摘要 —本文介绍了一种基于半圆柱槽结构的高增益宽带圆柱介质谐振器天线(CDRA)。采用半圆柱槽结构将 CDRA 的高阶 HEM 12 σ 模式与槽谐振模式相结合,实现具有高增益特性的混合辐射模式。为进一步提高天线的实现增益,在不增加水平尺寸和轮廓的情况下对称使用一对寄生金属面板。此外,通过同时使用 HEM 12 σ 模式和槽模式,提出的由微带-带状线馈电结构馈电的高增益宽带 CDRA 实现了 5.92 GHz 的宽带宽。此外,通过利用馈电结构底部作为反射器的作用,无需进一步改进设计即可提高实现的增益。最后,设计、制造并测量了演示原型。所提出的天线在 27 GHz 左右的 22.1% 分数带宽 (FBW) 上实现了 12.9dBi 的峰值增益。测量结果与模拟结果非常吻合。它是 5G 毫米波无线通信的良好候选者。
电子系统的快速增长已成为非常大规模集成(VLSI)设计的高性能的挑战之一,并为相位锁定环(PLL)系统设计的发展做出了贡献,它是现代不可避免的重要必需品之一。这种设计集中于可以在超宽带(UWB)频率内以高性能运行的PLL系统的开发,但消耗了低功率,这可能对通信系统中的将来的设备实现有用。PLL的所有提议的子模块都非常适合低功率和高速应用,因为它们每个人都消耗了2 µW左右的总体功耗,直到1 MW,频率从3.1 GHz到10.6 GHz。使用90 nm CMOS技术中的Synopsys工具实现了所有设计架构,示意图,仿真和分析。通过整体分析,可以得出结论,在功耗和频率方面,与以前的工作相比,PLL系统的拟议子模块设计具有更好的性能。
NASA STI 计划由机构首席信息官主持运作。该计划收集、组织、归档和传播 NASA 的 STI。NASA STI 计划提供对 NASA 技术报告服务器 — 注册 (NTRS Reg) 和 NASA 技术报告服务器 — 公共 (NTRS) 的访问权限,从而提供世界上最大的航空航天科学 STI 集合之一。结果在非 NASA 渠道和 NASA 的 NASA STI 报告系列中发布,其中包括以下报告类型:• 技术出版物。已完成的研究或重要研究阶段的报告,介绍 NASA 计划的结果并包含大量数据或理论分析。包括被认为具有持续参考价值的重要科学和技术数据和信息的汇编。NASA 对应同行评审的正式专业论文,但对手稿长度和图形演示范围的限制不那么严格。• 技术备忘录。初步或具有专门意义的科学和技术发现,例如“快速发布”报告、工作文件和包含最少注释的参考书目。不包含广泛的分析。
摘要 本文提出了一种低功耗宽带射频到基带 (BB) 电流复用接收器 (CRR) 前端,它同时利用了 1/f 噪声消除 (NC) 技术和有源电感器 (AI),工作频率为 1 GHz 至 1.7 GHz,适用于 L 波段应用,包括那些需要高调制带宽的应用。CRR 前端采用单电源,并与 BB 电路共享低噪声跨导放大器 (LNTA) 的偏置电流,以降低功耗。为了最大限度地减少下变频之前射频 (RF) 信号的损失,高阻抗 AI 电路将混频器输入与 CRR 输出节点隔离。1/f NC 电路可抑制泄漏到输出的 LNTA 低频噪声。带有 gm 增强的共栅极 LNTA 以及单端到差分 LC 平衡-不平衡转换器用于增强输入匹配、变频增益和噪声系数 (NF)。所提出的接收器采用 TSMC 130 nm CMOS 工艺制造,占用有效面积为 0.54mm 2 。输入匹配 (S 11 ) 在 1 GHz 至 1 . 7 GHz 范围内低于 − 10 dB。在本振 (LO) 频率为 1 . 3 GHz、中频 (IF) 为 10 MHz 和默认电流设置下,CRR 实现了 41 . 5 dB 的转换增益、6 . 5 dB 的双边带 (DSB) NF 和 − 28.2 dBm 的 IIP3,同时消耗 1.66 mA 电流,电源电压为 1 . 2 V。
摘要 — 本信介绍了一种用于多通道宽带神经信号记录的能量和面积高效的交流耦合前端。所提出的单元使用基于反相器的电容耦合低噪声放大器调节局部场和动作电位,然后是每通道 10-b 异步 SAR ADC。单位长度电容器的调整可最大限度地减少 ADC 面积并放宽放大器增益,从而可以集成小型耦合电容器。与最先进的产品相比,65 纳米 CMOS 原型的面积缩小了 4 倍,能量面积效率提高了 3 倍,占位面积为 164 µ m × 40 µ m,能量面积性能系数为 0.78 mm 2 × fJ/conv-step。在 1 Hz 至 10 kHz 带宽内测得的 0.65 µ W 功耗和 3.1 µ V rms 输入参考噪声对应的噪声效率因子为 0.97。
