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World File Search System三元合金
DR。 Ramanshu Prabhakar Singh
3。Ramanshu P. Singh，Shakti Yadav，Devraj Singh，Giridhar Mishra，“研究依赖温度依赖温度的超声和热物理特性的理论方法，Ti-ZR-HF三元合金，国际应用科学与工程技术研究的国际研究杂志，第10卷，第10卷，第10卷。11，2022，pp 583-588。4。Ramanshu P. Singh，Shakti Yadav，Devraj Singh，Giridhar Mishra，“对温度相关的弹性，热门物理和超声波特性的理论研究” SC-TI-ZR-HF Quaternary合金”应用创新研究（AIR）Shakti Yadav，Ramanshu P. Singh，Devraj Singh，Giridhar Mishra，“ SCZRHF Ternary合金的温度相关机械，热物理和超声特性的调查” Pure and Apploried Ultrasonics杂志
拉伸应变锗微结构
并无需使用载流子注入即可增强电光调制。与此同时，人们正在努力实现完全集成在硅基平台中的发光器，作为 III – V 族材料的经济高效的替代品。这方面的两个主要途径是使用 Ge 及其与 Si 和 Sn 的合金，以及应变工程。硅 – 锗 – 锡 (GeSn) 合金可能是一种很有前途的解决方案 [4]，因为它的能带结构可以通过其成分来控制，从而在宽光谱范围内实现高发射效率，但这些三元合金对材料生长提出了一些技术挑战。[5] 能带结构控制的替代途径是在 Ge 和 GeSn 合金中引入拉伸应变。这里的目标是利用拉伸应变来降低导带 L 和 Γ 最小值之间的能垒，实现准直接带隙材料，从而提高辐射效率。此外，拉伸应变的作用是消除重空穴 (HH) 和轻空穴 (LH) 价带之间的简并性，并降低导带和价带之间的能量差，[6,7] 从而提供对带隙的所需控制。这些能带结构效应可以通过光致发光 (PL) 实验揭示，而半导体中应变的关键测量可以使用拉曼光谱来实现。机械变形会显著影响 PL 发射、谷分裂的不均匀性或重叠
光学准晶体的八倍方式
固态准则的异常结构特性到目前为止已经建立了良好，在第一个出版物之后超过四分之一以上[1]。最好通过标准的结晶方法获得的最佳准甲基盐样品在非常狭窄的，可降低的差异峰上得到了完美的序列。在没有翻译不变性的情况下，准晶体可以具有禁止晶体的旋转对称性，例如5倍或在当前情况下为8倍对称。准晶体中local环境的重复性的特性可确保原子的相同有限的配置彼此近似。准晶体在长度尺度的变化方面具有自相似性。这些特性导致人们期望这些物质中的新物理特性，实际上，它们被认为具有有趣的电子，磁性和机械性能。不幸的是，对这些材料的理论理解落在了实验发现后面，部分原因是固态准晶体通常是双合金或三元合金。它们的结构复杂性使得无法使用分析方法，并且将数值计算扩展到极限。因此，实现单个组件的准物质是一个长期的目标。我们最近展示了[2]如何使用四个固定波激光场引起的光势来捕获颗粒，并实现具有八倍符号的二维式准二维结构。当被困颗粒为原子时，de-在本文中，我们提供了该结构的详细信息，即8倍的Quasicrystal，它与众所周知的八角形（或Ammann-Beenker）瓷砖固定器[3]密切相关。
fecocu/c纳米复合材料的合成，结构和电磁特性
