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GM50301
概述 GM50301 是一款 2.5GHz 、 10 路输出差分扇出缓冲 器，用于高频、低抖动时钟 / 数据分配和电平转换。输 入时钟可以从两个通用输入或一个晶体输入中选择。 所选定的输入时钟被分配到三组输出，两组包含 5 个 差分的输出和 1 个 LVCMOS 输出。两个差分输出 组均可被独立配置为 LVPECL 、 LVDS 或 HCSL 驱 动器，或者被禁用。 LVCMOS 输出具有用于在启用 或禁用时实现无短脉冲运行的同步使能输入。 GM50301 采用一个 3.3V 内核电源和 3 个独立的 3.3V 或 2.5V 输出电源供电。 GM50301 具有高性能、高功效而且用途广泛，使其 成为替代固定输出缓冲器器件的理想选择，同时增加 系统中的时序裕度。 GM50301 在内核和输出电源域之间没有电源时序要 求。 功能框图
肠道微生物组衍生的水解酶——一个被低估的目标……
近年来，人们对肠道微生物组衍生的水解酶与口服药物代谢的关系研究越来越感兴趣，尤其关注天然药物。尽管天然药物在口服药物领域具有重要意义，但对肠道微生物组衍生的水解酶与这些药物之间的调控相互作用的研究却很少。本综述从三个关键角度深入探讨了肠道微生物组衍生的水解酶与天然药物代谢之间的相互作用。首先，研究了糖苷水解酶、酰胺水解酶、羧酸酯酶、胆汁盐水解酶和环氧化物水解酶对天然产物结构的影响。其次，探讨了天然药物如何影响微生物组衍生的水解酶。最后，分析了水解酶与天然产物相互作用对疾病发展的影响以及开发微生物衍生酶的挑战。本综述的总体目标是为新型天然药物的研究和开发以及个性化治疗的进步奠定坚实的理论基础。
Fetis组推出了一个新的氢发电机集
作为重型移动性和能源部门的系统集成商，FétisGroup在其项目的每个阶段与客户合作，通过共同创新，共同工程和共同开发为脱碳机提供定制的解决方案。致力于能源过渡，FétisGroup提供了脱碳化的机动化，电力传输和能源系统，用于陆上运输（工业车辆），海上（专业海洋）和发电机组。
Gal-1 和Gal-9 在子痫前期患者血清和胎盘表达的临床研究
0.05), 且早发型 PE 组 Gal-1 水平和 Gal-9 水平亦显着高于晚发型 PE 组 ( P <0.05)。 早发型 PE 组和晚发型 PE
在“一个太阳一个世界一个网格
Confidential©2021 Presentation on "One Sun One World One Grid : Energy Integration in South Asia "/Rajiv Ratna Panda/Associate Director/SARI-EI-IRADE/Clean Energy Ministerial Regional and Global Energy Interconnection (RGEI) initiative/AtlanticCouncil.org/4th March,2021, 4.30 PM IST ISTS-Inter-State Transmission
一个军团 - 一个VMI：一个统一的行动计划
田径和军事生活。我们已经对冗余要求，不清楚的标准以及我们统治我们学员日常生活的系统的应用变得不平衡。每个支柱测试（并扩大）学员能力的局限性，因此他们准备满足生活的需求。挑战我们的学员在同时在这三个领域中尽力而为，这使VMI在其发展和教育体系中与众不同。尽管军事和运动组件是VMI体验不可或缺的一部分，但VMI是一个高等教育的机构，必须将时间资源适当地应用于学者。学员和教职员工都表示有必要花费足够的时间来学习，同时还要投资于他们正常课程以外的学术机会。
只是一个
自 2019 年以来，数字赋权基金会 (DEF) 一直通过研讨会、报告和编辑书籍探索人工智能的社会、政治、经济和文化影响，特别是在中央政府的国家人工智能战略 (#AIforAll) 之后，该战略旨在推动人工智能在医疗、农业、教育和基础设施等领域的发展。DEF 认识到，信息和通信技术的进步不仅影响白领工人，还影响农村和服务不足的社区，而这些社区在发展政策中往往被忽视。DEF 的“公正人工智能 - 社区数据和算法”计划侧重于建立社会正义与技术之间的联系，重点关注数据对社区日益增长的影响。该计划采用人工智能造福社会的方法，旨在探索人工智能在印度农村和近郊地区的社会影响方面的研究空白，研究人工智能对金融、教育和服务领域的边缘化社区的影响，并增强年轻人对人工智能用途和局限性的理解。它还寻求建立关于人工智能问责制的政策对话，制定多方利益相关者方法来解决人工智能中的排斥、偏见和不透明问题，并在加强草根初创企业的同时指导人工智能解决方案以造福社会。此外，DEF 致力于通过人工智能、算法系统和数据保护知识为 SoochnaPreneurs、社区和社区驱动的创新生态系统提供支持，同时开发以公民为中心的数字设计和模型，以便在印度有意义地采用人工智能。
一个
Schottky接触是半导体和金属之间关键的界面，在纳米 - 症状导向器件中变得越来越重要。shottky屏障，也称为能量障碍，可以控制跨金属 - 高症导体界面的耗竭宽度和载体运输。控制或调整Schottky屏障高度（SBH）一直是任何半导体设备成功运营中的至关重要问题。本综述提供了SBH静态和动态调整方法的全面概述，特别关注纳米半导体设备的最新进步。这些方法涵盖了金属，界面间隙状态，表面修饰，较低图像的效果，外部电场，光照明和压电效应的工作函数。我们还讨论了克服界面间隙状态引起的费米级固定效应的策略，包括范德华触点和1D边缘金属触点。最后，这篇评论以这一领域的未来观点结束。2024科学中国出版社。由Elsevier B.V.和Science China Press出版。保留所有权利。