摘要:基于应变的带结构工程是一种强大的工具,可以调整半导体纳米结构的光学和电子特性。我们表明,我们可以调整INGAAS半导体量子井的带结构,并通过将其整合到卷起的异质结构中并改变其几何形成,从而改变发光的光线。来自光致发光和光致发光激发光谱的实验结果表明,由于重孔在卷起的Ingaas量子井中的轻孔状态与轻孔的反转,价带状态的强型能量转移与结构相比具有强大的能量转移。带状态的反转和混合会导致滚动量子井的光学选择规则发生强烈的变化,这些量子井也显示出传导带中消失的自旋极化,即使在近乎谐振的激发条件下也是如此。的频带结构计算以了解电子过渡的变化,并预测给定几何构造的发射和吸收光谱。实验与理论之间的比较表明了一个极好的一致性。这些观察到的基本属性的深刻变化可以作为开发量子信息技术新颖的光学设备的战略途径。关键字:频带结构反演,半导体量子井,光学选择规则,滚动微管,拉伸和压缩混合状态,弯曲的半导体膜■简介
除非另有说明,本演示文稿中的信息均基于截至本新闻稿日期的当前预期。我们实际的未来业务和财务表现可能与我们在任何前瞻性声明中表达的预期存在重大差异。我们不承担因任何原因修改或公开更新我们的前瞻性声明或本演示文稿的义务。尽管我们的预期和信念基于合理的假设,但实际结果可能存在重大差异。可能影响我们业绩的因素已列在我们的某些新闻稿中,并在公司最新的 10-K 和 10-Q 表以及向美国证券交易委员会提交的其他公开文件中披露。
*Corpsontding作者:Michele Ortolani,生命中心Nano&Neuro Science,意大利理工学院,Viale Regina Elena 291,00161,意大利罗马;和物理系“ Sapienza”罗马大学,Piazzale Aldo Moro 2,00185,意大利罗马,电子邮件:michele.ortolani@roma@roma1.infn.it。https://orcid.org/0000-0002-7203-5355 Elena运动,Enrico Talamas Simola,Gaspare的Luciana和大学科学系Monica de Seta;在罗马研究中,Viale G. Marconi 446,罗马00146,意大利,电子邮件:elena.campagna@uniroma3.it(E。竞选),Enrico.talamassimola@uniroma@uniroma@uniroma3.it(E。Talamas Simola)。https://orcid.org/0000-0001-7121-8806(E.广告系列)。 https://orcid.org/0000-0001-5468-6712(E. Talamas Simola)Tommaso Venanzi,意大利技术研究所,意大利技术研究所,Viale Regina Elena 291,00161 Rome,00161 ROME,00161 ROME,EMMAN,EMMAN:和莱昂内塔·巴尔达萨尔(Leonetta Baldassarre Technologiepark 25,Frankfurt,(Oder)15236,德国,电子邮件:Cedric.corley@esrf.fr Giuseppe Nicotra,微电子和微型系统研究所(CNR- IM)(CNR- IM),VIII STRADA 5,VIII STRADA 5,CATANIA 95121,ITALY GIOVAND GIOVANDIALY GIOVANCENT CAPINES,分校在罗马研究中,意大利罗马00146的Viale G. Marconi 446;和IHP-LeibnizInstitutFür创新的Mikroelelektronik,IM Technologiepark 25,Frankfurt(Oder)15236,德国Michele Michele Virgilio物理学部”,E。https://orcid.org/0000-0001-7121-8806(E.广告系列)。https://orcid.org/0000-0001-5468-6712(E. Talamas Simola)Tommaso Venanzi,意大利技术研究所,意大利技术研究所,Viale Regina Elena 291,00161 Rome,00161 ROME,00161 ROME,EMMAN,EMMAN:和莱昂内塔·巴尔达萨尔(Leonetta Baldassarre Technologiepark 25,Frankfurt,(Oder)15236,德国,电子邮件:Cedric.corley@esrf.fr Giuseppe Nicotra,微电子和微型系统研究所(CNR- IM)(CNR- IM),VIII STRADA 5,VIII STRADA 5,CATANIA 95121,ITALY GIOVAND GIOVANDIALY GIOVANCENT CAPINES,分校在罗马研究中,意大利罗马00146的Viale G. Marconi 446;和IHP-LeibnizInstitutFür创新的Mikroelelektronik,IM Technologiepark 25,Frankfurt(Oder)15236,德国Michele Michele Virgilio物理学部”,E。
在基于量子阱的异质结构材料中,研究能态密度对量化磁场强度和占据的依赖关系,可以为纳米级半导体结构中电荷载流子的能谱提供有价值的信息。当低维半导体材料暴露于横向量化磁场时,能态密度可以通过动力学、动力学和热力学量的振荡依赖关系来测量——磁阻、磁化率、电子热容量、热电功率、费米能和其他物理参数 [3, 4]。由此可见,在横向和纵向磁场存在下研究矩形量子阱导带能态密度的振荡是现代固体物理学的迫切问题之一。
