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用于近红外光电探测器的锗异质结
摘要：二维石墨烯薄膜和石墨烯衍生物在光电应用方面有巨大的潜力，引起了广泛的兴趣。然而，提高基于石墨烯薄膜和石墨烯衍生物的光电探测器性能仍然是一个巨大的挑战。通过用垂直取向石墨烯 (VOG) 替换石墨烯薄膜，然后用石墨烯量子点 (GQDs) 功能化，在锗 (Ge) 异质结 (指定为 GQDs/VOG/Ge) 上组装一个功能性 VOG，用于近红外光探测。GQDs 和 VOG 在光吸收和电子传输方面的协同效应增强了光电探测器的性能。对 VOG 进行功能修饰是调控 VOG 费米能级、增加肖特基结的内建电势以及促进光生电子和空穴对分离的有效方法。制成的光电探测器在波长 1550 nm 处表现出优异的响应度 (1.06 × 10 6 AW − 1 ) 和探测度 (2.11 × 10 14 cm Hz 1/2 W − 1 )。对光响应的研究表明，响应速度具有微秒的上升/下降时间，并且具有优异的可重复性和长期稳定性。结果揭示了一种制造高性能石墨烯基光电探测器新结构的简单策略。关键词：GQD、垂直取向石墨烯、锗、协同效应、内置电位、光电探测器■简介
传感器
摘要：随着金属氧化物半导体 (MOS) 制造技术的不断发展，晶体管自然而然地变得更耐辐射，这是通过稳步减小栅极氧化物厚度来增加栅极氧化物和沟道之间的隧穿概率。不幸的是，尽管已开发的晶体管具有这种抗辐射性能，但核电站 (NPP) 领域仍然需要更高的抗辐射水平。特别是在严重事故条件下，读出电路可能需要大约 1 Mrad 的总电离剂量 (TID)，而反应堆堆芯周围则需要 100 Mrad。在核电站等恶劣辐射环境中，微型袖珍裂变探测器 (MPFD) 等传感器将是一种很有前途的技术，可用于检测反应堆堆芯中的中子。对于这些传感器，读出电路应从根本上靠近传感设备放置，以最大限度地减少信号干扰和白噪声。因此，高辐射环境下的电路必须具有抗辐射能力。本文介绍了采用 SiGe 130 nm 和 Si 180 nm 制造工艺、不同通道宽度和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 和双极 CMOS (BiCMOS) 晶体管类型的抗辐射电荷敏感放大器 (CSA) 的各种集成电路设计。这些电路在高水平活度：490 kCi 的钴-60 γ 射线环境下进行了测试。实验结果表明，随着辐照剂量的增加，幅度下降 2.85%–34.3%，下降时间增加 201–1730 ns，信噪比 (SNR) 降低 0.07–11.6 dB。这些结果可为抗辐射运算放大器在晶体管尺寸和结构方面的设计提供指导。
te taiao环境
🎬Berhampore学校社区在Movin'March（Facebook）期间进行了改变。◦hākonga在早上下降时间监测学校周围的空气污染。实时碳图激发了学生（RNZ）。您可以在学校门外收集数据吗？•研究碳足迹（例如食物里程）的不同贡献者。我们的食物通过不同类型的运输（例如空气或海洋）产生的影响是什么？我们可以在当地种植食物并在季节吃饭吗？•阅读海星故事（下一页）。即使单个行为很小，我们也可以有所作为。我们每个人都会做什么不同？记录ākonga“ aha”时刻及其解决方案。•讨论其他方式可以拥有集体力量的其他方式。例如，如果20ākonga全部乘坐单个汽车旅行到库拉而不是乘巴士，他们会创造多少CO 2？•研究电动汽车。他们对汽油驱动的汽车的优势和缺点是什么？