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衰老黑素细胞的信号传导过度激活头发生长
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页面证明未决出版物
S T A T E M E N T T hi s c as e p r es e nts a f u n d a m e nt al q u esti o n at t h e h e art of o u r d e m oc r ac y: w h et h e r a f o r m er Pr esi d e nt is a b s ol ut el y i m m u n e f r o m f e d er al p r os e c uti o n f o r cri m在所有人的情况下，或者一切都很重要d- i n g s b e gi n。 T h e distri ct c o urt r ej e ct e d r es p o n d e nt 's cl ai m s , c o rr e ctl y r e c o g ni zi n g t h at f or m er P r esi d e nts a r e n ot a b o v e t h e l a w a n d a r e ac c o u nt a bl e f or t h ei r vi o- l ati f e d e r al cri mi n all l a w w hile i n ofi c e of。 a p p。，i n-f r a，7 a-3 8 a，4 6 a -5 3 a。 R es p o n d e nt 's a p p e al of t h e r uli n g r ej e cti n g hi s i m m u nit y a n d r el at e d cl ai ms, h o w e v e r, s u s p e n d s t h e tri al of t h e c h a r g es a g ai n st hi m, s c h e d ul e d t o b e gi n o n M a r c h 4，2 0 2 4。It i s of i m p e r ati v e p u bli c i m p ort a n c e t h at r e s p o n d- e nt 's cl ai ms of i m m u nit y b e r e s ol v e d b y t his C o u rt a n d t h at r e s p o n d e nt's tri al pr o c e e d as pr o m ptl y a s p os si bl e如果hi s cl ai m of i m u nit y i s r ej e ct e d。 r es p o n d e nt的cl a i ms a r e p r o u u n dl y mist a k e n，如th e dist ri ct ct c o urt
心血管，肾脏和代谢（CVRM）疾病的负担
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在开放环境中管理激进创新
t c a rt s b A e h T .s e n a p m o c f o la viv r us d n a s sec c us e h t f o e r o c e h t t a ylg n is a er c n i sie e t a v on n i o t y tili b a p a c e h T s e g n a h c o t d n o t d e d e en sis s s n is ub g n i o d f o s y a w d n a ,s e civres ,stc u d o r p w e n f o t n e m p o le v e d st c u d o r p g n itsi x e e v o r p m i o t t n e eic fi fu s t o n s ti n e tf O .st n e m n o riv n e g n it a re p o 's e n a p m o c e h t n i le v o n s s a p m o c n e h c i h w s n o it a v o n i la ci d a r p o le v e d o t m i a s e n a p m o c , da e ts n I .s e civ res d n a e h t t a stfi h s m g i d a rap e t a er c o t la it Netopehtevahdna、stekramweneruqerroseigolonhceteud tlucfifid、revewoh、sisnoita vonnila cidarfot nempole ve deh T.lev eldlrowro、yrtsudni、tekramlanoita zinagro、Sess corppotsegnahctnemelp mitsum srega naamdna，seitniatrecnuhgihotsrehcraeser，yltnecerR。seitlucfidosehtemocrevootsegaknillanretxedna，er uutlucmr fi 、serutcurts lanretxehti ws noit caretnie.e.i、noit a von n in epowohgniy duts no no it nettar al uc citr a p d i a p e v a h .s o it a v on n i la cid a re c u d o rt n i s e n a p m o c p le h y a m ,s o it a v on n i d n a s a e d i f os
现代宏观：旧战略的新方法
过往表现并非未来业绩的保证或可靠指标。所有投资均有风险，可能贬值。对冲基金和其他另类策略涉及高风险，建议潜在投资者注意，这些策略仅适用于财力充足、投资无需流动性且能够承担经济风险（包括可能完全亏损）的人士。业绩可能不稳定；投资基金可能会亏损。这些投资策略无法保证在所有市场条件下都有效或适合所有投资者，每位投资者都应评估其长期投资能力，尤其是在市场低迷时期。相关性是两种证券相互之间如何变动的统计指标。各种指数或证券之间的相关性或与通货膨胀之间的相关性基于特定时间段的数据。这些相关性在未来或不同时间段可能会有很大变化，从而导致更大的波动性。本材料包含经理的意见，此类意见如有更改，恕不另行通知。本材料仅供参考，不应视为投资建议或任何特定证券、策略或投资产品的推荐。无法直接投资于非管理指数。本文所含信息来自被认为可靠但不保证的来源。PIMCO 一般向合格机构、金融中介机构和机构投资者提供服务。个人投资者应联系自己的金融专业人士，以确定最适合其财务状况的投资选择。这不是对任何非法或未经授权司法管辖区内任何人的要约。| Pacific Investment Management Company LLC，650 Newport Center Drive, Newport Beach, CA 92660 受美国证券交易委员会监管。| PIMCO Europe Ltd（公司编号 2604517，11 Baker Street, London W1U 3AH, United Kingdom）由英国金融行为监管局 (FCA)（12 Endeavour Square, London E20 1JN）授权和监管。 PIMCO Europe Ltd 提供的服务不适用于散户投资者，散户投资者不应依赖此通讯，而应联系其财务顾问。| PIMCO Europe GmbH（公司编号 192083，Seidlstr. 24-24a，80335 Munich，德国）、PIMCO Europe GmbH 意大利分公司（公司编号 10005170963，Corso Vittorio Emanuele II, 37/Piano 5, 20122 Milano，意大利）、PIMCO Europe GmbH 爱尔兰分公司（公司编号 909462，57B Harcourt Street Dublin D02 F721，爱尔兰）、PIMCO Europe GmbH 英国分公司（公司编号 FC037712，11 Baker Street，London W1U 3AH，英国）、PIMCO Europe GmbH 西班牙分公司（NIF W2765338E，Paseo de la Castellana 43，Oficina 05-111, 28046 Madrid, Spain) 和 PIMCO Europe GmbH 法国分公司 (公司编号 918745621 RCS Paris, 50–52 Boulevard Haussmann, 75009 Paris, France) 均根据德国证券机构法 (WpIG) 第 15 条由德国联邦金融监管局 (BaFin) (Marie-Curie-Str. 24-28, 60439 Frankfurt am Main) 授权和监管。意大利分公司、爱尔兰分公司、英国分公司、西班牙分公司和法国分公司还受到以下机构的监管：(1) 意大利分公司：根据意大利综合金融法第 27 条，国家公司和交易所委员会 (CONSOB) (Giovanni Battista Martini, 3 - 00198 Rome)； （2）爱尔兰分行：根据《2017 年欧盟（金融工具市场）条例》第 43 条（经修订），爱尔兰中央银行（地址：New Wapping Street, North Wall Quay, Dublin 1 D01 F7X3）；（3）英国分行：英国金融行为监管局（FCA）（地址：12 Endeavour Square, London E20 1JN）； (4) 西班牙分行：国家证券市场委员会 (CNMV) (Edison, 4, 28006 Madrid) 依据第 168 条和第 203 至 224 条规定的义务以及《证券市场法》 (LSM) 第 V 部分第 I 节和第 217/2008 号皇家法令第 111、114 和 117 条规定的义务；以及 (5) 法国分行：ACPR/法国银行 (4 Place de Budapest, CS 92459, 75436 Paris Cedex 09) 依据 2014/65/EU 金融工具市场指令第 35 条并受 ACPR 和 AMF 的监督。