摘要:射频能量收集 (RFEH) 是目前广受欢迎的一种可再生能源收集形式,因为许多无线电子设备可以通过 RFEH 协调其通信,尤其是在 CMOS 技术中。对于 RFEH,检测低功率环境 RF 信号的灵敏度是重中之重。通常采用 RFEH 输入端的升压机制来增强其灵敏度。然而,保持其灵敏度的带宽非常差。这项工作在 3 级交叉耦合差分驱动整流器 (CCDD) 中完全在片上实现了可调升压 (TVB) 机制。TVB 采用交错变压器架构设计,其中初级绕组实现到整流器,而次级绕组连接到 MOSFET 开关,用于调节网络的电感。 TVB 使整流器的灵敏度保持在 1V 直流输出电压下,在 3 至 6 GHz 的 5G 新无线电频率 (5GNR) 频段的宽带宽内最小偏差为 − 2 dBm。在 − 23 dBm 输入功率下,直流输出电压为 1 V,峰值 PCE 在 3 GHz 下为 83%。借助 TVB,可以在 1 V 灵敏度点处保持 50% 以上的 PCE。提出的 CCDD-TVB 机制使 CMOS RFEH 能够以最佳灵敏度、直流输出电压和效率运行于宽带应用。
摘要:随着新卫星数量的急剧增加,全面的太空监视变得越来越重要。因此,高分辨率逆合成孔径雷达 (ISAR) 卫星成像可以提供对卫星的现场评估。本文表明,除了经典的线性调频啁啾信号外,伪噪声信号也可用于卫星成像。伪噪声传输信号具有非常低的互相关值的优势。例如,这使得具有多个通道的系统可以即时传输。此外,它可以显著减少与在同一频谱中运行的其他系统的信号干扰,这对于卫星成像雷达等高带宽、高功率系统尤其有用。已经引入了一种新方法来生成峰值与平均功率比 (PAPR) 与啁啾信号相似的宽带伪噪声信号。这对于发射信号功率预算受到高功率放大器严格限制的应用至关重要。本文介绍了产生的伪噪声信号的理论描述和分析,以及使用引入的伪噪声信号对真实空间目标进行成像测量的结果。
b'摘要 提出了一种毫米波\xe2\x80\x90 低\xe2\x80\x90 轮廓宽带微带天线。为了加宽阻抗带宽并同时实现稳定的大增益,在由同轴探针馈电的微带贴片两侧布置共面寄生贴片阵列。在微带贴片上蚀刻双槽以降低 H \xe2\x80\x90 平面交叉\xe2\x80\x90 极化水平。提出了使用 Floquet \xe2\x80\x90 端口模型进行零\xe2\x80\x90 相位\xe2\x80\x90 反射分析以预测寄生贴片阵列的谐振频率。根据理想探针的输入阻抗来验证激发的谐振模式。依次激励两个相邻的宽边谐振,分别以微带贴片的准 \xe2\x80\x90 TM 10 模式和寄生贴片阵列的准 \xe2\x80\x90 TM 30 模式为主导。所提出的天线尺寸为 1.06 1.06 0.024 \xce\xbb 0 3(\xce\xbb 0 为自由空间中 29 GHz 的波长),在 | S 11 | \xe2\x89\xa4 10 dB 时实现 15%(27\xe2\x80\x93 31.35 GHz)的阻抗带宽。实现的峰值增益高达 9.26 dBi,2 \xe2\x80\x90 dB 增益带宽为 15.7%。 H \xe2\x80\x90 平面交叉 \xe2\x80\x90 极化水平在 3 \xe2\x80\x90 dB 波束宽度内小于 14 dB,背部辐射水平小于 17.9 dB。'
由于无线设备的各种应用,无线通信的带宽不断增加。射频功率放大器 (RFPA) 是收发器的关键组件之一。因此,为了满足带宽要求,需要宽带 RFPA。RFPA 不仅需要宽带匹配网络,而且更重要的是偏置网络。对于下一代通信系统,需要宽带偏置网络在宽 GHz 带宽范围内运行。本文使用四分之一波长传输线和蝶形短截线设计了功率放大器的宽带偏置网络,适用于 3.3 GHz 至 4.3 GHz 的频带。Roger 的 RO3006 用作偏置网络设计的基板。设计的网络在所需的频率范围内表现良好。偏置网络的性能显示回波损耗为 9 dB 至 19 dB,射频 (RF) 隔离度超过 35 dB,插入损耗为 0 dB 至 1.5 dB。该宽带偏置网络可用于下一代通信系统。
Snapdragon、Qualcomm Adreno、Qualcomm Kryo、Qualcomm Hexagon、Qualcomm Sensing Hub、Qualcomm 5G PowerSave 2.0、Qualcomm Smart Transmit 2.0、Qualcomm Wideband Envelope Tracking、Qualcomm AI-Enhanced Signal Boost、Qualcomm FastConnect、Qualcomm aptX、Qualcomm Spectra、Qualcomm Aqstic、Qualcomm 无线边缘服务 (WES)、Snapdragon Sound、Qualcomm Audio & Voice Communication Suite、Qualcomm Type-1 Hypervisor 和 Qualcomm Quick Charge 是 Qualcomm Technologies, Inc. 及其子公司的产品。Qualcomm WES 由 Qualcomm Technologies Inc. 及其子公司提供。