锂电池对Papatūānuku的影响和成本是什么？•使用De Bono的帽子考虑有关我们的碳足迹的不同观点。•与您当地的Enviroschools主持人或地方或区域委员会进行咨询和支持，并参与Whānau，董事会或您的父母教师协会。•使用科学院或Hutt Science套件（如果您是较低的Hutt Kura）来了解有关气候变化的更多信息。•探索教室的其他Movin'March资源或活动。•考虑在踏板准备和踏板车准备就绪的安全技能会议上进行安排。•HONO（连接）Movin'March资源是建立与邻里和自然的联系，这可以帮助支持对气候变化和环境的积极前景。•在数学，统计，数据解释，英语撰写活动中实施此主题，例如演讲或辩论，阅读学校期刊文章，调查或科学博览会。
钠-葡萄糖协同转运蛋白 2 型抑制剂对肾脏结果的影响：
摘要 慢性肾病 (CKD) 的特征是肾脏逐渐受到损害，肾小球滤过率持续下降超过三个月。巴西人口 CKD 的主要原因是 2 型糖尿病 (DM2) 和系统性动脉高血压 (SAH)。采用钠-葡萄糖协同转运蛋白2型抑制剂（SGLT-2i）进行药物治疗可以控制肾功能的丧失，减少患者需要血液透析等肾脏替代疗法的需要。目的：了解iSGLT-2在减少肾脏结局方面的作用，以了解其益处和不良事件。方法：这是对 2017 年 1 月至 2022 年 1 月期间电子数据库 SCIELO、PUBMED 和 LILACS 中的文献的综合回顾，包括葡萄牙语和英语的文献。流程图被用作组织和分析文章的工具。对感兴趣的作品进行分析，然后将结果及其各自的书目数据组织成一个表格。结果：分析了 12 项随机临床试验，其中 5 项（42%）为卡格列净研究，4 项（33%）为达格列净研究，2 项（17%）为恩格列净研究，仅 1 项（8%）为埃格列净研究。结论：SGLT2 抑制剂是一类新型药物，多项研究表明其可减少不良肾脏后果，且副作用少，被证明是治疗肾脏疾病患者群体的重要治疗工具。关键词：钠-葡萄糖转运蛋白2抑制剂；慢性肾衰竭； 2 型糖尿病。摘要 慢性肾病 (CKD) 的特征是肾脏逐渐受到损害，肾小球滤过率下降时间超过三个月。巴西人口 CKD 的主要原因是 2 型糖尿病 (DM2) 和系统性动脉高血压 (SAH)。钠-葡萄糖协同转运蛋白 2 型药物治疗
ISSCC 2024 - 量子技术集成电路
2 Google Quantum AI，加利福尼亚州戈利塔 超导量子处理器是最先进的量子计算技术之一。基于这些设备的系统已经实现了后经典计算 [1] 和量子纠错协议的概念验证执行 [2]。虽然其他量子比特技术采用自然产生的量子力学自由度来编码信息，但超导量子比特使用的自由度是在电路级定义的。当今最先进的超导量子处理器使用 transmon 量子比特，但这些只是丰富的超导量子比特之一；在考虑大规模量子计算机的系统级优化时，替代量子比特拓扑可能会证明是有利的。在这里，我们考虑对 Fluxonium 量子比特进行低温 CMOS 控制，这是最有前途的新兴超导量子比特之一。图 29.1.1 比较了 transmon 和 Fluxonium 量子比特。 transmon 是通过电容分流约瑟夫森结 (JJ) 实现的，是一种非线性 LC 谐振器，其谐振频率为 f 01，非谐性分别在 4-8GHz 和 200-300MHz 范围内。transmon 有限的非谐性约为 5%，限制了用于驱动量子比特 f 01 跃迁的 XY 信号的频谱内容，因为激发 f 12 跃迁会导致错误。