fecocu三元纳米颗粒在Fecocu / c金属碳纳米复合物的碳基质中分布和稳定，已使用由控制的IR热解的前体进行了合成，该前体的聚合物 /乙酰乙酸铁酯 /钴酸铁和铜乙酸乙酸的型号由关节溶液构造的型号均可替换为“乙酰乙酸盐 /钴乙酸酯 /碳酸酯”。已经研究了合成温度对纳米姿势的结构，组成和电磁特性的影响。表明，由于Fe3γ与COCU固体溶液的纳米颗粒的相互作用，发生了Fecocu三元纳米颗粒的形成。合成温度的升高会导致金属纳米颗粒的大小增加，这是由于基质重建而导致的，它们的团聚和聚结。此外，具有可变成分的三元合金纳米颗粒可能会根据合成温度和金属的含量比形成。拉曼光谱表明，纳米复合材料的碳基质的结晶度随着合成温度而增加。已经研究了3-13 GHz的纳米复合材料的相对介电常数和渗透率的频率响应。已经表明，金属的含量比变化显着增加了介电和磁损耗。以前的损失是由纳米复合碳基质形成复杂的纳米结构引起的，而后者则来自纳米颗粒的大小的增加以及自然铁磁共振频率向低频区域的变化。反射损失已经使用标准方法从有关相对介电常数和渗透率的频率响应的实验数据中计算出来。已经表明，电磁波的频率范围和吸收（从–20到–52 dB）可以通过改变前体中金属的含量比来控制。与在相似条件下合成的FECO/C纳米复合材料相比，实验获得的纳米复合材料提供了更好的结果。
非化学计量 NiFeMo 固溶体
HER 动力学缓慢，而 Ni 则具有一些积极特性，例如高导电性、稳定性和相对较高的地球丰度。[1,3] 自 20 世纪 60 年代以来，人们做出了巨大努力来提高 Ni 基电催化剂的催化活性，采用了各种有希望的候选材料，例如镍的氢氧化物、二硫属元素化物、磷化物、碳化物等。[1,4] 通常，可以通过调整催化剂的形貌（例如，生产纳米线、纳米片、纳米颗粒等）来增加活性表面积，以及改善可用活性位点的固有活性（例如，通过合金化、掺杂、缺陷工程等）来增强催化活性。对于镍而言，形成合金是改变形貌和内在活性的常用策略，其中 NiCo、NiFe 和 NiMo 混合物已被鉴定为很有前途的 HER 电催化剂。[2b,4,5] 多组分合金的使用是二元体系的自然延伸，其中已经研究了三元合金，例如 CuAlNi、NiMoFe 和 NiMoW[2b,4]，尽管每种金属的作用尚不完全清楚。在常见的 Ni 合金中，NiFe 混合物通常表现出更好的催化性能，特别是，在这些合金中添加 Mo 可以降低起始电位，这是由于有利的氢-金属相互作用和增加活性位点的数量。[4,6] 因此，NiFeMo 合金是最有前途的 HER 电催化剂之一，主要通过热液工艺[7]或电沉积生产。 [8] 合成技术的选择对催化剂的形貌有显著的影响，一般来说，不同的合成技术具有不同的最佳 Ni:Fe:Mo 金属比。此外，这些技术的特点是产量低、材料负载有限，使其在大规模应用中的使用变得复杂。因此，寻找一种能够生产三金属合金的可扩展技术对于氢经济的发展至关重要。溶液前体等离子喷涂 (SPPS) 是一种很有前途的技术，它有可能生产出各种具有适合作为电催化剂的特性的涂层 [9]。因此，在本研究中，我们表明，在等离子喷涂过程中使用含有 Ni、Fe 和 Mo 金属盐的液体前体
口头演示
会议1A：全体会议I会议椅：Xiuling Li和Luke Mawst，星期一，星期一，5月13日，2024年5月13日，凡尔赛塔，诺曼底舞厅2楼1 8:15 AM开幕词上午8:30 AM *1A.1 ALN -MOVPE ZLATKO ZLATKO SITAR; NCSU，美国单晶铝氮化铝的直接带隙为6.1 eV，还带来了实现深紫外光电子，极端RF和功率设备的技术机会，此外还可以进行量子相互作用。由于ALN底物实际上没有位错，可以将Movpe同型的表面形态从2D-核的控制到阶梯流增长，甚至逐层生长。生长过程通过全包表面动力学框架进行定量描述，该框架连接输入蒸气过饱和，表面过饱和，表面扩散长度和底物不良方向角度。表面特征的管理对于三元合金和均匀掺杂的生长至关重要。从历史上看，ALN的电导率非常有限，大概是由于DX - 过渡形成受体状态和随后的自我补偿，这对可实现的自由载体浓度施加了严重的上限。然而，最近的结果表明，该过渡代表了从浅层到深层供体状态的平衡热力学转变，该状态可以动力学控制。iii-V复合半导体现在通过各种方式与基于SI的电子设备集成了电信和数据通信的光纤网络中，以扩展集成系统的性能和功能。这些事态发展不仅具有强大的UV光电设备，而且还采用了近乎理想的基于ALN的Schottky二极管，支持高达3 ka/cm 2的电流，并且稳定的操作高达700°C，以高达700°C，证明了ALN作为极端环境电源设备的平台。上午9:15 *1A.2在SOI上集成III-V主动设备的新范式 - 沿左侧选择性Movpe Kei May Lau；香港科学技术大学，香港高性能高频和光子设备由复合半导体主导，复合半导体具有先天波长的灵活性，并可以促进电子的高速运输，并结合了异性结构。除了速度和带宽优势外，通过光子而不是电子发送数据可能会更多的能量