PIMCO Europe GmbH 提供的服务仅向《德国证券交易法》 (WpHG) 第 67 部分第 2 款定义的专业客户提供。个人投资者无法获得这些服务，因此个人投资者不应依赖本通讯。 | PIMCO (Schweiz) GmbH（注册于瑞士，公司编号 CH-020.4.038.582-2，地址：Brandschenkestrasse 41 Zurich 8002，瑞士）。PIMCO (Schweiz) GmbH 提供的服务不向散户投资者提供，散户投资者不应依赖本通讯，而应联系自己的财务顾问。| PIMCO Asia Pte Ltd（注册编号 199804652K）受新加坡金融管理局监管，是资本市场服务牌照持有人和豁免财务顾问。资产管理服务和投资产品不提供给未经授权提供此类服务和产品的人士。| PIMCO Asia Limited 获得证券及期货事务监察委员会颁发的牌照，根据《证券及期货条例》可进行第 1、4 和 9 类受监管活动。 PIMCO Asia Limited 是韩国金融监督管理委员会注册的跨境全权投资管理公司（注册号 08-02-307）。未经授权提供此类服务和产品的个人不得使用资产管理服务和投资产品。| PIMCO Investment Management (Shanghai) Limited 单位 3638-39，中国上海自由贸易试验区世纪大道 8 号上海国金中心二期，邮编 200120（统一社会信用代码：91310115MA1K41MU72）在中国证券投资基金业协会注册为私募基金管理人（注册号 P1071502，类型：其他）| PIMCO Australia Pty Ltd ABN 54 084 280 508，AFSL 246862。本出版物在编写时未考虑投资者的目标、财务状况或需求。在作出投资决策之前，投资者应寻求专业建议，并考虑本文所含信息是否适合其目标、财务状况和需求。| PIMCO Japan Ltd，金融工具业务注册号码为关东财务局长（金融工具公司）第 382 号。PIMCO Japan Ltd 是日本投资顾问协会、日本投资信托协会和第二类金融工具公司协会的成员。所有投资均包含风险。并不保证投资本金一定能保全，或一定能获得一定的回报，投资可能会蒙受损失，一切盈亏均由投资者承担。各类费用及开支的金额、最高金额、计算方式及其总额将根据投资策略、投资业绩状况、管理期及资产未清偿余额而有所不同，故此不能在此详列。| 太平洋投资管理股份有限公司为独立经营管理之公司，本公司经主管机关核准之营业执照编号为(110)金关投顾信字第020号，本公司注册地址为110台北市信义区忠孝东路五段68号40楼，电话为+886 2 8729-5500。| PIMCO 加拿大公司（199 Bay Street, Suite 2050, Commerce Court Station, PO Box 363, Toronto, ON, M5L 1G2）的服务和产品可能仅在加拿大某些省份或地区提供，并且只能通过为此目的授权的经销商提供。| PIMCO 拉丁美洲 Av. Brigadeiro Faria Lima 3477, Torre A, 5° andar São Paulo, Brazil 04538-133。| 未经明确书面许可，不得以任何形式复制本材料的任何部分，或在任何其他出版物中引用本材料的任何部分。PIMCO 是 Allianz Asset Management of America LLC 在美国和世界各地的商标。©2023 PIMCO。投资者在作出投资决定前，应先寻求专业意见，并考虑本文所载资料是否适合其目标、财政状况及需要。| PIMCO Japan Ltd，金融工具业务登记号码为关东财务局长（金融工具公司）第382号。PIMCO Japan Ltd是日本投资顾问协会、日本投资信托协会及第二类金融工具公司协会的成员。所有投资均有风险。无法保证投资本金能保全或获得一定回报；投资可能会蒙受损失。所有盈亏均由投资者承担。每种费用及开支的金额、最高金额、计算方法及其总额将根据投资策略、投资表现状况、管理期及资产未偿余额而有所不同，因此此类费用及开支无法于本文中列出。| PIMCO Taiwan Limited 为独立经营和管理的公司。该公司经主管机关核准之营业执照编号为（110）金冠投顾信字第020号。公司注册地址为110台北市信义区忠孝东路五段68号40楼，电话为+886 2 8729-5500。| PIMCO Canada Corp.（199 Bay Street, Suite 2050, Commerce Court Station, PO Box 363, Toronto, ON, M5L 1G2）的服务和产品可能仅在加拿大某些省份或地区提供，且仅通过为此目的授权的经销商提供。| PIMCO Latin America Av. 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(199 Bay Street, Suite 2050, Commerce Court Station, PO Box 363, Toronto, ON, M5L 1G2) 之服务和产品可能仅在加拿大某些省份或地区提供，且仅通过获授权之经销商提供。 | PIMCO Latin America Av. Brigadeiro Faria Lima 3477, Torre A, 5° andar São Paulo, Brazil 04538-133。| 未经明确书面许可，不得以任何形式复制本材料的任何部分，或在任何其他出版物中引用本材料的任何部分。PIMCO 是 Allianz Asset Management of America LLC 在美国和世界各地的商标。©2023 PIMCO。
海报 ID 标题 口头报告轨道 作者 组织（第一作者） 国家 1252 光电气溶胶喷射印刷封装：A
海报 ID 标题 口头报告轨道 作者 组织（第一作者） 国家 1252 光电子气溶胶喷射印刷封装：线形态研究 先进的光电子学和 MEMS 封装 Siah, Kok Siong (1); Basu, Robin (2); Distler, Andreas (2); Häußler, Felix (1); Franke, Jörg (1); Brabec, Christoph J. (2,3,4); Egelhaaf, Hans-Joachim (2,3,4) 埃尔朗根-纽伦堡弗里德里希-亚历山大大学 德国 1341 量子级联激光器与中红外光子集成电路集成用于各种传感应用 先进的光电子学和 MEMS 封装 Kannojia, Harindra Kumar (1); Zhai, Tingting (1); Maulini, Richard (2); Gachet, David (2); Kuyken, Bart (1); Van Steenberge, Geert (1) Imec BE 1328 使用 SnAg 焊料在光子集成电路上进行 III-V 激光二极管倒装芯片键合 先进的光电子学和 MEMS 封装 Chi, Ting Ta (1); Ser Choong, Chong (1); Lee, Wen (1); Yuan, Xiaojun (2) 新加坡微电子研究所（IME） SG 1154 MEMS 腔体封装的芯片粘接材料选择 先进的光电子学和 MEMS 封装 Shaw, Mark; Simoncini, Daniele; Duca, Roseanne; Falorni, Luca; Carulli, Paola; Fedeli, Patrick; Brignoli, Davide STMicroelectronics IT 1262 使用高分辨率感光聚合物进行 500nm RDL 的双大马士革工艺 先进封装 1 Gerets, Carine Helena; Pinho, Nelson; Tseng, Wen Hung; Paulus, Tinneke; Labyedh, Nouha; Beyer, Gerald; Miller, Andy; Beyne, Eric Imec BE 1342 基于 ECC 的助焊剂清洁监控以提高先进封装产品的可靠性 先进封装 1 Wang, Yusheng; Huang, Baron; Lin, Wen-Yi; Zou, Zhihua; Kuo, Chien-Li TSMC TW 1256 先进封装中的助焊剂清洗：关键工艺考虑因素和解决方案 先进封装 1 Parthasarathy, Ravi ZESTRON Americas US 1357 根据 ICP 溅射蚀刻条件和关键设计尺寸调查 UBM/RDL 接触电阻 先进封装 2 Carazzetti, Patrik (1); Drechsel, Carl (1); Haertl, Nico (1); Weichart, Jürgen (1); Viehweger, Kay (2); Strolz, Ewald (1) Evatec AG CH 1389 使用薄蚀刻停止层在法布里-珀罗滤波器中实现精确的波长控制 先进封装 2 Babu Shylaja, Tina; Tack, Klaas; Sabuncuoglu Tezcan, Deniz Imec BE 1348 模块中亚太赫兹天线的封装技术 先进封装 2 Murayama, Kei (1); Taneda, Hiroshi (1); Tsukahara, Makoto (1); Hasaba, Ryosuke (2); Morishita, Yohei (2); Nakabayashi, Yoko (1) Shinko Electric Industries Co.,Ltd. JP 1230 55nm 代码低 k 晶圆组装和制造技术的多光束激光开槽工艺和芯片强度研究 1 Xia, Mingyue; Wang, Jianhong; Xu, Sean; Li, guangming; Liu, haiyan; Zhu, lingyan