以前的低温 CMOS 量子控制器通过直接 [3,4] 或 SSB 上变频 [5,6] 复杂基带或 IF 包络（例如，实施 DRAG 协议）生成光谱形状的控制脉冲；这些设备中高分辨率 DAC 的功耗和面积使用限制了它们的可扩展性。fluxonium 采用额外的约瑟夫森结堆栈作为大型分流电感。这样就可以实现 f 01 频率为 ~1GHz 或更低的量子比特，而其他所有跃迁频率都保持在高得多的频率（>3GHz，见图 29.1.1）[7]。与 transmon 相比，fluxonium 的频率较低且非谐性较高，因此可以直接生成低 GHz 频率控制信号，并放宽对其频谱内容的规范（但需要更先进的制造工艺）。在这里，我们利用这一点，展示了一种低功耗低温 CMOS 量子控制器，该控制器针对 Fluxonium 量子比特上的高保真门进行了优化。图 29.1.2 显示了 IC 的架构。它产生 1 至 255ns 的微波脉冲，具有带宽受限的矩形包络和 1GHz 范围内的载波频率。选择规格和架构是为了实现优于 0.5° 和 0.55% 的相位和积分振幅分辨率，将这些贡献限制在平均单量子比特门错误率的 0.005%。它以 f 01 的时钟运行，相位分辨率由 DLL 和相位插值器 (PI) 实现，而包络精度则由脉冲整形电路实现，该电路提供粗调振幅和微调脉冲持续时间（与传统控制器不同，使用固定持续时间和精细幅度控制）。数字控制器和序列器可播放多达 1024 步的门序列。图 29.1.2 还显示了相位生成电路的示意图。DLL 将这些信号通过等延迟反相器缓冲器 (EDIB) 后，比较来自电压控制延迟线 (VCDL) 的第一个和第 31 个抽头的信号。这会将 CLK[0] 和 CLK[30] 锁定在 180°，并生成 33 个极性交替的等延迟时钟信号。使用 CLK[30] 而不是 CLK[32] 来确保在 PFD 或 EDIB 不匹配的情况下实现全相位覆盖，这可能导致锁定角低于 180°。一对 32b 解复用器用于选择相邻的时钟信号（即 CLK[n] 和 CLK[n+1]），开关和 EDIB 网络用于驱动具有可选极性的 PI。 PI 单元由多路复用器和限流反相器组成。32 个单元并联组合，所选相位之间的权重由驱动多路复用器阵列的温度计编码的 31b 值设置（第 32 个反相器始终由 CLK[n] 驱动）。相位生成电路具有 11b 控制，可提供实现 0.5° 精度的裕度。图 29.1.3 显示了脉冲整形器原理图。它接收相移时钟并应用可编程幅度和持续时间的矩形包络。SW1 用于门控数字 CW 信号。然后，门控信号由一个电路缓冲和衰减，该电路由可变电阻器 R 0（16 个值，从 10 到 170kΩ）组成，通过 2:1 双调谐变压器连接到 50Ω 负载。该电路将可用功率降低了约 17 至 29dB，同时提供 50Ω 输出匹配并过滤脉冲频谱，为信号包络引入几纳秒的指数上升和下降时间，适用于大量子比特非谐性。R 0 、CP 和 CS 通过 SPI 总线进行编程，以进行静态预调谐。但是，提供了一个 0 至 18dB 衰减器电路，步长为 6dB，用于实时粗调幅度。输出端集成了 SW2，以提供额外的开-关隔离。PI 单元由多路复用器和限流反相器组成。32 个单元并联组合，所选相位之间的权重由驱动多路复用器阵列的温度计编码的 31b 值设置（第 32 个反相器始终由 CLK[n] 驱动）。相位生成电路具有 11b 控制，可提供实现 0.5° 精度的裕度。图 29.1.3 显示了脉冲整形器原理图。它接收相移时钟并应用可编程幅度和持续时间的矩形包络。SW1 用于门控数字 CW 信号。