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精确评估气候模型中的陆地大圈耦合需要高频数据输出
图4：两足的度量分析，证明了不同平均周期对夏季耦合强度评估的影响（分别为北部和南半球的JJA和DJF）。诊断基于ERA5（ECMWF 300重新分析5）从1991年到2020年重新分析数据。通过TLM算法估算明智的热通量和P LCL之间的耦合强度（Dirmeyer等，2006）。通过使用不同的时间序列（即D：仅白天的平均值； E：24小时的全天平均值；和M：每月平均值）来诊断出强耦合区域（土地网格细胞的最高15％）。使用欧拉图来说明三个诊断之间的空间差异。欧拉图中有色组件的区域与特定集的大小成正比。（Yin等人，2023年修改。）305
妊娠糖尿病：羊to式危机的中心
中风，是由血迹，肝风，痰，浊度和其他病理因素掩盖大脑孔口引起的，并“关闭孔口并掩盖了精神而不引导Qi”。在选择穴位时，Yin子午线和DU子午线是要点，并且强调针刺操纵的定量规范，这与选择穴位和针刺的传统方法不同。“唤醒大脑并打开孔口”的方法基于“大脑是精神的居住”理论。强调，所有疾病出现的关键是“不带领气的精神”。它对包括中风在内的一系列并发症具有明显的治愈作用。该研究的目的是找出Xingnao kaiqiao针灸方法在尼泊尔急性中风的个体中恢复下肢肌肉力量和功能的有效性，并优化了中风后下肢肌肉强度和运动功能障碍的临床治疗。
基因特异性ACMG/AMP分类APC变体的标准：Clingen Insight Hereditart Colorytratal Cancer/Polyposis变体策划专家小组的建议
Isabel Spier 1 , 2 , 3 , Xiaoyu Yin 1 , 4 , 5 , * , Marcy Richardson 6 , Marta Pineda 3 , 7 , 8 , Andreas Laner 9 , Deborah Ritter 10 , 11 , Julie Boyle 12 , Pilar Mur 7 , 8 , Thomas v O. Hansen 13 , 14 , Xuemei Shi 15 , Khalid Mahmood 16 , 17 , John-Paul Plazzer 4 , ELISABET OGNEDAL 18，玛格丽塔·诺德林（Margareta Nordling）19，20，苏珊·费灵顿（Susan M. ，7，8，Sean V. Tavtigian 12，29，Andrew Latchford 30，31，Ian M. Frayling 30，32，Sharon E. Plon 10，11，Marc Greenblatt 33，Finlay A. Macrae 4，5，Stefan Aretz 1，2，2，2;代表洞察力 - 克林根遗传性结肠癌/多兴趣变体专家小组
日记预备 - 埃斯帕斯 - 科廷的机构存储库
作者贡献声明中央Yin Yee-写作 - 原始草稿；数据策划；正式分析；调查，Lam Ghai Lim-正式分析；写作 - 评论和编辑；调查，宁静的母猪锁 - 正式分析；监督；写作 - 评论和编辑；调查，Norwahyu Jusoh - 资源；写作 - 评论和编辑；数据策划，钟长Yiin - 资源；写作 - 评论和编辑；数据策划，Bridgid Lai Fui Chin - 资源；写作 - 评论和编辑；数据策划，yi herng chan - 资源；写作 - 评论和编辑；数据策划，Adrian Chun Minh Loy - 资源；写作 - 评论和编辑；数据策划，穆罕默德·穆巴希尔（Muhammad Mubashir） - 资源；写作 - 评论和编辑；数据策划
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引用: 张 HC、马 XY、蒋 CP、尹 JL、吕 S、鲁 SY、商 XT、曼 BW、张 C、李 DD、李 SH、陈 WJ、刘 HX、王 GF、曹 KH、ZH
磁性随机存取存储器 (MRAM) 作为一种新兴的非挥发性存储器，具有读写速度快、耐久性高、存储时间长、功耗低等特点，几年前就引起了台积电、三星、格罗方德等大型半导体代工厂的极大兴趣 [1−5]。一方面，MRAM 的高性能特性使其成为 28nm CMOS 技术节点以下嵌入式闪存 (e-flash) 的重要替代解决方案，而 e-flash 存在严重的经济障碍，阻碍了其进一步微缩 [6]。另一方面，MRAM 的目标是成为静态随机存取存储器 (SRAM) 等工作存储器的替代品，以解决先进 CMOS 节点中可能出现的严重漏电问题 [7,8]。然而，由于速度限制和耐久性问题，很难取代L1或L2缓存SRAM，尤其是对于两端自旋转移矩（STT）MRAM [ 9 − 11 ] 。因此，需要进一步探索下一代MRAM器件。