NXP Semiconductor CN 1215 批量微波等离子体对超宽引线框架尺寸的优化研究，以实现与分层组装和制造技术的稳健结果 1 LOO, Shei Meng; LEONE, Federico; CAICEDO,Nohora STMicroelectronics SG 1351 解决超薄芯片封装制造中的关键问题 组装与制造技术 1 Talledo, Jefferson; Tabiera, Michael; Graycochea Jr, Edwin STMicroelectronics PH 1175 系统级封装模块组装与制造技术中的成型空洞问题调查 2 Yang, Chaoran; Tang, Oscar; Song, Fubin Amazon CN 1172 利用倒装芯片铜柱高密度互连组装与制造技术增强 Cu OSP 表面粘性助焊剂的 DI 水清洁性 2 Lip Huei, Yam; Risson Olakkankal, Edrina; Balasubramanian, Senthil KUmar Heraeous SG 1326 通过组件设计改进薄膜辅助成型性能 装配和制造技术 2 Law, Hong Cheng;Lim, Fui Yee;Low, Boon Yew;Pang, Zi Jian;Bharatham, Logendran;Yusof, Azaharudin;Ismail, Rima Syafida;Lim, Denyse Shyn Yee;Lim, Shea Hu NXP 半导体 MY 1224 对不同引线框架材料进行等离子清洗以研究超大引线框架上氧化与分层的影响 装配和制造技术 2 CHUA, Yeechong; CHUA, Boowei; LEONE, Federico; LOO, Shei Meng STMicroelectronics SG 1185 在低温系统中为射频传输线寻找最佳材料选择 装配和制造技术 3 Lau, Daniel (1); Bhaskar, Vignesh Shanmugam (1); Ng, Yong Chyn (1); Zhang, Yiyu (2); Goh, Kuan Eng Johnson (2); Li, Hongyu (1) 新加坡微电子研究院 (IME) SG 1346 探索直接激光回流技术以在半导体基板上形成稳定可靠的焊料凸点界面 装配与制造技术 3 Fisch, Anne; PacTech US 1366 通过改进工艺和工具设计消除陶瓷 MEMS 封装上的受损引线键合 装配与制造技术 3 Bamba, Behra Esposo；Tabiera, Michael Tabiera；Gomez, Frederick Ray Gomez STMicroelectronics PH 1255 原位表征等离子体种类以优化和改进工艺 装配与制造技术 3 Capellaro, Laurence; STMicroelectronics PH 1234 高度集成的 AiP 设计，适用于 6G 应用 汽车和功率器件封装 WU, PO-I；Kuo, Hung-Chun；Jhong, Ming-Fong；Wang, Chen-Chao 日月光集团 TW 1298 用于自动导引车的高分辨率 MIMO 雷达模块开发的封装协同设计 汽车和功率器件封装 Tschoban, Christian；Pötter, Harald Fraunhofer IZM DE 1306 下一代汽车微控制器倒装芯片铜柱技术的稳健性方法 汽车和功率器件封装 Tan, Aik Chong；Bauer, Robert；Rau, Ingolf；Doering, Inga 英飞凌科技 SG 1387 在烧结工艺改进下商业和定制铜烧结膏的键合强度比较 汽车和功率器件封装 Meyer, Meyer；Gierth, Karl Felix Wendelin；Meier, Karsten；Bock,德累斯顿卡尔海因茨工业大学 DE 1380 用于红外激光脱粘的高温稳定临时粘接粘合剂使薄晶圆的新型工艺集成成为可能 键合与脱粘工艺 Koch, Matthew (1); kumar, Amit (1); Brandl, Elisabeth (2); Bravin, Julian (2); Urban, Peter (2); Geier, Roman (3); Siegert, Joerg (3) Brewer Science UK 1250 临时键合晶圆的分层：综合研究 键合与脱粘工艺 JEDIDI, NADER Imec BE 1192 芯片堆叠应用中临时键合和脱粘工艺相关的表面质量挑战 键合与脱粘工艺 Chaki Roy, Sangita; Vasarla, Nagendra Sekhar; Venkataraman, Nandini 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1108 针对 UCIe 和 BOW 应用的 2.5D 基板技术上密集线通道的信号完整性分析 电气模拟和特性 1 Rotaru, Mihai Dragos 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1161 用于无线电信应用的自互补缝隙地下结构覆盖层的设计 电气模拟和特性 1 Rong, Zihao (1); Yi, Yuantong (1); Tateishi, Eiichi (2); Kumagae, Takaya (2); Kai, Nobuhiro (2); Yamaguchi, Tatsuya (3); Kanaya, Haruichi (1) 九州大学 JP 1167 基于近场扫描的芯片等效电磁辐射模型，用于陶瓷 SiP 中的 EMI 分析 电气模拟和特性 1 liang, yaya;杜平安 电子科技大学 CN 1280 三维集成系统中高速互连传输结构设计与优化 电气仿真与特性分析 2 李存龙；李振松；苗敏 北京信息科技大学 CN 1355 基于通用 Chiplet 互连快递（UCIe）的 2.5D 先进封装互连信号完整性仿真与分析 电气仿真与特性分析 2 范宇轩（1,2）；甘汉臣（1,2）；周云燕（1）；雷波（1）；宋刚（1）；王启东（1） 中国科学院微电子研究所 CN 1109 具有 5 层正面铜金属和 2 层背面铜 RDL 的硅通孔中介层（TSI）电气特性与可靠性研究 电气仿真与特性分析 2 曾雅菁；刘丹尼尔；蔡鸿明；李宏宇 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1241 利用多层基板集成同轴线开发紧凑型宽带巴伦 电气仿真和特性 2 Sato, Takumi (1); Kanaya, Haruichi (1); Ichirizuka, Takashi (2); Yamada, Shusaku (2) 九州大学 JP 1200 一种降低 IC 封装中高速通道阻抗不连续性的新方法 电气仿真和特性 3 Luo, Jiahu (1); zheng, Boyu (1,2); Song, Xiaoyuan (1); Jiang, Bo (1); Lee, SooLim (1) 长沙安木泉智能科技有限公司Ltd CN 1201 去耦电容位置对 fcBGA 封装中 PDN 阻抗的影响 电气仿真与特性 3 宋小元 (1); 郑博宇 (1,2); 罗家虎 (1); 魏平 (1); 刘磊 (1) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1162 有机基板中 Tera-Hz 电气特性探讨 电气仿真与特性 3 林和川; 赖家柱; 施天妮; 康安乐; 王宇珀 SPIL TW 1202 采用嵌入式硅扇出型 (eSiFO®) 技术的双 MOSFET 开关电路集成模块 嵌入式与扇出型封装 强文斌; 张先鸥; 孙祥宇; 邓帅荣;杨振中 中国工程物理研究院 中国成都 CN 1131 FOStrip® 技术 - 一种用于基板封装上条带级扇出的低成本解决方案 嵌入式和扇出型封装 林义雄 (1); 施孟凯 (2); 丁博瑞 (2); 楼百耀 (1); 倪汤姆 (1) 科雷半导体有限公司，鸿海科技集团 TW 1268 扇出型面板级封装（FOPLP）中铝焊盘的腐蚀行为 嵌入式和扇出型封装 余延燮 (1); 朴世允 (2); 金美阳 (2); 文泰浩 (1) 三星电子 KR 1253 全加成制造灯泡的可行性和性能 新兴技术 Ankenbrand, Markus; Piechulek, Niklas; Franke, Jörg Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg DE 1377 航空用激光直接结构化机电一体化设备的创新和挑战：材料开发、组件设计和新兴技术 Piechulek, Niklas；安肯布兰德，马库斯；徐雷；弗罗利希，扬；阮香江； Franke, Jörg Lehrstuhl für Fertigungsautomatisierung und Produktionssyste DE 1128 使用深度神经网络新兴技术从芯片到自由空间耦合生成光束轮廓 Lim, Yu Dian (1)； Tan, Chuan Seng (1,2) 南洋理工大学 SG 1195 SiCN 混合键合应用的 CMP 后清洁优化 混合和熔融键合 1 JI, Hongmiao (1);LEE, Chaeeun (1);TEE, Soon Fong (1);TEO, Wei Jie (1);TAN, Gee Oon (1);Venkataraman, Nandini (1);Lianto, Prayudi (2);TAN, Avery (2);LIE, Jo新加坡微电子研究所 (IME) SG 1187 混合键合中模糊对准标记的改进边缘检测算法 混合和熔融键合 1 Sugiura, Takamasa (1);Nagatomo, Daisuke (1);Kajinami, Masato (1);Ueyama, Shinji (1);Tokumiya, Takahiro (1);Oh, Seungyeol (2);Ahn, Sungmin (2);Choi, Euisun ( 三星日本公司 JP 1313 芯片到晶圆混合和熔融键合以实现先进封装应用混合和熔融键合 1 Papanu, James