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第336会计中队鲭江支队队长 中野直国
4 天前 — 日本陆上自卫队鲭江驻地。收件人：鲭江特遣队第 336 会计中队指挥官 Naokuni Nakano。招标文件。主题。规格单位数量。单价。金额。水箱阀门更换。按照规格 ST。1。*详细信息清晰...
三维导电聚合物微纳电极在脑类器官研究中的应用与展望
在脑类器官中[58]。 （f）TPP制造光子晶体微纳米传感单元[59]。 （g）成像在脑类器官中[58]。（f）TPP制造光子晶体微纳米传感单元[59]。（g）成像
富士营射击训练（1） - 第374宪兵队
（照片 1）4 月 6 日，在富士营三军训练中心的 M249 轻机枪射击序列中，宪兵军官空军一等兵米奥娜·亨利（左）在第 374 宪兵连战斗武器教官贾·李中士（右）的指导下进行射击训练。 第374宪兵队每年都在富士营进行训练，练习射击25米以外的目标。 。
科研经费分类表（大项/中项列表）
。 《竞争性基金间接费用执行通用指南》（有关部委竞争性研究基金联络委员会2001年4月20日通过（请参阅最新版本）） 可用于附表1所列费用*计算间接费用时，不足1日元的小数部分向下舍入。
研究费の取扱区分表（大项目・中项目一覧表）
。 《竞争性基金间接费用执行通用指南》（有关部委竞争性研究基金联络委员会2001年4月20日通过（请参阅最新版本）） 可用于附表1所列费用*计算间接费用时，不足1日元的小数部分向下舍入。
低点量子点激光器直接生长在硅上，在高温下表现出低阈值电流和高输出功率。
III-V材料在硅上的直接生长是开发单层积分激光器的关键推动剂，在重要通信和计算技术中为超密集的光子整合提供了巨大的潜力。但是，III-V/SI晶格和热膨胀不匹配构成了重大障碍，从而导致缺陷使激光性能降低。这项研究克服了这一挑战，证明了与天然GAAS底物上的顶级激光器相当的INAS/GAAS-SI激光器。这是通过新开发的外延方法来实现的，其中包括一系列严格优化的增长策略。原子分辨率扫描隧道显微镜和光谱实验揭示了活性区域的出色材料质量，并阐明了每种生长策略对缺陷动态的影响。优化的III-V-n-silicon脊脊 - 波导激光器显示出低至6 mA的连续波阈值电流，高温操作达到165°C。在80°C，对于数据中心应用至关重要，它们保持12 ma阈值和35 MW的输出功率。此外，使用相同过程在SI和GAAS底物上制造的激光均显示出几乎相同的平均阈值电流。通过消除与GAAS/SI不匹配相关的性能限制，这项研究为将广泛的III-V光子技术的广泛范围稳健而高密度整合到硅生态系统中铺平了道路。
参谋长联席会议主席视察第21特种作战中队
（图2）7月19日，美国参谋长联席会议主席、空军上将查尔斯·Q·布朗（左）和夫人沙伦·布朗在日本横田空军基地的飞行线上迎接第353特种作战联队、第21特种作战中队和第21特种作战飞机维修中队的领导。 布朗参观了横田空军基地的第 374 空运中队、第 21 特种作战中队、第 21 特种作战飞机维修中队和第 353 特种作战中队，并表彰了这些空军官兵。