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从上方看 C 区限制的成本
占领国在整个西岸部署了一套行政和物质障碍系统，控制巴勒斯坦人民的行动，限制他们获取生产资源。由此产生的多层控制系统包括将西岸划分为不同的行政区域，实施严格的许可证制度，实行官僚控制，以及数百个永久和流动检查站、大门、土墩、路障和战壕，还有隔离墙和定居点。该系统将西岸变成了一个分散、互不相通的群岛。实施的复杂控制矩阵的各个要素相互补充，并支持占领国事实上吞并西岸大片地区。控制机制将 A 区和 B 区划分为 166 个岛屿，划定边界以将所有以色列定居点纳入其中。此外，C 区约占约旦河西岸面积的 60%，其中设有以色列定居点，民事和安全完全受以色列控制，但该地区拥有约旦河西岸最宝贵的自然资源。
管道资产上方和相邻的建筑物 SW269
外部荷载的影响区 (ZOI) 是一个假想的包络线，在此包络线内，外部垂直荷载会对管道或结构施加应力（图 1、1.1 和 1.2）。该区域由从管道或结构底部投影向上延伸至地面 45° 角的线定义。如果管道目前被混凝土包裹或将被包裹，这些线从包裹层的底部边缘延伸。地面上的垂直荷载在土壤中产生的应力会随着深度的增加而减小。因此，埋得较深的管道通常比较浅的管道受到的影响小。图 18 – 21 考虑了其他影响的 ZOI，例如您的工程开挖和我们管道附近的排水。
云上方：2023年的欧洲航空排放
这些节省源于对参考方案的各种改进和效率，因为模型交换了其他成本更高的选项。例如：与参考方案相比，对固定电池存储的需求最多可以减少142 gwh，而备用电厂所需的能力可以减少126 GW。此外，双向充电可以更有效地整合可变可再生能源，尤其是太阳能PV作为更具成本效益的选择。到2030年，额外的PV容量可能达到121 GW，到2040年，额外的PV容量可能会增加到430 GW-几乎是欧盟今天3的总PV容量的两倍。此外，虽然欧洲仍需要大量提高其陆上风能发电能力，但
tomasch振荡作为拓扑超导性的差距上方签名
鉴定拓扑超导体通常涉及搜索受拓扑保护的差距模式。然而，在当前的实验环境中，仍然缺乏这些内置模式的吸烟枪证据。在这封信中，我们建议通过上面的差距运输签名来支持二维常规S波和拓扑P波 - 超导体之间的区别。我们的方法利用了在两个金属铅之间夹着的超导体组成的连接中的准颗粒振荡的出现。我们证明，电导中振荡随界面屏障的函数的行为为S波和P波超导体提供了独特的签名。具体而言，随着S波超导体的屏障强度的增加，振荡变得较弱，而它们在P波超导体中变得更加明显，我们被证明是配对对称性的直接表现。我们的方法可以作为通过上述差距运输来识别某些类别的拓扑超导体的免费探针。
朱诺号对木星赤道电离层上方的现场观测
摘要 朱诺号抵达木星后，人们可以在木星电离层上方进行重复的现场观测。朱诺号在近木点的低海拔和高速度使得直接采样电离层离子群成为可能。我们介绍了木星极光分布实验离子传感器（JADE-I）在电离层上方的首次直接观测。当看向航天器撞击方向时，JADE-I 可以测量低于 1 eV/q 的离子能量分布以及离子成分。我们报告了 17 次朱诺号通过近木点的观测结果。在这些纬度，低能离子由质子和较重的离子组成，质子是主要种类。每次通过时都可以看到重离子——主要是可能来自磁层的氧和硫，但它们的强度会有所不同。在一些近木星点上还观测到了其他痕量轻离子：H 3 +（17 个近木星点中的 6 个）、He +（17 个近木星点中的 2 个）。电离层离子的观测高度可达 ~7,000 公里。
总体统计 区域上方 区域内 区域下方 总计 设计 ...
区域上方 区域内 区域下方 总计 设计 选配百分比 选配百分比 选配百分比 选配百分比 1100 2 0 0.00 0 0 0.00 0 0 0.00 0 0.00 1110 119 17 14.29 83 48 57.83 183 0 0.00 65 78.31 1120 33 2 6.06 50 36 72.00 87 0 0.00 38 76.00 1130 7 0 0.00 16 9 56.25 29 0 0.00 9 56.25 1140 5 1 20.00 11 7 63.64 18 0 0.00 8 72.73 1300 1 0 0.00 0 0.00 0 0 0.00 0 0.00 1310 186 12 6.45 140 48 34.29 232 1 0.43 61 43.57 1320 105 11 10.48 53 19 35.85 92 1 1.09 31 58.49 总计 458 43 9.39 353 167 47.31 641 2 0.31 212 60.06
用于集成在电子集成电路上方的光子层的 CMOS 兼容沉积材料
摘要 — 近年来，硅光子学引起了越来越多的关注，主要用于微电子电路或生物传感应用中的光通信光互连。主要在绝缘体上硅平台上制造的用于 CMOS 兼容制造的基本无源和有源元件（包括探测器和调制器）的开发已达到如此高的性能水平，以至于应该解决硅光子学与微电子电路的集成挑战。由于晶体硅只能从另一个硅晶体中生长，因此无法在这种状态下沉积，因此光学器件通常仅限于单层。另一种方法是使用后端 CMOS 制造工艺在 CMOS 芯片上方集成光子层。本文讨论了用于此目的的各种材料，包括氮化硅、非晶硅和多晶硅。关键词 — 硅光子学、CMOS、集成。
邮轮卡 - dircam
LTA（从 FL 115 或 3000 英尺 ASFC 到 FL 195）分类为 D，不包括位于公海上方的空间（距海岸 12 海里以外）以及地图上标明的阿尔卑斯山和比利牛斯山脉上方的区域。被分类为 E LTA（从 FL 115 或 3000 英尺 ASFC 到 FL 195）被分类D 公海上方的空域（距离海岸线超过 12 海里）以及阿尔卑斯山和比利牛斯山脉上方海图上标明的 E 类区域除外