Stephen (2,5);Ryan, Kevin (2);Noda, Takahiro (1);Mine, Yousuke (1);Ishii, Takayuki (1);Michinaka, Satoshi (1);Yonezawa, Syuhei (4);Aoyagi,Chika Tokyo Electron Limited 美国 1283 细间距混合键合中结构参数和错位对键合强度影响的有限元分析 混合与熔融键合 1 石敬宇(1); 谭林(1); 胡杨(1); 蔡健(1,2); 王倩(1,2); 石敬宇(1) 清华大学 CN 1211 下一代热压键合设备 混合与熔融键合 2 Abdilla, Jonathan Besi NL 1316 聚对二甲苯作为晶圆和芯片键合以及晶圆级封装应用的粘合剂 混合与熔融键合 2 Selbmann, Franz (1,2); Kühn, Martin (1,2); Roscher, Frank (1); Wiemer, Maik (1); Kuhn, Harald (1,3); Joseph, Yvonne (2) 弗劳恩霍夫电子纳米系统研究所 ENAS DE 1368 芯片到晶圆混合键合与聚合物钝化混合和熔融键合的工艺开发 2 Xie, Ling 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1221 使用经验和数值方法研究焊料凸点和接头间隙高度分布 互连技术 1 Wang, Yifan; Yeo, Alfred; CHAN, Kai Chong JCET SG 1134 焊球合金对板级可靠性的影响 热循环和振动测试增强 互连技术 1 Chen, Fa-Chuan (1); Yu, Kevin (1); Lin, Shih-Chin (1); Chu, Che-Kuan (2); Lin, Tai-Yin (2); Lin, Chien-Min (2) 联发科 TW 1295 SAC305/SnBi 混合焊料界面分析及焊料硬度与剪切力关系比较 互连技术 1 Sung, Minjae (1); Kim, Seahwan (2); Go, Yeonju (3); Jung, Seung-boo (1,2) 成均馆大学 KR 1146 使用夹子作为互连的多设备功率封装组装 互连技术 2 Wai, Leong Ching; Yeo, Yi Xuan; Soh, Jacob Jordan; Tang, Gongyue 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1129 存储器封装上再生金键合线的特性 互连技术 2 Chen, Yi-jing; Zou, Yung-Sheng; Chung, Min-Hua;颜崇良 Micron TW 1126 不同条件下焊料凸块电迁移行为调查 互连技术 2 罗毅基 Owen (1); 范海波 (1); 钟晨超 Nick (1); 石宇宁 (2) Nexperia HK 1168 SnBi 焊料与 ENEPIG 基板关系中 NiSn4 形成的研究 互连技术 2 王毅文; 蔡正廷; 林子仪 淡江大学 TW 1159 用于 3D 晶圆级封装中电感器和平衡不平衡变压器的感光水性碱性显影磁性材料 材料与加工 1 增田诚也; 出井弘彰; 宫田哲史; 大井翔太; Suzuki, Hiroyuki FUJIFILM Corporation JP 1118 新型芯片粘接粘合剂满足汽车 MCU 封装材料和加工的严苛性能、可靠性和成本目标 1 Kang, Jaeik; Hong, Xuan; Zhuo, Qizhuo; Yun, Howard; Shim, Kail; Rathnayake, Lahiru; Surendran, Rejoy; Trichur,Ram Henkel Corporation 美国 1173 通过在铜引线框架上进行无压烧结提高器件性能 材料与加工 1 Danila, Bayaras, Abito; Balasubramanian, Senthil KUmar Heraeous SG 1137 用于功率分立器件的新型无残留高铅焊膏 材料与加工 2 Bai, Jinjin; Li, Yanfang; Liu, Xinfang; Chen, Fen; Liu, Yan 铟泰公司 CN 1220 用于系统级封装（SiP）应用的低助焊剂残留免清洗焊膏 材料与加工 2 Liu, Xinfang; Bai, Jinjin; Chen, Fen; Liu, Yan 铟泰公司（苏州）有限公司 CN 1176 不同熔点焊料的基本性质及键合性质分析 材料与加工 2 Kim, Hui Joong; Lee, Jace; Lee, Seul Gi; Son, Jae Yeol; Won, Jong Min; Park, Ji Won; Kim, Byung Woo; Shin, Jong Jin; Lee, Tae Kyu MKE KR 1124 一种用于表征 WLCSP 封装材料和加工中 PBO 附着力的新方法 2 CHEN, Yong; CHANG, Jason; GANI, David; LUAN, Jing-en; CATTARINUZZI, Emanuele STMicroelectronics SG 1247 磁控溅射制备银及银铟固溶体薄膜微结构与力学性能研究 材料与工艺 3 赵爽 (1);林鹏荣 (2,3);张东林 (1);王泰宇 (1);刘思晨 (1);谢晓晨 (2);徐诗萌 (2);曲志波 (2);王勇 (2);赵秀 北京理工大学 CN 1206 多功能感光聚合物在与纳米晶 Cu 材料低温混合键合中的应用及工艺 3 陈忠安 (1);李嘉欣 (1);李欧翔 (2);邱伟兰 (2);张祥鸿 (2); Yu, Shih-cheng (2) Brewer Science TW 1308 闪光灯退火（FLA）方法对热处理 Cu 薄膜和低介电树脂膜的适用性材料与加工 3 NOH, JOO-HYONG (1,2); Yi, DONG-JAE (1,2); SHISHIDO, YUI (1,2); PARK, JONG-YOUNG (2,3); HONMA, HIDEO (2) 关东学院大学 JP 1286 使用无有机溶胶的 Ag 纳米多孔片在 145°C 和 175°C 下对 Au 成品 Cu 基材进行低温 Ag 烧结和驱动力材料与加工 3 Kim, YehRi (1,2); Yu, Hayoung (1); Noh, Seungjun (3); Kim, Dongjin (1) 韩国工业技术研究院 KR 1279 用于 MEMS 应用的 AlN/Mo/AlN/多晶硅堆栈中的应力补偿效应 材料与加工 4 sharma, jaibir; Qing Xin, Zhang 新加坡微电子研究所（IME） SG 1254 热循环下 RDL 聚酰亚胺与底部填充材料之间相互作用对倒装芯片互连可靠性的影响研究 材料与加工 4 Chang, Hongda (1); Soriano, Catherine (1); Chen, WenHsuan (1); Yang, HungChun (2); Lai, WeiHong (2); Chaware, Raghunandan (1) 莱迪思半导体公司 TW 1281 使用低 α 粒子焊料消除沟槽 MOSFET 中的参数偏移 材料与加工 4 Gajda, Mark A. (1); de Leon, Charles Daniel T. (2); A/P Ramalingam, Vegneswary (3);桑蒂坎，Haima (3) Nexperia UK 1218 Sn–5Ag 无铅焊料中 Bi 含量对 IMC 机械性能和形态的影响 材料与加工 4 Liu, Kuan Cheng; Li, Chuan Shun; Teng, Wen Yu; Hung, Liang Yih; Wang, Yu-Po SPIL TW 1198 流速和电流密度对通孔铜沉积的影响 材料与加工 5 Zeng, Barry; Ye, Rick; Pai, Yu-Cheng; Wang, Yu-Po SPIL TW 1156 用于 MEMS 器件的可布线可润湿侧翼 材料与加工 5 Shaw, Mark; Gritti, Alex; Ratti, Andrea; Wong, Kim-Sing; Loh, Hung-meng; Casati, Alessandra; Antilano Jr, Ernesto; Soreda, Alvin STMicroelectronics IT 1294 ENEPIG 中 Pd 层厚度对焊点形貌和可靠性的影响 材料与加工 5 Yoon, JaeJun (1); Kim, SeaHwan (1); Jin, HyeRin (1); Lee, Minji (1); Shin, Taek Soo (1,2); Jung, Seung-Boo (1) 成均馆大学 KR 1228 无翘曲扇出型封装 材料与加工 6 Schindler, Markus; Ringelstetter, Severin; Bues, Martin; Kreul, Kilian; Chian, Lim See; Königer, Tobias Delo DE 1179 用于先进 BGA 组装的创新无助焊剂焊球附着技术（FLAT） 材料与加工 6 Kim, Dongjin (1); Han, Seonghui (1,3); Han, Sang Eun (1,4); Choi, Dong-Gyu (1,5); Chung, Kwansik (2); Kim, Eunchae (2); Yoo, Sehoon (1) 韩国工业技术研究院 KR 1375 用于电子封装材料与加工的超薄 ta-C 气密封接 6 Phua, Eric Jian Rong; Lim, Song Kiat Jacob; Tan, Yik Kai; Shi, Xu 纳米膜技术 SG 1246 用于高性能汽车 BGA 封装材料与加工的掺杂 SAC 焊球合金比较 6 Capellaro, Laurence (1); STMicroelectronics FR 1324 铜平衡和晶圆级翘曲控制以及封装应力和板级温度循环焊点可靠性的影响 机械模拟与特性 1 Mandal, Rathin 