摘要 本研究旨在研究氧化三甲胺(TMAO)调控自噬促进动脉粥样硬化(AS)发生发展的作用机制。以ox-LDL处理血管平滑肌细胞(VSMCs)建立AS体外模型,采用CCK-8试剂盒检测VSMCs吸光度(OD)值,采用透射电子显微镜(TEM)监测自噬体,采用Western印迹法(WB)检测Beclin-1、p62、LC3、α-SMA、SM22-α、OPN、PI3K、AKT、mTOR、p-PI3K、p-AKT、p-mTOR蛋白表达。采用实时荧光定量PCR(RT-qPCR)检测α-SMA、SM22-α、OPN、PI3K、AKT、mTOR、Beclin-1、p62、LC3基因表达;采用Transwell小室实验检测VSMCs迁移能力;采用油红O染色法对VSMCs内脂滴进行染色。TMAO明显促进自噬抑制和AS表型转化,TMAO+ox-LDL组p-PI3K/PI3K、p-AKT/AKT、p-mTOR/mTOR、p62蛋白表达高于ox-LDL组,Beclin-1和LC3低于ox-LDL组。 TMAO+ox-LDL组PI3K、AKT、mTOR、p62基因表达量高于ox-LDL组,而Beclin-1、LC3基因表达量低于ox-LDL组。LY294002的干预可逆转相应蛋白和基因的调控。该研究证实TMAO可通过激活PI3K/AKT/mTOR通路促进AS的自噬抑制,为临床诊断方法的改进和AS靶向药物的研发提供可靠依据。(Int Heart J 2023; 64: 462-469) 关键词:PI3K/AKT/mTOR信号,自噬体
to'rayeva aziza sarvarovna撒马尔罕州立医科大学摘要:世界医学和实践的现代成就使得在治疗慢性非感染疾病方面取得了巨大成功。改善患有循环系统最常见的社会意义病理的人们的预后和生活质量 - 冠心病(CHD),有助于人口经济发展的国家的逐步衰老。因此,过去10年中,全球DM患者的数量已增加了2次以上,到2015年底已达到4.15亿人。根据国际糖尿病联合会的预测,到2040年,有6.42亿人患有糖尿病。根据联邦公报,2016年在俄罗斯,有400万人注册了DM2,人口近3%。但是,这些数据低估了实际的患者数量,因为他们仅考虑了您的疾病狂欢和注册病例,而俄罗斯联合会中DM的实际患者人数可以达到8-900万人(约占人口的6%)。注意到,在超过60%的DM2心血管疾病患者中,有60%的病例出现,它们是大多数患者死亡的原因。众所周知,DM2患者急性心脏病发作的风险是普通人群的6-10倍。冠状动脉疾病和糖尿病的结合是最不利的疾病之一,导致心血管并发症和患者死亡率的多重增加。传统上,这两种最广泛的非传染性病理学的合并症问题主要在老年人和老年患者的队列中表明。但是,最近记录的时间是SD2的“复兴”。因此,世界上大约50%的DM2患者年龄40-59岁,即活跃的工作年龄的人,这大大加剧了这个问题的经济方面。关键词:与普通人群相比,与普通人群相比,冠状动脉疾病,糖尿病,心肌梗死,心肌梗死,三氮嗪引入CVD死亡率的死亡率显着高(男性的2倍以上,男性的2倍以上,女性超过4倍)。传统的心绞痛治疗方法涉及使用可以改善心肌氧需求及其通过动脉粥样硬化狭窄的冠状动脉动脉的对应关系的药物。稳定心绞痛药物治疗的主要位置
