数学 1172 工程数学 A 5 物理 1250 力学、热物理、波 5 物理 1251 电磁学、光学、现代物理 5 化学 1250 工程师普通化学(可接受化学 1210) 4 CSE 1222 面向工程师和科学家的 C++ 计算机编程入门 3 数学 2568 线性代数 3 数学 2415 常微分方程和偏微分方程 3 统计 3470 工程师概率论与统计学入门 3 ISE 2040 工程经济学 2 总计 43 小时 主要核心课程 ECE 2060 数字逻辑简介 3 ECE 2020 模拟系统与电路简介 3 ECE 2050 离散时间信号与系统简介 3 ECE 2560 基于微控制器的系统简介 2 ECE 3010 简介射频与光学工程 3 ECE 3020 电子学概论 3 ECE 3027 电子实验室 1 ECE 3030 半导体电子设备 3 ECE 3040 可持续能源与电力系统 I 3 ECE 3050 信号与系统 3 ECE 3906 顶点设计 I 4 ECE 4905 顶点设计 II 3 总计 34 小时 工程选修课(27 小时)
“安全警告:在使用任何设备之前,务必了解与电路相关的危险,并熟悉标准做法,以防止发生事故。遵循这些安全准则,确保您的 EmuCore 设备安全操作和安装。根据所有国家法律法规处理本产品的最终处置。确保设备的安装符合当地和国家电气规范。本产品仅供室内安装。请将其远离水、火、潮湿和高温环境,以防止损坏并确保安全操作。仅使用制造商批准的电源和配件,这些电源和配件在本产品的原包装中提供。在将系统连接到电源之前,请仔细阅读安装说明,以确保正确设置并避免潜在危险。我们无法保证不会因设备使用不当而发生事故或损坏。请小心使用本产品并自行承担操作风险。如果设备发生故障,请立即将其与电源断开。最快的方法是从电源插座上拔下电源插头。客户有责任遵守当地国家关于安装和使用本产品的法规。遵守这些安全警告有助于确保 EmuCore 设备安全有效运行。如果您有任何问题或疑虑,请联系我们的客户支持团队寻求帮助。
摘要:半导体需要稳定的掺杂才能应用于晶体管、光电子学和热电学。然而,这对于二维 (2D) 材料来说是一个挑战,现有的方法要么与传统的半导体工艺不兼容,要么会引入时间相关的滞后行为。本文我们表明,低温 (<200 ° C) 亚化学计量 AlO x 为单层 MoS 2 提供了稳定的 n 掺杂层,与电路集成兼容。这种方法在通过化学气相沉积生长的单层 MoS 2 晶体管中实现了载流子密度 >2 × 10 13 cm − 2、薄层电阻低至 ∼ 7 k Ω / □ 和良好的接触电阻 ∼ 480 Ω · μ m。我们还在这个三原子厚的半导体上实现了创纪录的近 700 μ A/μ m (>110 MA/cm 2 ) 的电流密度,同时保持晶体管的开/关电流比 >10 6 。最大电流最终受自热 (SH) 限制,如果器件散热效果更好,最大电流可能超过 1 mA/μ m 。这种掺杂的 MoS 2 器件的电流为 0.1 nA/μ mo,接近国际技术路线图要求的几个低功率晶体管指标。关键词:2D 半导体、电流密度、掺杂、高场、自热、MoS 2 、Al 2 O 3 T
引入和分析了专为低温操作设计的光子热放大器(PHA)。该设备包括两个通过无损线连接的Anderson绝缘体储层,使它们可以通过光子模式交换热量。该配置可实现负差分电导(NDTC),可以利用以扩大热信号。为了实现这一目标,我们将一个储层保持在高温下,作为热晶体管的源端子。同时在另一个中,我们建立了与金属储层的隧道接触,该储层起着栅极和排水端的功能。使用这种布置,可以通过调节栅极温度来控制源和排水之间的热通量交换。我们提出了两种不同的参数选择,它们产生不同的性能:第一个强调调节源排水热电流,而第二个则重点是较冷的安德森绝缘子的温度调节。最后,我们提出了一个潜在的设计变化,其中所有电子储层都仅通过光子模式进行热连接,从而允许远处元素之间的相互作用。PHA的建议解决了MK范围内的热晶体管和放大器的缺乏,同时与电路量子电动力学的丰富工具箱兼容。它可以适应各种应用,包括在柯文温度下的传感和开发热电路和控制装置,这与量子技术有关。
摘要:分布式量子计算结合了多个设备的计算能力,以克服单个设备的局限性。电路切割技术使量子计算能够通过经典通信进行分布式处理。这些技术涉及将量子电路划分为更小的子电路,每个子电路包含更少的量子位。通过在单独的设备上执行这些子电路并组合它们的结果,可以复制原始电路的结果。然而,使用电路切割实现固定结果精度所需的发射次数会随着切割次数的增加而呈指数增长,从而带来巨大的成本。相比之下,量子隐形传态允许量子计算的分布式处理,而无需成倍增加发射次数。然而,每个隐形传态过程都需要一对预共享的最大纠缠量子比特来传输量子态,而非最大纠缠量子比特不能用于此目的。为了解决这一问题,我们提出了一种新颖的电路切割技术,利用非最大纠缠量子比特对,有效降低与电路切割相关的成本。通过考虑预共享量子比特对中的纠缠程度,我们的技术在现有电路切割方法和量子隐形传态之间提供了连续性,从而相应地调整了电路切割的成本。