然后，门控信号由一个电路缓冲和衰减，该电路由可变电阻器 R 0（16 个值，从 10 到 170kΩ）组成，通过 2:1 双调谐变压器连接到 50Ω 负载。该电路将可用功率降低了约 17 至 29dB，同时提供 50Ω 输出匹配并过滤脉冲频谱，为信号包络引入几纳秒的指数上升和下降时间，适用于大量子比特非谐性。R 0 、CP 和 CS 通过 SPI 总线进行编程，以进行静态预调谐。但是，提供了一个 0 至 18dB 衰减器电路，步长为 6dB，用于实时粗调幅度。输出端集成了 SW2，以提供额外的开-关隔离。PI 单元由多路复用器和限流反相器组成。32 个单元并联组合，所选相位之间的权重由驱动多路复用器阵列的温度计编码的 31b 值设置（第 32 个反相器始终由 CLK[n] 驱动）。相位生成电路具有 11b 控制，可提供实现 0.5° 精度的裕度。图 29.1.3 显示了脉冲整形器原理图。它接收相移时钟并应用可编程幅度和持续时间的矩形包络。SW1 用于门控数字 CW 信号。然后，门控信号由一个电路缓冲和衰减，该电路由可变电阻器 R 0（16 个值，从 10 到 170kΩ）组成，通过 2:1 双调谐变压器连接到 50Ω 负载。该电路将可用功率降低了约 17 至 29dB，同时提供 50Ω 输出匹配并过滤脉冲频谱，为信号包络引入几纳秒的指数上升和下降时间，适用于大量子比特非谐性。R 0 、CP 和 CS 通过 SPI 总线进行编程，以进行静态预调谐。但是，提供了一个 0 至 18dB 衰减器电路，步长为 6dB，用于实时粗调幅度。输出端集成了 SW2，以提供额外的开-关隔离。
IXYS COLORADO Directed Energy, Inc. PVX-2506 脉冲 IV 测试脉冲器
1.0 一般说明 PVX-2506 脉冲发生器设计用于对高达 50 伏和 10 安的半导体器件进行脉冲 IV（电流-电压）特性分析。它也非常适合需要高电流、精密电压脉冲的其他应用。半导体器件的 IV 特性是频率和温度的函数。曲线追踪器和其他“DC”测试系统通常会逐步通过一系列栅极电压，并在每个栅极电压下扫描整个测量范围内的漏极电压。该器件在每个点基本上达到热平衡和电子（半导体陷阱）平衡，产生与实际 RF 操作特性不同的测试特性。通过使用 PVX-2506 对器件进行脉冲处理并在脉冲期间进行测量，可以在器件升温之前进行测量。这可以避免与传统“DC”测试相关的热效应，更接近器件在高频下运行时的特性，并且不会激活半导体“陷阱”。 PVX-2506 采用双向 MOSFET 输出级设计，采用 DEI 的 DE 系列快速功率 MOSFET。此设计提供快速上升和下降时间，过冲、下冲和振铃最小，稳定时间快。这种受控电压波形允许被测设备 (DUT) 在几百纳秒内稳定电压，从而允许在设备开始加热之前进行 IV 测量。可以将静态（偏置）电压施加到脉冲发生器，允许 DUT 保持在非零电压，然后在此电压之上或之下脉冲。PVX-2506 需要输入门信号、脉冲 (VHIGH) 和可选静态 (VLOW) 直流电源输入。输出脉冲宽度和频率由输入门信号控制。输出电压幅度由输入 VHIGH 和可选 VLOW 直流电源幅度控制。前面板控制和监视器提供了在脉冲模式下运行或切换到直流模式的灵活性，在该模式下，VHIGH 电源产生的直流电压直接施加到 DUT。提供集成仪器质量电压和电流探头，以方便脉冲数据采集。输出脉冲通过创新的低阻抗电缆发射。该电缆的设计保持了输出脉冲的保真度，而不会引入脉冲失真或振铃，并提供了一种方便的方法来