镍薄膜可用于从微电子到保护涂层 1 和催化等不同应用领域。2,3 Ni 是未来集成电路 (IC) 互连中铜的替代材料之一,因为 Ni 具有低电阻率和低电子平均自由程,当互连尺寸足够小时,它的电阻率会低于铜。4 例如,当线宽低于 10 纳米时,钴的电导率将超过铜,而镍具有相似的体电阻率,但电子平均自由程甚至低于钴。5 通过加热薄膜,可以将沉积在硅上的 Ni 薄膜转化为低电阻率接触材料 NiSi。全硅化物 Ni 栅极可用于互补金属氧化物半导体。6 由于其铁磁特性,镍对于磁存储器的发展至关重要。自旋转移力矩磁阻随机存取存储器 (STT-MRAM) 被认为是一种通用存储器,有朝一日可能会彻底改变整个微电子行业。7
心血管疾病是目前全球范围内危害最大的疾病类型,传统的心血管疾病危险因素包括高血压、高脂血症、糖尿病、肥胖、吸烟等(1)。研究表明,加强危险因素控制、减少危险因素的暴露可以显著降低心血管疾病的发病率和死亡率(2-4)。然而,即使严格控制传统危险因素,仍有相当一部分患者面临发生心血管事件的高风险,因此迫切需要寻找新的致病因素。氧化三甲胺(TMAO)是肠道菌群的代谢产物,在心血管疾病的发病中起着重要作用。一项包括4007例患者的大型队列研究发现,心血管疾病患者(5.0µM)和健康个体(3.5µM)的血浆TMAO水平存在差异。在传统心血管疾病危险因素相同的前提下,血浆三甲胺氧化物水平高(> 6.18 µM)的患者3年内主要不良心血管事件发生率高于血浆三甲胺氧化物水平低的患者(5),提示三甲胺氧化物可能是心血管疾病的一个新危险因素。动脉粥样硬化(AS)是最常见的心血管疾病之一,给各国带来巨大的社会和经济负担。研究表明,AS与脂质代谢紊乱、炎症反应、氧化应激等病理改变密切相关(6,7)。近期研究证实,肠道菌群紊乱可通过代谢和免疫系统引起代谢疾病和炎症反应,导致动脉粥样硬化斑块形成和破裂(8,9)。其他研究表明,大肠杆菌中的脂多糖 (LPS) 可以通过 Toll 样受体 (TLR)4 介导的白细胞蛋白酶 G 激活来增强血小板聚集,并且 LPS 的多种效应可能汇聚在一起
六种甲基转移酶分工建立组蛋白 H3 赖氨酸 9 甲基化 (H3K9me) 的基因组图谱,H3K9me 是一种控制组成性异染色质、基因抑制和逆转录元件沉默的表观基因组修饰。其中,SETDB1 被募集到活性染色质域以沉默内源性逆转录病毒的表达。在旨在确定 SETDB1 对巨噬细胞中刺激诱导基因表达的影响的实验中,我们发现 SETDB1 耗竭导致的 H3K9me3 丢失与 CTCF 募集增加有关,这些募集到 SINE B2 重复序列中包含的 >1600 个 DNA 结合基序,这是之前未确定的 SETDB1 介导的抑制靶点。CTCF 是染色质折叠的重要调节剂,可抑制黏连蛋白引起的 DNA 成环,从而在相邻拓扑域之间创建边界。 CTCF 与 SINE B2 重复序列的结合增加,增强了数百个位点的绝缘性,并增加了含有脂多糖诱导基因的拓扑域内的环形成,这与它们对刺激的调节受损有关。这些数据表明 H3K9me3 在抑制 CTCF 的基因组分布和活性方面发挥着作用,并对染色质组织和基因调控产生影响。
摘要 肥胖一直与肠道微生物群的重组有关,但到目前为止,肥胖治疗仅针对人类宿主。在这里,我们表明,针对肠道微生物抑制三甲胺 N-氧化物 (TMAO) 通路可保护小鼠免受与饮食引起的肥胖 (DIO) 或瘦素缺乏 (Lep ob/ob) 相关的代谢紊乱。肠道微生物酶胆碱 TMA-裂解酶 (CutC) 的小分子抑制不会减少食物摄入量,而是与肠道微生物群的改变、葡萄糖耐受性的改善和能量消耗的增加有关。我们还表明,肠道微生物 CutC 抑制与宿主对磷脂酰胆碱和能量代谢的昼夜节律控制的重组有关。这项研究强调了微生物与宿主代谢之间的关系,并提供了肠道微生物衍生的三甲胺 (TMA) 是宿主昼夜节律时钟的关键调节器的证据。这项研究还表明,针对肠道微生物的酶抑制剂具有作为抗肥胖疗法的潜力。