摘要:金属卤化物钙钛矿量子阱 (PQW) 是表现出强束缚激子的量子和介电约束材料。激子跃迁偶极矩决定吸收强度并影响偶极介导能量转移中的阱间耦合,该过程影响 PQW 光电器件的性能。在这里,我们使用圆偏振激光脉冲的瞬态反射光谱来研究 n = 1、2 和 3 Ruddlesden − Popper PQW 的尺寸纯单晶中的光学斯塔克效应。从这些测量中,我们分别提取了 n = 1、2 和 3 的平面内跃迁偶极矩 11.1 (± 0.4)、9.6 (± 0.6) 和 13.0 (± 0.8) D。我们用密度泛函和多体微扰理论计算证实了实验结果,发现能带边缘轨道和激子波函数离域的性质取决于 PQW“奇偶”对称性。这解释了 n = 1 - 3 范围内跃迁偶极矩和 PQW 维数之间的非单调关系。
对于解决地热井中HPHT条件引起的钻井问题的可能性,需要进行热稳定的地热钻泥系统的发展。这是由于高温对HPHT条件下泥流体的降解影响而发生的。挑战在于设计一种可以承受高压,高温(HPHT)条件的合适钻孔液。本研究旨在提供既便宜又环保的新添加。在应用于HPHT钻井环境时,添加剂有可能匹配或超过现有添加剂的性能。几层石墨烯(FLRGO)是通过根据Hummer方法制备的氧化石墨烯获得的。然后,还用两种类型的纳米颗粒装饰了还原的石墨烯表面,以通过简单的溶液混合技术获取两种不同组合物的纳米复合材料。使用氮化硼(BN)纳米颗粒制备了第一个石墨烯纳米复合材料(RGB),其比率不同,以产生三组从1到3。使用氮化钛(TIN)纳米颗粒获得了第二个(RGBT),其百分比不同,以产生六组从1捐赠至6。The prepared reduced graphene oxide along with its nitrides nanocomposites were intensively investigated using several characterization techniques including scanning electron microscope (SEM), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX), Fourier transfer infrared spectroscopy (FTIR), X-ray diffraction (XRD), and thermal gravimetric analysis (TGA).因此,0.2、0.6和1 wt。在高温和压力下(230°C,17000 psi)到(80°C,2000 psi),研究对纳米复合材料均研究了如何影响水基钻孔液的流变学和过滤特性。%用作泥样样品的添加剂,并相对于参考泥浆进行了评估。的结果强调,在温度和压力升高时,带有60%石墨烯的RGBT样品,参考样品塑料粘度,20%硝酸硼和20%氮化钛的含量增强了10%至59%,17%至17%至61%至61%至61%和20%至67%(0.2 wt%),(0.2 wt%),浓度(0.6 wt),(0.6 wt tostive)和(0.6 wt t t t t t t t。同样,产量点分别提高了44%至88%,49%至88%和50%至89%。两种纳米复合材料在HPHT条件下均显着降低了滤液损失。这些发现表明,发达的纳米增强钻孔液可以抵抗高级钻孔操作中遇到的严重条件,并在较高温度下具有更好的热稳定性。
稳定、可重复、可扩展、可寻址和可控的混合超导体-半导体 (S-Sm) 结和开关是门控量子处理器的关键电路元件和构建块。分离栅电压产生的静电场效应有助于实现纳米开关,这些纳米开关可以控制基于二维半导体电子系统的混合 S-Sm 电路中的电导或电流。这里,通过实验展示了一种新颖的大规模可扩展、栅极电压可控的混合场效应量子芯片的实现。每个芯片都包含分离栅场效应混合结阵列,它们用作电导开关,由与 Nb 超导电子电路集成的 In 0.75 Ga 0.25 As 量子阱制成。芯片中的每个混合结都可以通过其相应的源漏极和两个全局分离栅接触垫进行控制和寻址,从而允许在其 (超) 导电和绝缘状态之间切换。总共制造了 18 个量子芯片,其中有 144 个场效应混合 Nb-In 0.75 Ga 0.25 As 2DEG-Nb 量子线,并研究了低温下多个器件的电响应、开关电压(开/关)统计、量子产率和可重复性。提出的集成量子器件架构允许控制芯片上大型阵列中的单个结,这对于新兴的低温量子技术非常有用。
通过快速热退火改善应变 GeSn/Ge 多量子阱的短波红外响应 Haochen Zhao 1、Guangyang Lin 2、Chaoya Han 3、Ryan Hickey 1、Tuofu Zhama 1、Peng Cui 1、Tienna Deroy 4、Xu Feng 5、Chaoying Ni 2 和 Yuping Zeng 1,* 1 美国特拉华大学电气与计算机工程系,美国特拉华州纽瓦克 19716 2 厦门大学物理系,福建省厦门 361005 3 美国特拉华大学材料科学与工程系,美国特拉华州纽瓦克 19716 4 美国特拉华大学化学与生物化学系,美国特拉华州纽瓦克 19716 5 美国特拉华大学表面分析设施,美国特拉华州纽瓦克 19716电子邮件: yzeng@udel.edu
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DNA 梳理和 DNA 扩散是研究全基因组 DNA 复制叉动态的两种主要方法,它们将标记的基因组 DNA 分布在盖玻片或载玻片上进行免疫检测。DNA 复制叉动态的扰动会对前导链或滞后链的合成产生不同的影响,例如,在复制被两条链中的一条上的病变或障碍物阻断的情况下。因此,我们试图研究 DNA 梳理和/或扩散方法是否适合在 DNA 复制过程中分辨相邻的姐妹染色单体,从而能够检测单个新生链内的 DNA 复制动态。为此,我们开发了一种胸苷标记方案来区分这两种可能性。我们的数据表明,DNA 梳理可以分辨姐妹染色单体,从而可以检测链特异性改变,而 DNA 扩散通常不能。这些发现在从这两种常用技术获得的数据解释 DNA 复制动态时具有重要意义。
