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文科和科学在线开放日2025
•文化和历史•M.A。博物馆研究阿姆斯特丹大学•博士研究职位UVA和Rautenstrauch-joest-博物馆，科隆•LAS课程“（博物馆后）殖民历史” WS 2020/21
unisec-turkiye（Uzted）2023活动
Some Activities 2022-2023 • UZTED Meetings • 11th NSAT and 8th UNISEC GLOBAL MEETING 2022 • Model Satellite training for regional students • Space talks to Secondary schools (Space week) • IAC2023 attandence • Egypt Hurghada Model Satellite WS, 10 December 2022 • Burkina Faso Model Satellite training, 26-30 Dec. 2022 • AZERCOSMOS CUBESAT Training Jan-Feb 2023•Sharjahsat1发射（2023年1月）和操作（S Band GS安置）•第三ICESCO会议和Cansat WS，2023年8月（Nakasuka kn教授）•Nlotusat Student student 1U Cubesat Project•PAUSAT1项目•PAUSAT1 PAPAT1项目 - Nat-Int Company Indervement•METID•TUA RAFS•TUA RAFS IDAT•TUA RAFS IDAT•TUA RAFS IDAT•TUA RAFS IDAT•TUA RAFS！！
六方氮化硼封装的单层 WS2 中的电子迁移率
我们报告了在六方氮化硼封装的双栅极单层 WS2 中的电子传输测量结果。使用从室温到 1.5 K 工作的栅极欧姆接触，我们测量了本征电导率和载流子密度随温度和栅极偏压的变化。本征电子迁移率在室温下为 100 cm2/(Vs)，在 1.5 K 下为 2000 cm2/(Vs)。迁移率在高温下表现出强烈的温度依赖性，与声子散射主导的载流子传输一致。在低温下，由于杂质和长程库仑散射，迁移率达到饱和。单层 WS2 中声子散射的第一性原理计算与实验结果高度一致，表明我们接近这些二维层中传输的本征极限。
在空间选择性p型掺杂掺杂，用于通过低能量氮离子植入
摘要在二维（2D）半导体制造过程中，侧向P-N连接的构建非常重要，而且具有挑战性。先前的研究表明，垂直P-N连接可以通过垂直堆叠2D材料来制备。但是，界面污染和较大面积的可扩展性是垂直堆叠技术难以克服的挑战。构建2D横向P-N同型结是解决这些问题的有效策略。在空间选择性p型掺杂2D半导体的掺杂有望构建侧面P-N均匀结构。在这项工作中，我们开发了一种低能离子植入系统，将植入能量降低至300 eV。低能植入可以形成浅植入深度，这更适合调节2D材料的电气和光学特性。因此，我们利用低能量离子植入将氮离子直接涂成几层WS 2，并成功实现了WS 2的精确调节，其电导率类型从N型转换为双极性甚至P型传导。此外，通过将其扩展到其他2D半导体（包括WSE 2，SNS 2和MOS 2）来证明该方法的普遍性。基于这种方法，横向WS 2 p-n同型被制造出来，具有显着的直径特征。还准备了基于P-N结的光电探测器，并准备了光伏效应，开路电压可以达到0.39V。这项工作为可控掺杂2D半导体提供了有效的方法。
影响因素的因果关系 - ThaiJO
采用定量和定性数据收集相结合的方法，研究了快乐工作环境（HWE）、工作生活质量（QWL）对泰国飞行员快乐工作（HW）的影响。通过对10名具有三种不同工作特征的飞行员进行深入访谈和焦点小组讨论获得定性数据。使用电子问卷从402名泰国飞行员收集定量数据。本研究结果揭示了各种变量对泰国飞行员快乐工作（HW）的影响，发现工作负荷（WL）影响最大。其次是操作压力（WS），第三是条件。最后，快乐的工作环境（HWE）是工作生活质量（QWL）。关键词：工作负荷（WL）；工作压力（WS）；快乐工作环境（HWE）工作生活质量（QWL）；快乐工作（HW）