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博士rer。纳特Giusto Paol
Ph.D.聚合物化学的学生Max Planck胶体和界面研究所，德国波茨坦，“基于碳的薄膜的化学蒸气沉积：从二进制到三元系统”，主管：H。 c。 MarkusAntonietti有机薄膜的有机薄膜（化学蒸气沉积）和有机薄膜的表征（椭圆表）的新实验室设置有机半导体薄膜的合成：设计和开发用于通过化学蒸气沉积/div>的薄膜材料设计和开发用于薄膜的材料，Ph.D.聚合物化学的学生Max Planck胶体和界面研究所，德国波茨坦，“基于碳的薄膜的化学蒸气沉积：从二进制到三元系统”，主管：H。 c。 MarkusAntonietti有机薄膜的有机薄膜（化学蒸气沉积）和有机薄膜的表征（椭圆表）的新实验室设置有机半导体薄膜的合成：设计和开发用于通过化学蒸气沉积
在GE，SB和TE元素系统中氮的氮掺入的光谱研究：迈向了解相变材料中氮效应的一步 开发用于拆卸应用的紧凑型Alpha和Beta摄像头 通过直接数字合成的可扩展低延迟FPGA体系结构量子验控制 智能写算法以增强RRAM宏的性能和可靠性 关键驱动因素和促使6G时代 全基因组关联研究确定了与法洛的四边形相关的12q24和13q32的基因座 用户实施例比较虚拟现实中半自治和完全捕获的头像运动 绿色回收方法处理锂离子电池电子废物 开发一个方法学框架，用于评估行星边界内电池升级的绝对可持续性 主动学习中的无监督未知检测 创新的多层OT选择器用于性能调整和提高可靠性 多层OTS选择器工程高温稳定性，可伸缩性和高耐力 模型驱动的设计空间探索模拟中的多机器人系统 燃油库，TAF-ID数据库和OC软件
氮化物材料中的氮掺杂是改善材料特性的一种有希望的方法。的确，GESBTE相位变化合金中的N掺杂已证明可以极大地提高其无定形相的热稳定性，这是确保最终相变存储设备的数据保留所必需的。尽管建议这种合金中的N掺杂导致GE-N键的优先形成，但有关键的进一步问题，尤其是SB-N和TE-N，并且结构排列尚不清楚。在本文中，我们介绍了使用大量的N含量从0到50 at at 50 at，我们介绍了沉积的元素GE，SB和TE系统及其氮化物（即Gen，SBN和10合金）的研究。％。通过傅立叶变换红外和拉曼光谱法研究了AS沉积合金。我们确定与GE-N，SB-N和TE-N键形成相关的主动振动模式，强调了N融合对这些元素系统结构的影响。我们进一步定性地将Gen，SBN和十个实验光谱与相关理想氮化物结构的“从头开始”进行了比较。最后，对氮化元素层的分析扩展到N掺杂的GESBTE合金，从而在记忆技术中采用的此类三元系统中对氮键有更深入的了解。