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超低功耗 0.45 mW 2.4 GHz CMOS 低噪声放大器
本文介绍了用于无线传感器网络 (WSN) 应用的超低功耗低噪声放大器 (LNA) 的设计拓扑。所提出的超低功耗 2.4 GHz CMOS LNA 设计采用 0.13 µm Silterra 技术实现。LNA 的低功耗得益于第一级和第二级的正向体偏置技术。为了提高增益，同时降低整个电路的功耗，实施了两级。仿真结果表明，在 0.55 V 的低电源电压下，总功耗仅为 0.45 mW。与之前的工作相比，功耗降低了约 36%。实现了 15.1 dB 的增益、5.9 dB 的噪声系数 (NF) 和 -2 dBm 的输入三阶截点 (IIP3)。输入回波损耗 (S11) 和输出回波损耗 (S22) 分别为 -17.6 dB 和 -12.3 dB。同时，计算出的品质因数（FOM）为7.19 mW -1 。
高阶瞬态吸收光谱镜头的解释
摘要：瞬态吸收（TA）光谱是确定激发态的能量和动力学的宝贵工具。当泵的强度足够高时，TA光谱包括通常所需的三阶响应和在现场幅度中较高顺序的响应。最近的工作表明，泵强度依赖性的TA测量值允许分开响应顺序，但尚未描述这些较高顺序中的信息内容。我们提供了一个一般框架来理解高阶TA光谱。我们扩展到高阶标准TA的基本过程：地面漂白剂（GSB），刺激发射（SE）和激发态吸收（ESA）。每个顺序介绍了两个新的过程：来自以前无法访问的高度激发态和低阶过程的负面的SE和ESA。我们在每个顺序上显示新的光谱和动态信息，并显示如何使用不同订单中信号的相对符号来识别哪些过程占主导地位。
基于直列拓扑的多频带 SIW 带通滤波器的合成与实现
摘要 — 本文提出了一种用于多频带带通滤波器 (MBPF) 的相似变换方法，将星型拓扑转换为直列拓扑。介绍了一种通用理论技术，用耦合矩阵的相似变换旋转代替传统的通过滤波器综合逐步提取 LC 电路，解决了参数提取过程中的舍入误差，提高了理论综合结果的准确性。直列拓扑的应用大大提高了滤波器设计的灵活性，降低了电路复杂性，简化了高阶 MBPF 的制造。基于基片集成波导 (SIW) 技术，设计和实现了一系列示例，包括三频、四频，特别是首次报道的五频三阶切比雪夫 SIW 带通滤波器。模拟响应与测量结果之间具有良好的一致性，验证了设计的滤波器模型和提出的理论方法。
非线性光子学锌硫化物波导的表征
摘要：本文通过Zns薄膜和波导的结构和光学特征，介绍了二阶非线性光子学对二阶非线性光子学的优势。1。引言是由物质辐射相互作用引起的非线性光学现象，这已经得到了很大改善，这已经大大改善了光子设备的开发，可以在基于非线性光学材料的指导结构内强限制电磁场。[1]。到目前为止，只有很少的研究集中在硫化锌（ZNS）上。这种材料对于非线性光学元件来说是有希望的，因为它是电信波长[2]的高折射率，透明度的宽光谱，高第二[3]和三阶非线性系数[4]和多晶结构，并且有可能充分利用非线性过程[5]。从应用的角度来看，ZnS沉积方法的种类（其中一些是低成本）也代表了有趣的技术优势。在这项工作中，我们描述了由磁控溅射沉积的ZnS薄膜的结构和光学特性，以及第一个基于ZnS的波导的制造过程及其线性表征。
具有 0.9 dB 噪声系数和 12.8- ... 的 RF p-GaN HEMT
摘要 — 深入研究了增强型 p-GaN 栅极高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的低噪声放大性能。该器件具有钨 (W) 栅极金属和与 CMOS 兼容的源极/漏极端子金属触点，表现出 2.7 V 的正阈值电压。在夹断区和导通区分别提取 3.8 pA/mm 和 16.3 nA/mm 的低栅极漏电流密度 (IG)。该器件在 2 GHz 时提供 15.8 dBm 的输入三阶截取点 (IIP3)，同时具有良好的线性特性对频率变化的免疫力。在 2 GHz 的工作频率下实现了 0.9 dB 的最小噪声系数 (NF min) 和 12.8 dB 的相关增益 (G a)。此外，通过检查偏置和频率对 NF min 和 G a 的影响，发现在 1 GHz 时 NF min 为 0.65 dB，G a 为 18.3 dB。这项工作为 p-GaN HEMT 在低噪声放大器应用中的利用铺平了道路。