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1340 扇出型封装翘曲的材料敏感性 - 模拟与实验验证 机械模拟与特性 1 Tippabhotla, Sasi Kumar； Soon Wee, David Ho 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1147 用于汽车存储器应用的 SACQ 焊料可靠性评估的高级预测模型 机械模拟与特性 1 Pan, Ling (1); Che, Faxing (1); Ong, Yeow Chon (1); Yu, Wei (1); Ng, Hong wan (1); Kumar, Gokul (2); Fan, Richard (3); Hsu, Pony (3) 美光半导体亚洲 SG 1245 扇出型有机 RDL 结构的低翘曲解决方案 机械模拟与特性 2 Liu, Wei Wei; Sun, Jalex; Hsu, Zander; Hsu, Brian; Wu, Jeff; Chen, YH; Chen, Jimmy; Weng, Berdy; Yeh, CK 日月光集团 TW 1205 结构参数对采用铟热界面材料的 fcBGA 封装翘曲的影响 机械模拟与特性 2 Liu, Zhen (1); Dai, Qiaobo (1);聂林杰 (1);徐兰英 (1);滕晓东 (1);郑，博宇 (1,2) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1141 三点弯曲试验条件下封装翘曲对封装强度评估的影响 机械模拟与表征 2 车发星 (1); Ong, Yeow Chon (1); 余伟 (1); 潘玲 (1); Ng, Hong Wan (1); Kumar, Gokul (2); Takiar, Hem (2) 美光半导体亚洲 SG 1181 回流焊过程中 PCB 基板影响下微导孔热机械疲劳寿命评估 机械模拟与表征 2 Syed, Mujahid Abbas; 余强 横滨国立大学 JP 1121 单调四点弯曲试验设计的分析 K 因子模型 机械模拟与表征 3 Kelly, Brian (1); Tarnovetchi, Marius (2); Newman, Keith (1) 高级微设备公司 美国 1135 增强带有嵌入式细间距互连芯片的大型先进封装的机械稳健性和完整性 机械仿真与表征 3 Ji, Lin; Chai, Tai Chong 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1116 通过实验和模拟研究基板铜垫裂纹 机械仿真与表征 3 Yu, Wei; Che, Fa Xing; Ong, Yeow Chon; Pan, Ling; Cheong, Wee Gee 美光半导体亚洲 SG 1130 不同晶圆预薄厚度的隐形切割工艺预测数值建模 机械模拟与表征 3 Lim, Dao Kun (1,2);Vempaty, Venkata Rama Satya Pradeep (2);Shah, Ankur Harish (2);Sim, Wen How (2);Singh, Harjashan Veer (2);Lim, Yeow Kheng (1) 美光半导体亚洲 SG 1235 扇出型基板上芯片平台的细线 RDL 结构分析 机械模拟与表征 4 Lai, Chung-Hung 日月光集团 TW 1197 极高应变率下板级封装结构中互连的动态响应 机械模拟与表征 4 Long, Xu (1); Hu, Yuntao (2); Shi, Hongbin (3);苏玉泰 (2) 西北工业大学 CN 1393 用于电动汽车应用的氮化硼基功率模块基板：一种使用有限元分析机械模拟和表征的设计优化方法 4 Zainudin，Muhammad Ashraf； onsemi MY 1345 面向 AI 辅助热管理策略设计 AI 应用的封装设计和特性 REFAI-AHMED, GAMAL (1);Islam, MD Malekkul (1);Shahsavan, Martia (1);Do, Hoa (1);Kabana, Hardik (2);Davenport, John L (2);Kocheemoolayil, Joseph G (2);HAdvanced Micro Devices US 1320 用于深度学习硬件加速器的双 2 芯片堆叠模块的工艺开发 AI 应用的封装设计和特性 Ser Choong Chong 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1398 用于表征 AI 芯片热性能的热测试载体 AI 应用的封装设计和特性 Shangguan, Dongkai (1); Yang, Cheng (2); Hang,Yin (3) 美国热工程协会 US 1164 使用 B 型扫描声学显微镜 (B-SAM) 对高性能计算设备的 TIM 中的空洞进行无损分析 质量、可靠性和故障分析 1 Song, Mei Hui; Tang, Wai Kit; Tan, Li Yi 超威半导体 SG 1361 通过环上的纳米压痕评估芯片级断裂韧性的方法 质量、可靠性和故障分析 1 Zhu, Xintong; Rajoo, Ranjan; Nistala, Ramesh Rao; Mo, Zhi Qiang 格芯 新加坡 SG 1140 移动带电物体在不同类型电子设备盒中产生的静电感应电压 质量、可靠性和故障分析 1 Ichikawa, Norimitsu 日本工学院大学 JP 1350 使用 NanoSIMS 对半导体器件的掺杂剂和杂质进行高空间分辨率成像 质量、可靠性和故障分析 1 Sameshima, Junichiro; Nakata, Yoshihiko; Akahori, Seishi; Hashimoto, Hideki; Yoshikawa, Masanobu 东丽研究中心，公司 JP 1184 铌上铝线键合的优化用于低温封装质量、可靠性和故障分析 2 Norhanani Jaafar 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1182 基于超声波兰姆波静态分量的层压芯片连接中的原位微裂纹定位和成像质量、可靠性和故障分析 2 Long, Xu (1); Li, Yaxi (2); Wang, Jishuo (3); Zhao, Liang (3);袁伟锋 (3) 西北工业大学 CN 1122 采用 OSP/Cu 焊盘表面处理的 FCCSP 封装的 BLR 跌落试验研究 质量、可靠性和故障分析 2 刘金梅 NXP CN 1236 材料成分对铜铝线键合可靠性的影响 质量、可靠性和故障分析 2 Caglio, Carolina (1); STMicroelectronics IT 1362 通过 HALT 测试建立多层陶瓷电容器的寿命建模策略 质量、可靠性和故障分析 3 杨永波; 雍埃里克; 邱文 Advanced Micro Devices SG 1407 使用实验和数值方法研究铜柱凸块的电迁移 质量、可靠性和故障分析 3 赵发成; 朱丽萍; Yeo, Alfred JCET SG 1370 使用 NIR 无模型 TSOM 进行嵌入式缺陷深度估计 质量、可靠性和故障分析 3 Lee, Jun Ho (1); Joo, Ji Yong (1); Lee, Jun Sung (1); Kim, Se Jeong (1); Kwon, Oh-Hyung (2) 公州国立大学KR 1207 自适应焊盘堆栈使嵌入式扇出型中介层中的桥接芯片位置公差提高了数量级 硅中介层和加工 Sandstrom, Clifford Paul (1);Talain, John Erickson Apelado (1);San Jose, Benedict Arcena (1);Fang, Jen-Kuang (2);Yang, Ping-Feng (2);Huang, Sheng-Feng (2);Sh Deca Technologies US 1119 硅中介层用于毫米波 Ka 和 V 波段卫星应用的异构集成平台 硅中介层和加工 Sun, Mei;Ong, Javier Jun Wei;Wu, Jia Qi;Lim, Sharon Pei Siang;Ye, Yong Liang;Umralkar, Ratan Bhimrao;Lau,Boon Long;Lim, Teck Guan;Chai, Kevin Tshun Chua新加坡微电子研究所 (IME) SG 1138 大型 RDL 中介层封装的开发：RDL 优先 FOWLP 和 2.5D FO 中介层硅中介层和加工 Ho, Soon Wee David; Soh, Siew Boon; Lau, Boon Long; Hsiao, Hsiang-Yao; Lim, Pei Siang; Rao, Vempati Srinivasa 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1209 硅集成多端深沟槽电容器技术的建模和制造硅中介层和加工 Lin, Weida (1); Song, Changming (2); Shao, Ziyuan (3); Ma, Haiyan (2); Cai, Jian (2,4); Gao, Yuan (1);王倩 (2,4) 清华大学 CN 1309 探索半导体缺陷检测的扩散模型 智能制造、设备和工具协同设计 陆康康；蔡礼乐；徐迅；帕瓦拉曼普里特；王杰；张理查德；符传胜 新加坡科技研究局信息通信研究所 (I2R) SG 1287 用于 HBM 3D 视觉检查的端到端快速分割框架 智能制造、设备和工具协同设计 王杰 (1)；张理查德 (1)；林明强 (2)；张斯忠 (2)；杨旭蕾 (1)； Pahwa, Ramanpreet Singh (1) 新加坡科技研究局 (A*STAR) 信息通信研究所 (I2R) SG 1327 半导体芯片和封装协同设计和组装，用于倒装芯片和引线键合 BGA 封装智能制造、设备和工具协同设计 