超过阈值指数的三甲胺N氧化物的水平是多种疾病的前体,导致残疾和死亡。在这种情况下,滴度的定义及其在体内的水平正常化是预防医学的阶段之一。本评论介绍了确定生物学材料中TMAO及其代谢前体水平的方法。世界实践主要使用较高的液态色谱法对生物材料进行TMAO定量测定,使用串联MS/MS光谱进行检测,在某些情况下进行核磁共振光谱。耗时的样品制备和流动相组成的复杂组合用于有效分离和接收可靠的结果。尽管如此,TMAO及其前任的定量和定性确定的问题不仅没有失去相关性,而且鉴于科学世界中的最新事件,已经获得了新的视野来改善这种分析。
结果:与对照处理相比,TMAO(120 mg/kg)的给药14周增加了心脏组织中的TMAO浓度高达14次。MCT治疗导致线粒体功能受损,右心室功能参数降低。 尽管TMAO治疗本身降低了线粒体脂肪酸氧化依赖性呼吸,但未观察到对心脏功能的影响。 长期TMAO给药可通过保留脂肪酸氧化并随后降低丙酮酸代谢,从而防止了MCT障碍的线粒体能量代谢。 在右心室心力衰竭的实验模型中,TMAO对能量代谢的影响导致了恢复右心室功能的趋势,如超声心动图参数和归一化器官到体重指数所示。 同样,MCT组的心力衰竭严重程度标记物(脑纳替肽)的表达大大增加,但倾向于恢复到TMAO + MCT组中的控制水平。MCT治疗导致线粒体功能受损,右心室功能参数降低。尽管TMAO治疗本身降低了线粒体脂肪酸氧化依赖性呼吸,但未观察到对心脏功能的影响。长期TMAO给药可通过保留脂肪酸氧化并随后降低丙酮酸代谢,从而防止了MCT障碍的线粒体能量代谢。在右心室心力衰竭的实验模型中,TMAO对能量代谢的影响导致了恢复右心室功能的趋势,如超声心动图参数和归一化器官到体重指数所示。同样,MCT组的心力衰竭严重程度标记物(脑纳替肽)的表达大大增加,但倾向于恢复到TMAO + MCT组中的控制水平。
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III-VI 族材料一直受到广泛关注,部分原因是它们是可用于光伏或光电子应用的宽带隙半导体材料 [1–5] 。三甲基铝 (TMA) 是众所周知的铝源,用于半导体制造以通过原子层沉积 (ALD) 或金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 的不同工艺生长薄膜,例如 Al 2 O 3 和氮化铝 (AlN) [6–11] 。Al 2 O 3 薄膜在许多不同的应用中作为绝缘体和钝化层发挥着重要作用,它是通过 ALD 沉积的第一个介电氧化物,尽管该工艺中的前体是 AlCl 3 和水 [12] 。使用 TMA 制备 Al 2 O 3 薄膜的原因是三甲基铝在室温下是一种热稳定的高蒸气压 (8.4 Torr) 液体,并且容易与水反应生成 Al 2 O 3 。氮化铝 (AlN) 的有趣特性包括一系列独特的物理特性,从大带隙 (6.2 eV) 和高电阻率,到低介电损耗和高热导率 [13] 。因此,AlN 薄膜在电子领域具有广泛的应用,例如金属-绝缘体-半导体器件中的绝缘层 [14] ,