XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System与电路
“量子计算”对意大利来说也是一个机会
传统计算机的进步与电路的逐渐小型化息息相关。在业界，这一过程被称为摩尔定律：“微电路的复杂性，例如以每个芯片的晶体管数量来衡量，每 18 个月翻一番（因此每 3 年增加四倍）。近年来，这一进程似乎有所放缓，直到最近一家大型美国跨国公司宣布，推出采用2纳米技术的新型芯片，与目前的7纳米或5纳米芯片相比，旨在在相同能耗下将性能提高45%，或在保持相同性能水平的情况下实现75%的节能。这是在全球半导体生产危机中该领域的一次创新飞跃，它将提高性能并降低总体功耗，使电子设备运行速度更快，计算性能更高，同时保持更低的能耗（即更长的电池寿命）。
信一种用于太阳能光伏储能应用的新型优化控制系统架构
摘要 针对光伏储能系统高效充电应用需求，提出一种新型光伏储能应用控制系统架构，根据光伏输出的实时发电数据动态调整系统工作状态，实现在不同环境参数下分层组合运行模式及运行状态变化，并提出相应算法实现高效控制。与常规控制系统架构相比，所开发的电路可实现高效光伏充电及多模式灵活应用。通过实现实验样机并得出测试结果，验证了所提系统的有效性及优越性，为光伏储能系统的应用提供了新的思路和参考。 关键词：光伏储能，控制系统架构，多模式灵活应用，高效充电 分类：功率器件与电路
信函 无回弹的 RC-LIGBT，其 LDMOS 和 LIGBT 由 L 形 SiO 2 层隔开
摘要 提出并研究了一种用L形SiO 2 层将LDMOS和LIGBT隔离的RC-LIGBT。L形SiO 2 层显著增强了击穿状态下的体电场，并大大降低了表面电场。正向传导时，A点之前电流以单极模式（LDMOS）为主，B点之后电流以双极模式（LIGBT）为主，由于电导率调制受到LIGBT区的抑制，A点和B点之间消除了回弹。反向传导状态下，LDMOS区实现了续流二极管（FWD）。与传统RC-LIGBT相比，所提出的器件表现出无回弹特性，同时将BV提高了107％。 关键词：RC-LIGBT，击穿电压，回弹现象 分类：功率器件与电路
人工智能的逻辑基础
有人可能会认为我们的第一原则应该是没有争议的。然而，在新领域，知识库仍然主要与实践和案例研究相关，数学化的尝试往往会遭到强烈抵制。（例如，我们中的一个人记得在 20 世纪 50 年代听到一些电气工程师抱怨微分方程与电路和控制系统的研究无关！）我们并不声称了解某个领域的数学思想和技术就是在该领域取得成功所需的全部——无论是在研究还是在实践中。然而，我们确实注意到，在成熟的科学和工程领域中，成功的准备总是包括对该领域的数学工具的扎实基础。这种准备提供了解释、理解和建立学科所需的所有重要框架。由于人工智能领域相对较新，因此“形式主义者”和“实验主义者”之间存在激烈的争论也就不足为奇了。形式主义者声称实验主义者会进步得更快
电子与通信工程系
4. ECL-561 半导体器件紧凑建模 PEC 4 3 1 0 3 0 5. ECL-533 半导体器件建模 PEC 4 3 1 0 3 0 6. ECL-534 MOS 器件物理 PEC 4 3 1 0 3 0 7. ECL-535 数字系统设计 PEC 4 3 1 0 3 0 8. ECL-536 半导体微波器件与应用 PEC 4 3 1 0 3 0 9. ECL-537 光电材料与器件 PEC 4 3 1 0 3 0 10. ECL-538 混合信号电路设计 PEC 4 3 1 0 3 0 11. ECL-539 VLSI 系统设计 PEC 4 3 1 0 3 0 12. ECL-540 器件与电路相互作用 PEC 4 3 1 0 3 0 13. ECL-587 纳米级器件 PEC 4 3 1 0 3 0 14. ECL-541 VLSI 电路性能与可靠性 PEC 4 3 1 0 3 0 15. ECL-543 先进 VLSI 互连 PEC 4 3 1 0 3 0 16. ECL-545 有机电子学 PEC 4 3 1 0 3 0 17. ECL-591 VLSI 物理设计 PEC 4 3 1 0 3 0 18. ECL-546 复合半导体与射频器件 PEC 4 3 1 0 3 0 19. ECL-547 VLSI CAD PEC 4 3 1 0 3 0 20. ECL-548 VLSI 数字信号处理 PEC 4 3 1 0 3 0
量子电路的统计复杂性
