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World File Search System一个二维
用于未来信息技术的二维材料
1 南京大学电子科学与工程学院，南京 210023；2 南京大学集成电路学院、未来智能芯片交叉学科研究中心（Chip-X），苏州 215163；3 南京邮电大学集成电路科学与工程学院，南京 210003；4 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海 200083；5 东南大学电子科学与工程学院物理学院、量子材料与器件教育部重点实验室，南京 211189；6 浙江大学集成电路学院、硅基与先进半导体材料国家重点实验室，杭州 310027；7 苏州实验室，苏州 215004； 8 复旦大学微电子学院集成芯片与系统国家重点实验室，上海 200433；9 绍兴实验室，浙江绍兴 312000；10 香港理工大学应用物理系，香港 999077；11 湖南大学材料科学与工程学院，湖南省微纳物理与技术重点实验室，长沙 410082；12 浙江大学集成电路学院，浙江杭州 311200；
倾斜二维材料热差反射率...
狄拉克材料中完美锥形色散的偏差（例如质量或倾斜的存在）增强了电子传输的控制和方向性。为了识别这些特征，我们分析了掺杂大质量倾斜狄拉克系统中光学反射率的热导数光谱。确定态密度和化学势是使用热卷积计算有限温度下光学电导率张量的初步步骤。温度变化引起的反射变化可以清楚地识别光学响应中的临界频率。通过测量热导数光谱中的这些光谱特征，可以确定能隙和能带结构倾斜。对各种低能狄拉克汉密尔顿量的光谱进行了比较。我们的研究结果表明，热差光谱有望成为一种探测二维狄拉克费米子带间跃迁的有价值技术
1二维石墨烯状的Beo片
trichalcogenides（例如SNP 2 S 6 [20]，SNP 2 SE 6 [21]，CUCRP 2 S 6 [22]，Cuinp 2 S 6 [23]），金属氧化物二甲替代
二维复杂金属卤化物-UCL Discovery
2004年石墨烯的突破，当时它是第一个同样的，揭示了2D材料的独特特性，并推动了2D材料研究的增长。这导致发现了许多新型的单层材料，例如苯苯丙烯，过渡金属二核苷（TMDS）和六核氮化物。这些材料由于其对电子应用的有希望的特性而引起了科学界社区中的巨大兴趣。tmds由于其多功能性和可调性，在包括催化，储能和光电子的各种应用中被证明具有吸引力。1尽管在许多情况下2D材料与其大容量相比具有增强的性质，但是有不足的方法可以控制纳米级结构，使2D材料的大规模可重复性差异很大，从而阻碍了它们进入我们的日常生活。2
微观斑点的二维氦原子衍射
在扫描氦显微镜 (SHeM) 中演示了一种以微米级空间分辨率测量氦原子衍射的方法，并将其应用于研究氟化锂 (LiF) 晶体 (100) 平面上的微米级斑点。观察到的衍射峰的位置提供了局部晶格间距的精确测量，而紧密耦合散射计算和蒙特卡罗射线追踪模拟的组合则重现了衍射强度的主要变化。随后，通过在倒易空间中的不同点进行测量，衍射结果可用于增强图像对比度。结果为使用氦微衍射表征小尺度上精细或电子敏感材料的形态开辟了可能性。这包括许多在基础和技术上重要的样品，这些样品无法在传统的原子散射仪器中进行研究，例如小晶粒尺寸的剥离二维材料、多晶样品和其他不表现出长程有序的表面。
高级氧化工艺中的二维纳米结构
摘要：具有纳米结构特征的二维化合物正引起世界各地研究人员的关注。它们在各个领域的广泛应用和未来技术进步的巨大潜力使研究进展不断加快。随着人们环保意识的增强，废水处理和防止危险物质进入环境已成为重要方面，而消费者需求的增加导致了新的、通常不可生物降解的化合物的出现。在这篇综述中，我们重点介绍使用最有前景的二维材料，如 MXenes、Bi 2 WO 6 和 MOFs，作为催化剂来改进 Fenton 工艺以降解不可生物降解的化合物。我们分析了该工艺的效率、毒性、先前的环境应用以及催化剂的稳定性和可重复使用性。我们还讨论了催化剂的作用机理。总之，这项工作为在工业和城市废水处理中使用基于二维材料的催化剂的可能性提供了深刻的见解。
二维 ScB MBene 的带隙工程
MBenes 是二维 (2D) 材料中的一种新兴成员，因其独特的机械和电子特性以及多样化的晶体对称性和结构而备受关注，这些特性使其成为不同类型应用的有希望的候选材料 [1, 2]。然而，原始 MBenes 的固有金属性质可能会成为光学领域中涉及光子吸收、发射和电子学的多种应用的障碍。在半导体材料中，带隙是最重要的参数，人们投入了大量精力来寻找具有广泛带隙的新型纳米材料。虽然 MBenes 通常表现出金属行为，但可以通过能带工程将其调整为半导体。在这项工作中，ScB MBenes 的电子能带结构已利用表面功能化和应变电子学等能带工程技术进行了修改。我们研究了 ScB MBenes 的各种晶体对称性，并检查了它们的结构和动态稳定性。我们的结果表明，具有六方晶体对称性的 ScB 是最稳定的。我们已经研究了具有 O-、F-、OH- 和 H- 官能团的 ScB 的电子结构，并且能带结构计算表明，用 O 官能化的 ScB 在 DFT+U 和混合交换关联函数 HSE06 中分别具有约 0.1 eV 和 0.5 eV 的半导体带隙。除了用 O 官能化之外，施加的平面双轴应变还使带隙进一步增大了 0.8 eV。这可以使 ScBO MBene 充分利用电子、光学和其他多种应用。