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World File Search System上升时间
IS 2309 (1989): 建筑物和相关结构防雷实用规范
这是雷云中带电细胞放电到地面的闪电部分。这次回击中的电流范围从大约 2 000 A 到大约 200 000 A，其值分布是自然界中经常出现的形式，称为“对数/正态”分布。因此： 1% 的闪电超过 200 000 A 10% “” “ 80 000 A 50% “” “ 28 000 A 90% u” ,.8 000 A 99% “” “ 3 000 A 大多数地闪中的电流来自雷云中带负电的细胞，因此闪电电流是从云到地面的负电流；较少见的是，来自云正极部分的闪电也会出现。然而，对于任一极性，电流都是单向的，负闪光的上升时间小于 10 p8（但正闪光的上升时间要长得多），然后衰减到 100 秒内简单的单次击打的低值。或 leis。一些闪光包含两个或多个击打，这些击打单独符合单次击打的描述，但间隔时间可能为 50 毫秒至 100 毫秒。因此，具有超过 10 次击打的罕见多击打闪光可能持续长达 1 秒。
技术数据电源24V/4A
输出DC电压24V额定电流4.2A电流范围0〜4.2A额定功率100.8W纹波和噪声（最大）150MVP-P-P电压调整。范围24〜29V电压公差±1.0％线调节±1.0％负载调节±1.0％设置，上升时间2700ms，80ms/230VAC 2700ms，80ms/115vac在满载时持有时间（typ。）50ms/230VAC 18ms/115VAC满载
WSSE单层中的激子和Trions
在这里，𝑡是开始时间，𝜏是步骤𝑗的上升时间。为了使拟合过程更加稳健，我们忽略了实验时间分辨率（IRF FWHM〜145 fs），这是根据子picsecond数据集的拟合确定的。分子阶段的开始和上升时间（光载量分数）𝛾0由于留置状态，分别固定在𝑡0= 0 = 0 = 0 = 0 =141𝑓𝑠，1-2，4-7。这留下了分子和次级自旋转换步骤𝛾0和𝛾1，孵育周期𝑡1和次级自旋转换时间尺度𝜏1作为拟合变量。拟合结果在补充表1中列表。对于以25 mJ/cm 2的激发能力收集的数据，不受限制的拟合导致𝛾0 + 𝛾1> 1，表明在探测范围内完成了完全的纳米棒自旋转换。为了确保𝛾0 + 𝛾1≤1，因此我们固定了1至0.72。对于使用70 MJ/cm 2和100 mJ/cm 2收集的数据，未解决孵育周期，因此我们将𝑡1固定为零，以提高拟合稳定性。我们注意到，我们已经在子picosecond范围内收集了两个独立的数据集，激发通量为100 mJ/cm 2，并且扩展了〜70 PS范围。对于两个数据集，拟合的分子阶梯幅度𝛾0都很好地一致。对于10 mJ/cm 2，
TDG650E602TSP 空间 GaN E-mode 晶体管
• 一类/一级生产筛选 • 提供批次验收测试选项 • 650 V 增强型功率晶体管 • 顶部冷却、低电感 GaNPX ® 封装 • RDS(on) = 25 mΩ • IDS(max) = 60 A • 超低 FOM • 简单的栅极驱动要求（0 V 至 6 V） • 瞬态耐受栅极驱动（-20 V/+10 V） • 非常高的开关频率（> 10 MHz） • 快速且可控的下降和上升时间 • 反向传导能力 • 零反向恢复损耗 • 小型 9 x 7.6 mm 2 PCB 占用空间 • 双栅极焊盘可实现最佳电路板布局
生物相容性固态离子敏感有机...- DR-NTU
图 1. 离子选择性固态有机电化学晶体管。 (a) ExG-SSOECT 的结构示意图和等效电路，以及半导体聚合物 PEDOT:PSS、离子液体 [MTEOA][MeOSO 3 ] 和 Na + 、K + 、Ca 2+ 离子选择膜的化学结构。 (b) 输出特性。 (c) 传输特性。 (d) 在恒定 V DS = -0.5 V 下进行的瞬态响应保持测试，脉冲 V GS = -0.4 – 0.8 V 最多 5000 次循环。 (e) 上升时间为 51.4 µs 的瞬态响应。 (f) 在 V DS = -0.1 V 时使用电流脉冲法进行迁移率估计。
Carles Batlle Basseda UPCommons 总监
特性和优点 ▪ 低噪声模拟信号路径 ▪ 通过新的 FILTER 引脚设置器件带宽 ▪ 响应阶跃输入电流，输出上升时间为 5 μs ▪ 带宽 80 kHz ▪ 总输出误差 1.5%（TA = 25°C） ▪ 小尺寸、扁平 SOIC8 封装 ▪ 1.2 mΩ 内部导体电阻 ▪ 从引脚 1-4 到引脚 5-8 的最小隔离电压为 2.1 kVRMS ▪ 5.0 V，单电源供电 ▪ 66 至 185 mV/A 输出灵敏度 ▪ 输出电压与交流或直流电流成比例 ▪ 工厂调整精度 ▪ 极其稳定的输出失调电压 ▪ 几乎为零的磁滞 ▪ 与电源电压成比例输出
G5.BT电池测试仪系列
G5.BT系列是双向再生的，它是专门用于测试储能设备的，适用于实验室和测试台。模块化且分级的G5.bt系列的特征是高度动态的响应时间和宽的电流范围，具有自动范围因子3。G5.BT系列具有出色的精度，附加的高分辨率电流测量范围以及在100μs范围内的快速电流上升时间。波旋调制，PL C的集成安全继电器以及强大的CAN CAN CAN CAN CAN CAN CAN CAN CAN CAN CAN CAN CAN CAN CAN CAN CAN CAN CAN CAN CAN CAN CAN CAN CAN CAN CAN CAN CAN RIDUTION（1 KHz，16位）以及功能。
模拟和数字电路
1. 数字系统基础：布尔代数、数字系统中使用的数字系统和代码、逻辑门及其特性、真值表。2. 组合电路的分析与综合：简化技术、无关项、卡诺图。大规模电路的实现。静态和动态风险。3. 数字集成电路：数字 IC 系列：TTL、CMOS、基本逻辑门结构（TTL、CMOS、NMOS、PMOS、传输门逻辑、线与逻辑）、输入和输出 VI 特性；传输特性、开关阈值、噪声容限、逻辑门的功率耗散、传播延迟、上升时间、下降时间。时序电路：触发器的典型结构、操作、设计和应用。同步时序电路的设计和分析；状态和状态变量：寄存器、计数器和存储器单元（ROM、RAM、Flash、可编程逻辑阵列、FPGA）的结构。异步电路的设计、状态机、流表、稳定和非稳定状态。
混合电压应用的数字 I/O 缓冲器设计
介绍了一种用于混合电压的数字双向输入/输出 (I/O) 垫片缓冲器的新电路设计。数字双向 I/O 缓冲器通过将输出阻抗与传输线的 50 欧姆相匹配来避免反射，并通过增加输出阻抗使过冲和下冲低于 300mV。数字双向 I/O 垫片缓冲器提供输入和输出之间的最小延迟以及最小上升和下降时间。所提出的数字双向 I/O 垫片缓冲器是在 Cadence 中使用 TSMC 0.18um CMOS 工艺进行设计、仿真和布局的，线性电阻元件电连接到 I/O 垫片以限制处理的数据 I/O 信号。输出上升时间和下降时间分别为 0.42 ns 和 0.93 ns，负载为 3pF。最终芯片面积仅为 5 um 2