姓氏和名字 CALARCO RAFFAELLA 语言
专业经历 - 意大利国家研究委员会 (CNR) 研究主任，罗马微电子与微系统研究所 (IMM)，2018 年 11 月至今 - 休假时间：2018 年 12 月 1 日至 2019 年 8 月 31 日 - 德国柏林 Paul-Drude 固体电子研究所高级科学家，2010 年 8 月至 2019 年 8 月 31 日 - 德国 Jülich GmbH 研究中心研究员，2001 年 11 月至 2010 年 8 月 - 德国亚琛工业大学博士后小组，2000 年 2 月至 2001 年 10 月 - 美国马里兰州巴尔的摩市约翰霍普金斯大学暑期学生小组，1998 年 7 月至 1998 年 8 月 教育经历 - 获得国立科学技术学院正教授资格，Fis03 - 02/B1 MIUR 教授资格，2016 年 - 2023 年2012 – 2019 年 - 任教资格（获得独立大学教学资格） 1. 柏林洪堡大学 德国 2012 年 5 月 30 日 2. 亚琛工业大学 德国 2010 年 2 月 4 日 - 罗马第一大学材料科学博士学位 2001 年 1 月 28 日 - 罗马第二大学物理学学士学位 1996 年 5 月 24 日 研究活动 她的研究集中在自旋电子学、纳米电子学、光电子学和存储器方面。 1996-2000 年：在攻读博士学位期间，她研究了外延 Ge/Si(100) 异质结构，以获得集成在 Si 上的 1.55 µ m 电信波长的光电探测器，为此她将光电探测器效率与结构缺陷相关联。 2000-2001：制备了具有可重复特性和室温磁阻相关变化的磁隧道结。生长了具有高自旋极化和光滑表面/平面界面的铁磁层（Co/AlOx/Co）。 2001-2005：制备了稀磁半导体（注入Mn、Cr或V离子的n型和p型GaN层）并实现了混合铁磁体/半导体结构，即在纤锌矿GaN（0001）上外延生长的bcc Fe（110）薄膜。 2004-2010：专注于III族氮化物NW的生长与表征，深入研究了生长机制和电子特性。由于NW的表面积与体积比很大，表面对NW的物理行为和器件性能有很大的影响。特别针对存在积累层和耗尽层的窄带隙（InN）和宽带隙（GaN）材料中的表面空间电荷层效应。对 GaN NW 电学性质的研究表明，带间光电效应随 NW 直径的变化而变化几个数量级。R. Calarco 通过模拟纳米线侧壁表面电子耗尽区的影响来解释这种不寻常的行为。这些研究结果的发表得到了 NW 界的高度认可，本文被广泛引用。2008-2013：参与两个关于实现单光子发射器的德国国家项目。致力于制造 pin 结、布拉格反射器和三元合金（In、Ga)N 纳米线结构，旨在实现可见光范围内的发光二极管 (LED)。纳米线可以生长为单个纳米晶体，结构缺陷比平面薄膜少；因此，它们能够提高器件质量。对于实际的器件应用，纳米线需要定位，为此，R. Calarco 开发了一种非常具有挑战性的生长程序，可以在没有任何金属帮助的情况下在预定位置选择性地生长纳米线（完整的半导体布局，与生产要求兼容）。2012 年，她介绍了一项关于并联运行的单纳米线 LED 的研究。2010-2018：平面氮化物研究。她研究了 In 2 O 3 上 InN 的生长。In 2 O 3 和 InN 之间可以实现重合晶格，并将失配降低到 < 1%。这使得 bcc-In 2 O 3 成为 InN 的有趣替代衬底。她进一步研究了 (In,Ga)N/GaN 短周期中的 In 含量