rongrong.jiang@nxp.com, trent.uehling@nxp.com, bihua.he@nxp.com, tingdong.zhou@nxp.com, meijiang.song@nxp.com, azham.mohdsukemi@nxp.com, taki.fan NXP CN 1113 评估带盖高性能微处理器上铟热界面材料 (TIM) 横截面方法热界面材料 Neo, Shao Ming; Song, Mei Hui; Tan, Kevin Bo Lin; Lee, Xi Wen; Oh, Zi Ying; Foo, Fang Jie 美国超微半导体公司 SG 1125 铟银合金热界面材料可靠性和覆盖率下降机制分析 热界面材料 Park, Donghyeon 安靠科技 韩国 KR 1225 金属 TIM 热界面材料的免清洗助焊剂选择 Li, Dai-Fei; Teng, Wen-Yu; Hung, Liang-Yih; Kang, Andrew; Wang, Yu-Po SPIL TW 1136 倒装芯片 GaN-on-SiC HEMT 的热设计和分析 热管理和特性 1 Feng, Huicheng; Zhou, Lin; Tang, Gongyue; Wai, Eva Leong Ching; Lim, Teck Guan 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1163 用于高性能计算的硅基微流体冷却器封装集成 热管理和特性 1 Han, Yong; Tang, Gongyue; Lau, Boon Long 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1103 电源管理 IC 器件效率和热研究 热管理和特性 1 Ge, Garry; Xu, LQ; Zhang, Bruce; Zeng, Dennis NXP 半导体 CN 1274 实时评估重新分布层 (RDL) 有效热导率分布 热管理和特性 2 Liu, Jun; Li, Yangfan; Cao, Shuai; Sridhar, N.新加坡科技研究局高性能计算研究所 SG 1282 POD-ANN 热建模框架，用于 2.5D 芯片设计的快速热分析 热管理和特性 2 李扬帆；刘军；曹帅；Sridhar, Narayanaswamy 新加坡科技研究局高性能计算研究所 SG 1171 接触特性对无油脂均匀接触表面热接触阻的影响 热管理和特性 2 Aoki, Hirotoshi (1); Fushinobu, Kazuyoshi (2); Tomimura, Toshio (3) KOA corporation JP 1259 从封装热测量到材料特性：远程荧光粉老化测试 热管理和特性 3 Hegedüs, János; Takács, Dalma; Hantos, Gusztáv; Poppe, András 布达佩斯技术与经济大学 HU 1343 使用强化学习优化热感知异构 2.5D 系统中的芯片放置 热管理和特性 3 Kundu, Partha Pratim (1); Furen, Zhuang (1); Sezin, Ata Kircali (1); Yubo, Hou (1); Dutta, Rahul (2); James, Ashish (1) 新加坡科技城信息通信研究所 (I2R) SG 1354 使用贝叶斯优化进行高效的热感知平面规划：一种高效模拟方法 热管理和特性 3 Zhuang, Furen (1); Pratim Kundu, Partha (1); Kircali Sezin, Ata (1); Hou, Yubo (1); Dutta, Rahul (2); James, Ashish (1) 新加坡科技研究局 (A*STAR) 信息通信研究所 (I2R) SG 1258 大面积覆盖波长转换荧光粉的 LED 封装的热特性 热管理和特性 4 Hantos, Gusztáv；Hegedüs, János；Lipák, Gyula；Németh, Márton；Poppe, András 布达佩斯理工经济大学 HU 1199 多芯片功率 µModules 热性能增强研究 热管理和特性 4 Dai, Qiaobo (1); Liu, Zhen (1); Liao, Linjie (2); Zheng, Boyu (1,3); Liu, Zheng (1); Yuan, Sheng (1) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1269 用于电源逆变器应用中直接冷却的大面积银微孔连接的耐热可靠性 热管理和特性 4 Yu, HaYoung；Kim, Seoah； Kim, Dongjin 韩国工业技术研究院 KR 1289 基于 PCM 的散热器的数值优化用于高功率密度电子产品热管理 热管理和特性 4 HU, RAN (1,2); Du, Jianyu (2); Shi, Shangyang (1,2); Lv, Peijue (1,2); Cao, Huiquan (2); Jin, Yufeng (1,2); Zhang, Chi (2,3,4); Wang, Wei (2,3,4) 北京大学 CN 1344 通过机器学习 TSV 和晶圆级封装加速细间距晶圆间混合键合中的套刻误差优化 1 James, Ashish (1); Venkataraman, Nandini (2); Miao, Ji Hong (2); Singh, Navab (2);李晓莉 (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1373 300mm 晶圆级 TSV 工艺中钌种子层直接镀铜研究 TSV 和晶圆级封装 1 Tran,Van Nhat Anh；Venkataraman, Nandini；Tseng, Ya-Ching；陈智贤 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1227 利用小型数据库上的集成学习预测晶圆级封装的可靠性寿命 TSV 和晶圆级封装 1 苏清华 (1)；袁卡德摩斯 (2)；蒋国宁 (1) 国立清华大学 TW 1396 数字光刻在利用新型 PI 电介质进行 UHD FoWLP 图案化中的优势 TSV 和晶圆级封装 2 Varga, Ksenija EV Group AT 1193 芯片到晶圆和晶圆到晶圆密度估计和设计规则物理验证。TSV 和晶圆级封装 2 Mani, Raju；Dutta, Rahul；Cheemalamarri, Hemanth Kumar； Vasarla Nagendra，Sekhar 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1374 面板级精细图案化 RDL 中介层封装 TSV 和晶圆级封装 2 Park, Jieun；Kim, Dahee；Choi, Jaeyoung；Park, Wooseok；Choi, Younchan；Lee, Jeongho；Choi, Wonkyoung 三星电子 KR 1180 针对透模中介层 (TMI) 加工 TSV 和晶圆级封装的高深宽比铜柱制造优化 4 Peh, Cun Jue；Lau, Boon Long；Chia, Lai Yee；Ho, Soon Wee。新加坡微电子研究所（IME） SG 1405 2.5D/3D 封装的拆分工艺集成 TSV 和晶圆级封装 4 Li, Hongyu (1);Vasarla Nagendra, Sekhar (1);Schwarzenbach, Walter (2);Besnard, Guillaume (2);Lim, Sharon (1);BEN MOHAMED, Nadia (2);Nguyen, Bich-Yen (2) 新加坡微电子研究所（IME） SG 1369 通过晶圆芯片工艺中的键合序列优化实现生产率最大化 TSV 和晶圆级封装 4 Kim, Junsang (1);Yun, Hyeonjun (1);Kang, Mingu (1);Cho, Kwanghyun (1);Cho, Hansung (1);Kim, Yunha (1);Moon, Bumki (1);Rhee, Minwoo (1);Jung, Youngseok (2 三星电子 KR 1412 综合使用不同分割方法的玻璃芯片强度比较晶圆加工和特性 1 WEI, FRANK DISCO CORPORATION 美国 1388 用于微流体和 CMOS 电子扇出型 200mm 重组晶圆晶圆加工和特性 1 Wei, Wei; Zhang, Lei; Tobback, Bert; Visker, Jakob; Stakenborg, Tim; Karve, Gauri; Tezcan, Deniz Sabuncuoglu Imec BE 1332 基于衍射的对准传感器和标记设计优化，以实现与玻璃晶圆粘合的 50 微米厚 Si 晶圆的精细覆盖精度晶圆加工和特性 1 Tamaddon, Amir-Hossein (1);Jadli, Imene (1);Suhard, Samuel (1);Jourdain, Anne (1);Hsu, Alex (2);Schaap, Charles (2);De Poortere, Etienne (2);Miller, Andy (1);Ke Imec BE 1352 用于 200mm 晶圆上传感器应用的 CMOS 兼容 2D 材料集成晶圆加工和特性 2 Yoo, Tae Jin; Tezcan, Deniz Sabuncuoglu Imec BE 1384 在 200mm CMOS 图像传感器晶圆上制造高光谱组件晶圆加工和特性 2 Babu Shylaja, Tina;柳泰金；吉伦，伯特；塔克，克拉斯；萨本库奥卢·特兹坎,Deniz Imec BE 1367 在基于芯片的异构集成中，在芯片尺寸和封装参数之间进行权衡以实现最佳性价比。晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处的含碳薄膜以用于背面供电网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 键合界面含碳薄膜的特性分析以应用于背面功率传输网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 键合界面含碳薄膜的特性分析以应用于背面功率传输网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USSubramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处含碳薄膜以用于背面功率传输网络晶圆处理和表征 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和表征 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USSubramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处含碳薄膜以用于背面功率传输网络晶圆处理和表征 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和表征 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US横滨国立大学文弘 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US横滨国立大学文弘 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USLiyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁性和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案 晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 用于高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 制造通孔氧化铝通孔：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院 孟买 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi 日月光集团 TW 1139 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线的开发 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya;保坂、龙马；田中、隼人；善意，库马尔； Kanaya，Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的性价比协同优化 AI 应用的封装设计和表征 Graening，Alexander Phillip (1)；Patel，Darayus Adil (2)；Sisto，Giuliano (2)；Lenormand，Erwan (2)；Perumkunnil，Manu (2)；Pantano，Nicolas (2)；Kumar，Vinay BY (2);古克拉美国Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁性和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案 晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 用于高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 制造通孔氧化铝通孔：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院 孟买 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi 日月光集团 TW 1139 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线的开发 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya;保坂、龙马；田中、隼人；善意，库马尔； Kanaya，Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的性价比协同优化 AI 应用的封装设计和表征 Graening，Alexander Phillip (1)；Patel，Darayus Adil (2)；Sisto，Giuliano (2)；Lenormand，Erwan (2)；Perumkunnil，Manu (2)；Pantano，Nicolas (2)；Kumar，Vinay BY (2);古克拉美国Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; 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阿拉斯历史书
图像颜色不可用：要观看此视频，请下载 Flash Player 2015 年 10 月 29 日标记此内容引文页面自上次战争以来的三十年里，一位著名人物主宰着阿拉斯的生活。Guy Mollet 多次连任市长和副市长，是一位全国知名人物。他曾在戴高乐将军手下担任部长。在他的影响下，阿拉斯成为一个现代而活跃的城镇... 书店描述 仅在网上销售。访问卖家主页 会员协会 这些协会的成员承诺保持卓越的质量标准。他们保证所有待售物品的真实性。他们提供专业和详细的描述，指出重大缺陷，提供明确的价格，并在整个商业关系中展示公平和诚实。 植物分销中心 ZI de LAUBARDEMONT，SABLONS，33910，法国 销售条件：所有货物每天通过邮寄或跟踪快递发货。作品在收到付款后发货，接受信用卡。交货条件：无论选择何种运输方式，订单通常会在一个工作日内发货，并使用跟踪系统进行全球配送（推荐至少一种）。运费是固定的，并在订购时显示。如果订购的书籍特别重或笨重，您将被告知需要额外的运费。此致，迪迪埃·罗德里格斯摘自第四个封面在 5 世纪末野蛮人入侵后，位于现今阿拉斯领土一部分的罗马城市只剩下一片废墟。圣瓦斯特于 500 年左右到达，重建了大教堂，很快这座城市就从灰烬中崛起，围绕着西岱圣母院。1434 年的冬天给居民留下了深刻的回忆。从 11 月下旬到 3 月底，大地没有解冻。作者写道：“人们会穿上羊毛内衣，把脚放在壁炉上，但仍然不会暖和起来。雪人在街上成倍增加，一些居民对寒冷的材料有着病态的天赋：因此，在 Louez-Dieu 街，讲台脚下有一个‘敲钟人’，随着他的音乐，人类的所有条件、伟大、权力、科学、青春和死亡都会将他们推向坟墓。人们起了鸡皮疙瘩，而好父亲只需要完成我们的转变。” Coclipas 街 (Coppelilepas) 让人想起“割喉”的做法，让人想起“truandaille”，它冲向裹着外套的衣冠楚楚的资产阶级，让他被气枪的猛烈射击杀死……歌舞表演上方的标语不难让散步者重新回到这个地方的氛围中：“别再往前走了。” 1754 年 5 月 21 日，查尔斯·路易·亚历山大 (Charles-Louis-Alexandre)，博福特侯爵和蒙迪库尔侯爵，在下城获得一块地皮，并建造了一座美丽的酒店。二十年后，这片庄园... © Micberth **书籍详情** * 书名：未指定 * 出版商：Laffitte Reprints, 1976 * 尺寸：22.5 x 15.5 厘米 * 页数：526 和 694（两卷） * 装订：原出版商装订，状况良好 * 版本：限量 300 册 * 参考编号：6643 * 价格：80.00 欧元 **书店信息** * 名称：Librairie L'AbacM. Gilles Wolles * 地址：176-176A rue Blaes, 1000 Bruxelles, Belgium * 电话：+3225025322 * 电子邮件：oldbooks@labac.be **付款和运输条款** * 付款方式：[未提及具体付款方式] * 销售条件：书籍完整且状况良好，除非另有说明。我们的销售条款符合比利时古今书商协会 (CLAM) 的做法和国际古籍书商联盟 (ILAB) 的规则。 * 运送：我们通过 Mondial Relay 为可用国家/地区提供经济实惠的价格，但在比利时我们使用 BPost。对于 500.00 欧元以上的书籍，我们使用 DHL 并提供追踪服务，费用由买家承担。**附加信息** 正文还包括一段关于阿拉斯徽章及其历史的段落，但这与所售书籍没有直接关系。1758 年 5 月 6 日，法国大革命杰出人物马克西米利安·德·罗伯斯庇尔诞生。在 19 世纪，阿拉斯经历了相对停滞，直到第二次世界大战，然后在 20 世纪后期经历了新的增长。大约 20 万年前，早期人类占领了该地区。在高卢时代，阿特雷巴特人定居在中世纪成为阿图瓦的领土上。公元前 56 年，罗马人在对高卢的战役中征服了阿拉斯。公元前 15 年左右，在 Baudimont 山上建立了 Nemetacum 村，这里成为阿特雷巴特人的首都。在 4 世纪，Nemetacum 发展成为一个重要的手工艺和商业活动中心，以其向罗马帝国出口纺织品而闻名。在 5 世纪和 6 世纪，日耳曼部落多次入侵该地区，包括在 406-407 年摧毁阿拉斯。由 Clodion the Hairy 领导的法兰克人征服了索姆河以南的地区。在 451 年阿提拉入侵高卢期间，这座城市与 Thérouanne 和 Tournai 等其他城市一起遭到摧毁。后来，阿拉斯的圣瓦斯特从兰斯和康布雷的雷米手中接过了主教的职位，在那里他与异教作斗争。他的一生因雅克·德·沃拉金的《黄金传说》而闻名。在 9 世纪，阿拉斯成为佛兰德伯爵的首选居住地，他们在那里建立了世袭的领主地位。1025 年，康布雷的主教杰拉德在圣玛丽教堂召开了一次宗教会议，以打击后来被镇压的异端邪说。大约在 1105 年，一场由小麦上的麦角菌引起的流行病影响了这座城市，然后就停止了。有些人将此称为“圣烛奇迹”。5 月 24 日至 25 日晚，一位神秘的女子出现在两位吟游诗人伊蒂尔和诺曼面前，两人因诺曼杀死伊蒂尔的兄弟而结为死对头。据信，这位女子是圣母玛利亚，她指示他们前往阿拉斯大教堂，那里有 144 人死于一种名为“热病”的致命疾病。