能光伏 GAP：性别行动计划 GBV：基于性别的暴力 GoM：马尔代夫政府 IC：岛屿理事会 IDA：国际开发协会 IEE：初步环境审查 IFC：国际金融公司 IFI：国际金融机构 IPP：独立电力生产商 LMP：劳动力管理程序 ME：环境部 MIGA：多边投资担保机构 O&M：运营与维护 PA：保护区 PAD：项目评估文件 PMU：项目管理单位 PV：光伏 PQ：资格预审 RE：可再生能源 SCADA：监控与数据采集 SEP：利益相关方参与计划 STELCO：国家电力有限公司 VRE：可变可再生能源 WBG：世界银行集团 WB：世界银行
高频无线电力传输技术特刊无线电力传输（WPT）技术在众多领域中越来越重要
高频无线电力传输技术特刊 无线电力传输 (WPT) 技术在众多新兴应用中越来越重要，包括交通电气化、电网、消费电子、医疗和太空。其非接触性质使其在高温、水下、地下和外层空间等具有挑战性的环境条件下具有优势。当前 WPT 系统的性能与开关频率密切相关，开关频率是功率容量、功率密度和效率的关键决定因素。随着宽带隙和超宽带隙器件 (WBG 和 UWBG) 的快速发展，最新的半导体能够在高功率水平下实现高开关频率，从而为 WPT 系统提供能量。此外，大多数关于高频 WPT 的单独报告都没有考虑如何在批量生产中制造谐振器，而单个谐振器是针对测试进行调整的，这不适合工业批量生产。本期特刊积极征集针对广泛功率水平范围内高频 WPT 技术的前沿研究贡献。通过展示最新进展，我们旨在突破当前限制当代 WPT 系统频率和功率水平的界限。我们邀请研究人员为此做出贡献，并促进这一充满活力的领域的进一步创新。
索马里联邦共和国
ASAL Arid and Semi-Arid Land CBO Community-based organization CoC Code of Conduct CSO Civil society organization DG Director General ESF Environment and Social Framework ESIRT Environmental and Social Incident Reporting ESMF Environmental and Social Management Framework ESS Environment and Social Standards FGS Federal Government of Somalia FMS Federal Member State FPIC Free, prior, informed consent GBV Gender-based Violence GRC Grievance Redress Committee GM Grievance Mechanism GRS Grievance纠正系统IDP IDPS内部流离失所者LMP劳动力管理程序M＆E监控和评估MDA部委，部门，部门和机构MOEWR能源和水资源部MOF金融部非政府组织非政府组织NPCU NPCU国家项目协调委员残疾RPF安置计划框架SEAH性剥削，滥用和骚扰SEP利益相关者参与计划SPIU州项目实施单位TOR参考水洗水和卫生hygeine hygeine hygeine hygeine hygeine hygeine hygeine wbg世界银行集团
ida20-从危机中更好地建立危机：朝着绿色
i。国际社会正在与最贫穷的国家团结一致，以帮助他们应对2019年持续的冠状病毒病（COVID-19）大流行，弥补发展损失，并从危机中改造更好。COVID-19危机对发展产生了毁灭性的影响，加剧了现有的风险，并继续为世界上最贫穷的国家带来新的挑战。国际发展协会（IDA20）的第二十届补充重新确认国际社会支持IDA国家的承诺应对危机所带来的挑战，并使他们重回朝着可持续发展目标（SDGS）和世界银行集团（WBG）的双重目标迈向最终贫困目标，以最终的极端贫困，并以一种可持续的方式促进共享繁荣。为了减轻IDA国家所面临的压力，IDA代表和借款人代表（“参与者”）在2021年2月同意，通过将IDA补给（IDA19）从FY23到FY22和FY 22的第19和Trunctunct的第19名补给品的Frant Lofice fort frant Loads的资源大大增加了22财年和23财年的IDA国家的财务支持。该决定意味着IDA20补给已提前一年，以涵盖2022年7月1日至2025年6月30日。将IDA19周期的缩短缩短了一年，进一步使IDA20的剩余时间为110亿美元。本报告总结了参与者对IDA20支撑的政策，融资和结果框架提供的指导。
加纳绿色企业的激励套餐
Acronym Meaning CSOs Civil Society Organisations CSC Climate Smart Cocoa EPA Environmental Protection Agency ERPA Emission Reductions Payment Agreement GDP Gross Domestic Product GEA Ghana Enterprise Agency GCFRP Ghana Cocoa-Forest REDD+ Programme GETP Ghana Economic Transformation Project GEF Global Environment Facility GCIC Ghana Climate Innovation Centre GoG Government of Ghana GSGDA Ghana Shared Growth and Development Agenda GrEEn Green Employment and Enterprise Opportunities in Ghana ITA Income Tax Act IUCN International Union for Conservation of Nature (IUCN) IKI International Climate Initiative IRENA International Renewable Energy Agency IPCC Intergovernmental Panel on Climate Change MESTI Ministry of Environment, Science, Technology and Innovation MoF Ministry of Finance MoTI Ministry of Trade and Industry MoI Ministry of Information MSMEs Micro, Small and Medium Enterprises NEIP National企业家和创新计划NSWMS国家固体废物管理策略PFI参与金融机构REDD+减少森林砍伐和森林退化的排放量