引用: 张 HC、马 XY、蒋 CP、尹 JL、吕 S、鲁 SY、商 XT、曼 BW、张 C、李 DD、李 SH、陈 WJ、刘 HX、王 GF、曹 KH、ZH
磁性随机存取存储器 (MRAM) 作为一种新兴的非挥发性存储器，具有读写速度快、耐久性高、存储时间长、功耗低等特点，几年前就引起了台积电、三星、格罗方德等大型半导体代工厂的极大兴趣 [1−5]。一方面，MRAM 的高性能特性使其成为 28nm CMOS 技术节点以下嵌入式闪存 (e-flash) 的重要替代解决方案，而 e-flash 存在严重的经济障碍，阻碍了其进一步微缩 [6]。另一方面，MRAM 的目标是成为静态随机存取存储器 (SRAM) 等工作存储器的替代品，以解决先进 CMOS 节点中可能出现的严重漏电问题 [7,8]。然而，由于速度限制和耐久性问题，很难取代L1或L2缓存SRAM，尤其是对于两端自旋转移矩（STT）MRAM [ 9 − 11 ] 。因此，需要进一步探索下一代MRAM器件。
中国的发展道路：
* Yin Li是Fudan University国际关系与公共事务学院的助理教授，也是学术行业研究网络的高级研究员。William Lazonick是学术行业研究网络的总裁，也是马萨诸塞大学经济学名誉教授。本文有自己的发展道路，从一个为期五年的项目（2010-2015）上浮现在福特基金会（Ford Foundation）的创新和发展机构上，并由马萨诸塞大学的威廉·拉佐尼克（William Lazonick）指导。，我们在2011年10月6日的加利福尼亚州立大学诺斯里奇，加利福尼亚州立大学诺斯里奇的中国创新方式会议上介绍了该论文的分析框架。随后，我们为2012年3月31日费城宾夕法尼亚州费城的年度会议贡献了本文的版本； 2012年6月28日，马萨诸塞州剑桥市社会经济学协会年度会议； 2012年6月28日；以及纽约纽约福特基金会的金融，商业模式和可持续繁荣会议，2012年12月7日。我们的方法在2013年10月17日至18日，由Lazonick与Leonardo Burlamaqui，Ronging Mu和Yu Zhou合作组织，在2013年10月17日至2013年10月17日至2013年10月17日至2013年10月17日至2013年中国科学院政策与管理学院，政策与管理研究所，政策与管理研究所，政策与管理研究所，政策与管理研究所，在政策与管理研究所举行的讨论方面取向了讨论。那时，李李开始研究和撰写他的博士学位论文“中国经济中的创新途径”，佐治亚理工学院于2017年10月完成。（注意：中文名称是最后的姓氏。）与此同时，Lazonick与Yu Zhou和Yifei Sun合作，共同编辑了中国作为创新国家（牛津大学出版社，2016年）。本文当前版本的草案在2019年3月16日在卡塔赫纳哥伦比亚的商业历史会议上介绍。近年来，Lazonick和Li的合作得到了新的经济思维研究所的支持，该项目是“中国的发展道路”。我们感谢Kaidong Feng，Tom Ferguson和Matt Hopkins对最终版本草案的评论。
汽车信息娱乐系统的自动化测试
本论文项目由查尔姆斯理工大学的 Ning Yin 完成；它在特罗尔海坦和哥德堡的 ÅF 进行。首先，我要感谢我的导师 Ola Wennberg，ÅF 汽车部门信息娱乐、SW 和 HMI 经理，他给了我完成这篇硕士论文的机会。我非常感谢 ÅF 信息娱乐团队的 Dan Carlsson、Mikael Karlsson 和 Smitha Mohan 提供的所有指导和宝贵信息。其次，我想借此机会感谢 Johansson Andreas LV、Oskar Andersson 及其同事帮助我完成这篇硕士论文的第二项任务。第三，我要感谢我的导师、查尔姆斯大学的 Lena Peterson。感谢您帮助我撰写报告，并在项目过程中不断提供反馈。最后，我还要感谢我的考官 Per Larsson-Edefors 审阅我的论文报告并给予反馈。
Wu Qiang （吴强）
学术出版物H. T. Huang，J。Luo，J。L. Wu，X。E. Han，Z。D. 2023，doi：10.1109/led.2023.3306015 Z. Y. Yin，Y。Chen，Y。Y. Y. Y. Zhang，Y。Yuan，Y。Yuan，Q. Yang，Y。N.表面缺陷”，高级功能材料，2023，33，2302199。M. T. Jiang，Q. Yang，J。L. Xu*，Y. Yuan，J.Y。Zhang，Y。N. Zhong，Y。N.C. H.H. Zong，M。Wang，W。N。Chen，Z. D. 19300-19306。J. R. Chen，Z。N. Lu，C。H. Zhu，J。W. Cai，Z. D. Zhang，Y。N.Z. D.X. Y. Zhang，J。L. Xu*，S。Ren，Q. Yang，M。J. Liu，X。H.