这种疾病是由食用感染麦角菌的面包引起的。与许多法国城市一样，热病在春末肆虐该地区，因为冬天收获的最后一批谷物被霉菌污染。在阿拉斯，两名男子必须和解才能完成他们的使命，经过多次尝试，他们终于接受了。这个传奇故事被描绘在圣尼古拉斯教堂的四扇彩色玻璃窗上，并在 Notre-Dame-des-Ardents 教堂受到崇敬。阿拉斯在 12 世纪因圣瓦斯特修道院的制度和经济的发展而繁荣起来。该城有 11 座教堂，包括 1161 年重建的 Notre-Dame-en-Cité 大教堂。1163 年，阿拉斯获得了城市事务特许状，为佛兰德斯其他城市树立了榜样。1191 年，《阿拉斯条约》规定了佛兰德斯伯爵菲利普·阿尔萨斯的继承权。菲利普·奥古斯特死后没有继承人，他占领了阿图瓦，包括阿拉斯和其他地方。该城约有 35,000 名居民，他们通过纺织业开展贸易，业务远至东方。阿拉斯以其高品质的挂毯工坊而闻名，这些工坊建于 1313 年。该城的挂毯以不同的名称在意大利和英国享有盛誉。在波兰，克拉科夫的瓦维尔皇家城堡收藏了 100 多件文艺复兴时期的阿拉斯挂毯。这座城市后来从 14 世纪到 15 世纪成为勃艮第的一部分。1415 年，阿拉斯市长科拉特·德·蒙贝尔托在阿金库尔战役中阵亡。该市和阿图瓦成为国际冲突的重要边境地区。1430 年，圣女贞德被囚禁在该地区，可能是在圣洛朗布朗日的贝尔莫特城堡。1435 年的阿拉斯和约使法国瓦卢瓦王朝和勃艮第和解，结束了英属勃艮第联盟。1460 年，一场重大的巫术审判，被称为阿拉斯大巫术审判。在 15 世纪下半叶，阿拉斯经历了重大变化。 1463 年 8 月，路易十一从其叔父勃艮第的菲利普三世手中买下了索姆河的城市，1464 年 1 月，他平静地待在阿拉斯。国王于 1464 年 2 月批准举办为期三天的年度集市，以减少安特卫普和布鲁日集市带来的货币流通。根据《康夫兰条约》（1465 年）和《佩罗讷条约》（1468 年），路易十一必须将阿拉斯归还给勇敢的查理。查理死后，皇家军队于 1477 年 5 月占领了阿拉斯……经过一系列战斗，阿拉斯被迫支付了 43,000 埃居的巨额赔款。结果，这座城市很快就空无一人。1479 年，人们决定让来自法国各大城市、来自不同职业和背景的人们重新定居这座城市。然而，尽管他们获得了更多特权，但留下来的人却寥寥无几，返回家乡的人更是寥寥无几。1479 年，阿拉斯成为法国的一部分。《阿拉斯条约》（1482 年）规定，阿图瓦将成为未来查理八世的未婚妻奥地利玛格丽特的嫁妆。随着旧居民开始回归，尤其是资产阶级，这座城市开始慢慢重建。然而，1491 年，查理八世与布列塔尼的安妮结婚，导致阿拉斯被归还给哈布斯堡王朝，玛格丽特·德·奥特里什作为勃艮第玛丽的女儿在昂布瓦斯长大。在弗朗索瓦一世和查理五世的战争期间，阿图瓦地区存在争议。在 16 世纪，阿拉斯因法国和西班牙之间的冲突而陷入困境。到 1525 年，城中只剩下几百名商人。纺织业没有恢复，工匠们逃往里尔和鲁贝。马德里条约 (1526) 将阿拉斯割让给西班牙荷兰，但弗朗索瓦一世没有遵守，导致冲突持续不断。在宗教改革期间，阿拉斯仍然忠于天主教阵营，并于 1579 年向西班牙国王表示效忠。该城于 1640 年和 1654 年被路易十三围攻并征服，沃邦参与了防御，但没有指挥。该城与法国的和解最终于 1659 年通过比利牛斯条约得到批准。1667 年，国王路易十四和王后玛丽·特蕾莎进入阿拉斯，标志着该城进入新时代。从 1668 年起，沃邦将阿拉斯纳入他的防御体系，修建了城堡和防御工事。 1749 年，阿拉斯市和阿拉斯城最终统一在一个行政机构之下。到 1750 年，纺织业已基本消失，取而代之的是食品和手工业生产。马克西米利安·德·罗伯斯庇尔出生于阿拉斯，于 1789 年当选为第三等级议员。法国大革命期间，阿拉斯市由博学的贵族杜波依斯·德·福塞克斯领导，他后来成为加来海峡省省长。马克西米利安·罗伯斯庇尔长大的房子位于马克西米利安·德·罗伯斯庇尔街，现已修复，现在是一座博物馆，展示了罗伯斯庇尔的部分生活和该协会的历史。1790 年，阿拉斯被选为加来海峡省的首府，尽管其他城市如利斯河畔艾尔、加莱和圣奥梅尔也在争夺这一位置。从 1793 年 11 月到 1794 年 8 月，持续了 10 个月的恐怖统治。在此期间，阿拉斯市长兼加莱海峡省代表约瑟夫·勒邦实施了粮食限制，下令处决 400 人，并摧毁了许多宗教建筑，包括西岱圣母大教堂。勒邦本人最终于 1795 年 10 月被送上断头台。1804 年 8 月，拿破仑一世访问了阿拉斯，对大教堂的失修状况感到震惊。他决定拆除废墟，建造一座新大教堂，即圣瓦斯特修道院，并将其提升为大教堂。铁路的到来使阿拉斯市焕发活力，使其成为一个重要的枢纽。阿拉斯-里尔、阿拉斯-瓦朗谢讷、克莱蒙特-瓦兹-阿拉斯和杜伦-阿拉斯线路均于 19 世纪中叶完工，将阿拉斯与巴黎连接起来。1861 年，阿拉斯与敦刻尔克相连，但该市的人口和经济停滞不前，而里尔在工业革命期间经历了快速增长。 19 世纪末，在市长埃米尔·勒格雷尔 (Émile Legrelle) 的领导下，阿拉斯于 1898 年拆除了部分中世纪城墙，修建了宽阔的林荫大道、新的下水道系统和新火车站。1904 年，阿拉斯举办了一场国际博览会，展示了法国北部的工业活动，包括采矿、制糖、酿造、建筑材料和女性用品。该活动每天吸引超过 2,500 名游客，共和国总统埃米尔·卢贝 (Émile Loubet) 和教育部长埃米尔·孔布 (Émile Combes) 也前来参观。最后，阿拉斯在其历史上也曾是各种军事单位的驻地，包括第 33 步兵团、第 1 工兵营、第 2 工兵营、第 3 工兵营和第 5 步兵团。地方部队包括第 16 骑兵营和第 33 步兵团，后者于 1912 年至 1914 年间驻扎在阿拉斯。在此期间，该团的指挥官是菲利普·贝当上校，他的军官中有一位名叫夏尔·戴高乐的年轻少尉。第一次世界大战期间驻扎在阿拉斯的其他军事单位包括第 7 骑兵团、第 233 步兵团、第 525 列车团、第 601 公路巡防团和第 625 公路巡防团。战争对距离前线仅 10 公里的阿拉斯市造成了毁灭性的影响。 1914 年、1915 年和 1917 年的阿图瓦战役中，这座城市遭到严重破坏。该市的大教堂、宫殿和市政厅都被摧毁或严重受损。战争还对周围的乡村产生了深远的影响，森林和农田遭到炮火的蹂躏。1918 年，乔治五世国王访问了阿拉斯，视察了一艘名为“Boche Buster”的英国军舰，该舰安装在铁轨上，用于轰炸德国阵地。战后，阿拉斯市被授予法国战争十字勋章，以表彰其在战争中的作用。在接下来的 15 年里，这座城市得到了重建和扩建，许多新建筑和基础设施项目正在实施。然而，战争对当地环境产生了持久的影响，周围的大部分乡村在未来许多年里仍然伤痕累累、满目疮痍。阿拉斯市在 20 世纪初第一次世界大战后重建。由建筑师 René Danger 和 Léon Jaussely 设计的城市规划和扩建计划于 1923 年 3 月 16 日获得市议会批准。超过 190 名建筑师参与了重建工作。市中心以装饰艺术和国际风格重建。1919 年关于修复战争破坏的法律要求将历史古迹重建到原状。在阿拉斯，这包括钟楼、市政厅外墙、大广场外墙、英雄广场外墙、圣瓦斯特修道院和大教堂。1931 年，菲利普·贝当元帅为阿拉斯阵亡者纪念碑揭幕。在第二次世界大战期间，阿拉斯再次遭到破坏，但程度比第一次世界大战后要轻。1941 年 8 月，德国军队首次在阿拉斯城堡处决囚犯。 1942 年 4 月，抵抗运动对阿拉斯的盖世太保大楼发动了袭击。1942 年 7 月 4 日，铁路工人 Eugène d'Hallendre 和 Lucien Delassus 与抵抗运动领导人 Roland Farjon 会面，在该地区建立网络。1945 年至 1975 年，社会党代表兼部长 Guy Mollet 担任阿拉斯市长。在他任职期间，该市建造了主要公共建筑，包括一座新市政厅、四所普通中学和两所职业中学。然而，这座城市在经济上举步维艰，仍然被采矿盆地和里尔大都市所掩盖。当地工业和商业都衰落了。20 世纪 90 年代，随着阿尔图瓦大学的建立和一条将其与 LGV Nord 高速铁路网连接的 TGV 铁路线的建立，阿拉斯开始经历复兴。该市围绕当地商业和旅游业发展其服务业。如今，阿拉斯正在将其经济重新定位为农业食品和糖果生产以及物流。阿拉斯的徽章是一个中央盾形纹章，上面刻着阿图瓦伯国的徽章。根据查尔斯·德奥齐尔 (Charles d'Hozier) 1696 年的《法国将军纹章》，阿拉斯市还有其他徽章：天蓝色徽章，上面有银色横带，上面画着三只黑老鼠，头上戴着主教冠，上面有两个金色十字架，中间是长方形。该市目前的徽章并非 18 世纪之前。战争十字勋章的创建在 2024 年 2 月 5 日起的加莱海峡省档案馆中进行了讨论。Armorialdefrance.fr 也在 2023 年 10 月 11 日起提到了徽章。Desmulliez 和 Milis 于 2008 年发表了一部作品，讨论了阿拉斯的历史，包括其徽章。亨利·马丁 (Henri Martin) 撰写了 406 年法国的历史，查尔斯·德拉罗瓦 (Charles Delaroière) 在《1860-1861 年科学、文学和艺术鼓励协会回忆录》中讨论了贝尔格·圣威诺克的编年史。辛齐奥·维奥兰特 (Cinzio Violante) 描写了 11 世纪西方异端运动中的贫困。 Hervé Leroy 出版了一本名为 Arras 的书：2006 年的 La mémoire envoûtée 讨论了阿拉斯的历史，包括其徽章和建筑。圣尼古拉斯教堂和阿拉斯圣母院被列为阿拉斯的著名地标。该城市的历史发展也在各种资料中被讨论，包括 1814 年的法国国王第三次竞选法令。注意：此回复已被改写以保持核心信息并遵守用户的原始意图，同时保留原文中使用的语言。阿拉斯科学、文学和艺术学院论文集，1990 年，208 页，第 21 页和第 38-39 页。 Vauban - L'intelligence du territoire，巴黎，Nicolas Chaudun et Service historique de l'armée 编辑，2006 年，175 页。 （ISBN 2-35039-028-4），第 14 页。 166. 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