用于生物医学应用的宽带隙半导体可拉伸 3D 微结构的工程路线 (Adv. Funct. Mater. 34/2023)
宽带隙 (WBG) 半导体引起了广泛的研究兴趣，用于开发广泛的柔性电子应用，包括可穿戴传感器、软逻辑电路和长期植入式神经调节器。传统上，这些材料在标准硅基板上生长，然后使用机械冲压工艺转移到软聚合物上。该技术可以在转移后保留宽带隙材料的优异电学性能并实现柔性；然而，与三维生物系统相比，大多数设备受到二维配置的限制，其机械拉伸性和形态有限。本文提出了一种无冲压微加工工艺，首次实现了三维柔性可拉伸宽带隙电子器件。该方法在独立纳米膜的两侧都应用光刻技术，可以直接在标准硅晶片上形成柔性结构，以调整材料的光学透明度和机械性能。随后，柔性器件从支撑基板上分离，并进行受控机械屈曲，将宽带隙半导体的二维前体转变为复杂的三维中尺度结构。制造具有三维架构的宽带隙材料的能力，这些材料具有器件级可拉伸性，并具有多模传感能力，将极大地促进先进三维生物电子界面的建立。
地方商业准备 (B-READY) 手册和指南
ACS 活动完成摘要 ADM 问责和决策 AEM Adobe Experience Manager AIN 活动启动说明 API 应用程序编程接口 AS 咨询服务 ASA 咨询服务和分析 BPSVP 预算、绩效、审查和战略规划部 B-READY 商业就绪 CL 国家负责人 CMU 国家管理部 CPF 国家伙伴关系框架 CRM 客户关系管理 CPSD 国家私营部门诊断 DEC 发展经济学副行长 DECBE B-READY 部 DECEA 企业分析部 DECIG 发展经济学全球指标组 DECSN 次国家 B-READY 部 DRM 决策审查会议 EBC 道德和商业行为部 ECR 对外和企业关系 ED 执行董事 EFO 外部资助成果 EIJ 道德和内部司法 EU 欧洲联盟 IFC 国际金融公司 IFC AS 国际金融公司咨询服务 GP 全球实践 ITS 信息和技术解决方案 LEG 法律副行长 MCICP 多国投资环境计划 M&E 监测和评估 OLC 开放学习园区 OPCS 运营政策和国家服务 PR 进度审查 RAS 可报销咨询服务RM 资源管理 STC 短期顾问 TL 主题负责人 TTL 任务组组长 VPU 副行长单位 WBES 世界银行企业调查 WBG 世界银行集团
宽带隙器件特刊社论：设计、制造和应用
新兴的宽带隙 (WBG) 半导体有望推动全球产业发展，就如同 50 多年前硅 (Si) 芯片的发明推动了现代计算机时代的到来一样。基于 SiC 和 GaN 的器件正开始变得更加商业化。与同类的基于 Si 的元件相比，这些 WBG 器件更小、更快、更高效，在更严苛的操作条件下也能提供更高的可靠性。此外，在此框架下，一种新型微电子级半导体材料被创造出来，其带隙甚至比之前建立的宽带隙半导体（如 GaN 和 SiC）还要大，因此被称为“超宽带隙”材料。这些材料包括 AlGaN、AlN、金刚石和 BN 氧化物基材料，它们在理论上具有更优越的性能，包括更高的临界击穿场、更高的工作温度和潜在的更高辐射耐受性。这些特性反过来又使得革命性的新器件可用于极端环境成为可能，例如高效功率晶体管（因为巴利加品质因数有所提高）、超高压脉冲功率开关、高效 UV-LED、激光二极管和 RF 电子设备。本期特刊发表了 20 篇论文，重点关注基于宽带隙的器件：设计、制造和应用。三篇论文 [1-3] 涉及未来 5G 应用和其他高速高功率应用的 RF 功率电子设备。其中九篇论文 [4-12] 探讨了宽带隙高功率器件的各种设计。其余论文涵盖了基于宽带隙的各种应用，如用于提高 GaN 基光子发射器光子提取效率的 ZnO 纳米棒 [13]、InGaZnO 薄膜晶体管 [14]、宽带隙 WO3 薄膜 [15]、银纳米环 [16、17] 和 InGaN 激光二极管 [18-20]。特别是在 RF GaN 器件方面，Kuchta 等人 [1] 提出了一种基于 GaN 的功率放大器设计，该设计降低了透射率畸变。Lee 等人 [2] 展示了一种用于 2.5 至 6 GHz 干扰系统的紧凑型 20 W GaN 内部匹配功率放大器，它使用高介电常数基板、单层电容器和分流/串联电阻器实现低 Q 匹配和低频稳定。 Lin 等人 [3] 通过集成厚铜金属化层实现了 Ka 波段 8.2 W/mm 的高输出功率密度。关于 GaN 功率器件，Wu 等人 [4] 研究了一种双 AlGaN 势垒设计以实现增强模式特性。Ma 等人 [5] 介绍了一种使用 GaN 的数字控制 2 kVA 三相分流 APF 系统。Tajalli 等人 [6] 通过进行缓冲分解研究了 GaN-on-Si 外延结构中垂直漏电和击穿的起源。可以确定每个缓冲层与垂直漏电和击穿电压相关的贡献。Sun 等人 [7] 研究了 GaN-on-Si 外延结构中垂直漏电和击穿电压的分布。[7] 提出了一种利用 TCAD 实现常关型 GaN HEMT 的新方法。该概念基于将栅极沟道方向从长水平方向转置为短垂直方向。Mao 等 [8] 在 IGBT 的集电极侧引入了一部分 p-polySi/p-SiC 异质结，以在不牺牲器件其他特性的情况下降低关断损耗。Kim 等 [9] 实现了 SiC 微加热器芯片作为下一代功率模块的新型热评估设备，并评估了其耐热性能。