在理论机器学习中，统计复杂性是衡量假设空间丰富性的概念。在这项工作中，我们将特定的统计复杂性量度（即Rademacher复杂性）应用于量子计算中的量子电路模型，并研究统计复杂性如何取决于各种量子电路参数。，我们研究了统计复杂性对量子电路的资源，深度，宽度以及输入和输出寄存器的数量的依赖性。为了研究统计复杂性如何通过电路中的资源扩展，我们基于（p，q）组规范引入了魔术的资源度量，该魔法量化了与电路相关的量子通道中的魔术量。这些依赖性在以下两个设置中进行了研究：（i）整个量子电路被视为单个量子通道，以及（ii）量子电路的每一层被视为单独的量子通道。我们获得的界限可用于根据其深度和宽度以及网络中的资源来限制量子神经网络的能力。
为什么高频材料具有不同的DK值
还有另一个与电路大小有关的DK。通常，使用DK值较低的材料的电路比使用具有更高DK值的材料的电路具有更长的波长。许多RF应用对波长非常敏感，电路特征的设计通常基于波长的一部分。举例来说，旨在共振剂的纤维结构通常被设计为具有与一半波长有关的物理大小，以期与预期的共振频率相关。在此示例上扩展，如果RF电路设计的目的是在3.6 GHz处具有共鸣峰，则使用20米的材料；材料的DK值为3.66，因此谐振元件的长度应约为0.97英寸（24.6mm）。但是，在相同的比较和唯一的区别的情况下，材料的DK值为6.4，谐振元件的长度将减小为0.77”（19.6 mm）。的尺寸降低约20％，如果使用材料为11.2的材料，则尺寸降低了37％。使用
一种用于快速IGBT De-...的自适应消隐时间电路
摘要 提出了一种用于快速检测IGBT去饱和短路的自适应消隐时间（SABT）电路。在IGBT正常开通或发生负载故障（FUL）时，通过检测IGBT集电极-发射极电压V CE 的变化来实现消隐时间的确定；而当IGBT发生硬开关故障（HSF）时，通过检测栅极电压V GE 来确定消隐时间。利用UMC 0.6μm 700V工艺进行仿真表明，提出的SABT电路能够快速检测FUL和HSF。与传统消隐时间电路相比，SABT电路可以将FUL的故障检测时间从1.3μs缩短到35.5ns，而HSF条件下的故障检测时间从2.329μs缩短到294ns。 关键词：消隐时间，IGBT，去饱和短路保护 分类：功率器件与电路
在量子光学电路模拟中实现光子部分区分性
我们关注的是在某些现实条件下对量子光电电路的数值模拟，也可以说明光子量子状态并非完全没有区别。部分光子可区分性在实施光学量子信息处理方面有一个严重的限制。为了正确评估其对量子信息协议的效果，准确模拟的准确数值模拟（密切模仿量子电路操作）至关重要。我们的特定目的是提供针对局部光子可区分性的计算机实现，该分子可区分性，原则上适用于用于理想量子电路的现有仿真技术，并避免对其显着修改的需求。我们的方法基于革兰氏式正统计过程，这非常适合我们的目的。光子量子状态由波袋表示，其中包含有关其时间和频率分布的信息。为了说明部分光子的区分性，我们扩大了与电路操作相关的自由度的数量，扩大了光子通道的定义，以结合波袋的自由度。此策略允许在与线性光学元素相同的基础上定义延迟操作。
电子与计算机工程学士 (ECE) – 2024 课程
B. 技术(ECE) – 2024 课程 课程代码 学期 - I 学分 MA101 数学 - I 3 HM101 交流英语 2 CS101 计算机编程简介 3 EC151 电子与通信工程简介 3 ME151 工程制图 3 EC101 电子实验室 2 CS102 计算机编程简介实验室 2 ME102 工程实践 2 SH151 能源与环境科学 0 总学分 20 课程代码 学期 – II 学分 MA151 数学 – II 3 ME101 机械工程基础 2 PH101 物理 3 CS151 Python 编程简介 3(2T+2L) EC152 课程核心 -I / 网络分析 3 EC153 课程核心 -II / 电子设备与电路 3 EC154 网络实验室 2 PH102 物理实验室 2 总学分 21 课程代码 学期 – III 学分 MA201 数学 -III 3 EC201 课程核心 -III / 电子电路 3 EC202 课程核心 -IV / 数字原理与系统设计 3 EC203 课程核心 -V / 信号与系统 3 HM251 工程师经济学 3 EC204 数据结构与算法 3 EC205 电子电路实验室 2 EC206 数字原理与系统设计实验室 2 总学分 22