93 X射线衍射研究相状态...
图 1-b 显示了 n-Si 的衍射图案样品。它不同于n-Si的衍射图案具有 SiO 2 层的样品，在 X 射线衍射图上 2θ≈17.4° 处没有漫反射，结构反射 (111) α 的强度分别降低了 2.5 倍、三阶 (333) α 的强度降低了 1.7 倍，结构反射 (002) 的强度降低了，反射 (313)、(513) 和 (620) 的强度也增加了几个百分点，它们在 n-Si 衍射图谱的光谱中产生了衍射偏移样品在较小角度的一侧。晶粒尺寸和晶格参数由 n-Si 的 (111) 结构线的半宽度确定分别为 58 nm 和 а Si =0.5419 nm，略小于样品 n -Si 的晶格参数（а Si =0.5426 nm）SiO 2 层。但这会导致 n-Si 结构反射发生偏移衍射图案朝向较小的散射角。
MCWP 3-31
预期效果可以被认为是一种支持实现目标的条件，而不良效果则是可能阻碍实现目标的条件。条件是实现目标所必需的系统的物理或行为状态。直接影响是军事行动的直接、一阶后果，通常是直接的且易于识别。间接影响是行动的二阶、三阶和更高阶后果，通常会延迟或转移。间接影响可以是物理或行为性质的，可能难以识别或观察。影响也可以按顺序或并行施加。随着时间的推移，一个接一个地连续施加的影响是连续的。那些几乎同时施加的是并行影响，这会给系统带来更大的压力并需要更快的适应。影响往往会累积或复合，因此许多直接或间接影响的最终结果往往会结合起来产生比其各自影响总和更大的结果。影响可以通过系统级联或连锁反应，通常会影响其他系统，通常是通过相关系统共有且关键的节点和链接。
用于对同时发生的EEG-fNIRS信号进行分类的深度循环卷积神经网络
摘要：脑机接口（BCI）是大脑与外界进行通信的强大系统。传统的BCI系统仅基于EEG信号工作。最近，研究人员使用EEG信号与其他信号的组合来提高BCI系统的性能。在这些信号中，EEG与fNIRS的结合取得了良好的效果。在大多数研究中，仅将EEG或fNIR视为链状序列，并且没有考虑相邻信号之间的复杂相关性，无论是时间还是通道位置。在本文中，引入了一个深度神经网络模型，通过引入时间和空间特征来识别人脑的精确目标。所提出的模型结合了EEG和fNIRS信号之间的空间关系。这可以通过将这些链状信号的序列转换为分层的三阶张量来实现。测试表明，所提出的模型的精度为99.6％。 关键词：EEG，fNIRS，混合BCI，深度学习，空间，时间。
基于 DTMOS 的吉尔伯特混频器设计，适用于使用电流源辅助器和开关偏置技术的 MICS 接收器
摘要。本文提出了一种基于动态阈值 MOSFET (DTMOS) 的下变频吉尔伯特混频器，用于采用 UMC 180 nm CMOS 工艺的医疗植入通信服务 (MICS) 接收器设计。电流源辅助器和开关偏置技术用于提高基于 DTMOS 的吉尔伯特混频器的性能。所提出的设计在 403 MHz 的射频 (RF) 下工作，在 5 dBm 的 LO 功率下最大变频增益为 12.5 dB。所提出的设计的 1 dB 压缩点和三阶输入截点 (IIP3) 分别为 - 8.79 dBm 和 3.92 dBm，噪声系数 (NF) 在 10 MHz 中频 (IF) 下为 6.6 dB。该设计电路在 0.9 V 电源电压下工作，直流功耗为 0.55 mW，芯片面积为 0.035 9 0.037 mm 2。因此，这种具有高转换增益和更好噪声性能的设计是适合 MICS 应用的模块。