BIO1110 - 生命科学 (2) (B2) CHM1150 - 工程师普通化学 (3) ECE1101 - 电路分析 I (3) ECE1101L - 电路分析 I 实验室 (1) ECE1310 - 工程师 C (3) ECE2101 - 电路分析 II (3) ECE2101L - 电路分析 II 实验室 (1) ECE2200 - 微电子电路简介 (3) ECE2200L - 微电子电路简介实验室 (1) ECE2300 - 数字逻辑设计 (3) ECE2300L - 数字逻辑设计实验室 (1) ECE3101 - 信号与系统 (3) ECE3101L - 信号与系统实验室 (1) ECE3200 - 微电子器件与电路 (3) ECE3200L - 模拟微电子实验室 (1) ECE3250 - 电磁场(3) ECE3301 - 微控制器简介 (3) ECE3301L - 微控制器实验室简介 (1) ECE3709 - 控制系统工程 (3) ECE3709L - 控制系统工程实验室 (1) ECE3715 - 电气和计算机工程师的概率、统计和随机过程 (3) ECE3810 - 电力工程简介 (3) ECE3810L - 电力工程实验室 (1) ECE4064 - 专业工程实践 (1) ECE4705 - 通信系统 (3) ECE4705L - 通信系统实验室 (1) EGR4810 - 项目设计原理与应用 (1) (B5) EGR4820 - 项目设计原理与应用 (1) (B5) EGR4830 - 项目设计原理与应用 (1) (B5) MAT1140 - 微积分 I (4) (B4) MAT1150 - 微积分 II (4) (B4) MAT2140 - 微积分 III (4) MAT2240 - 初等线性代数和微分方程 (3) PHY1510 - 牛顿力学简介 (3) (B1) PHY1510L - 牛顿力学实验室 (1) (B3) PHY1520 - 电磁学和电路简介 (3) PHY1520L - 电磁学和电路入门实验室 (1)
1. IGNagrath,《模拟电子学》,PHI 2. 《模拟电子学》,AK Maini,Khanna 出版社 3. 《微电子工程》——Sedra 和 Smith-Oxford。 4. 《电子设备和电路原理》——BL Thereja 和 Sedha——S Chand 5. 《数字电子学》——Kharate——Oxford 6. 《数字电子学——逻辑和系统》,J.Bigmell 和 R.Donovan 编著;Cambridge Learning。 7. 数字逻辑和状态机设计(第 3 版)– DJComer,OUP 8. 电子设备与电路理论 – Boyelstad & Nashelsky - PHI 9. Bell-Linear IC & OP AMP—Oxford 10. P.Raja- 数字电子学- Scitech Publications 11. Morries Mano- 数字逻辑设计- PHI 12. RPJain—现代数字电子学,2/e,McGraw Hill 13. H.Taub & D.Shilling,数字集成电子学- McGraw Hill。14. D.RayChaudhuri- 数字电路-Vol-I & II,2/e- Platinum Publishers 15. Tocci,Widmer,Moss- 数字系统,9/e- Pearson 16. J.Bignell & R.Donovan- 数字电子学-5/e- Cenage Learning。 17. Leach & Malvino—数字原理与应用,第 5 版,McGraw Hill 18. Floyed & Jain- 数字基础-Pearson。课程成果:ESC 301.1 定义基本模拟电路,例如放大器、Wein 桥振荡器、多谐振荡器、Schimtt 触发器和 555 定时器。ESC 301.2 使用二进制数字系统和布尔代数的基础知识区分模拟系统和数字系统。
ECE 501 高级模拟集成电路 3 ECE 502 高级数字与数据通信 3 500 级选修课 ECE 503 高级数字集成电路 3 ECE 504 电子电路与系统的计算机辅助验证 3 ECE 505 VLSI 混合信号集成电路分析与设计 3 ECE 506 高级 IC 处理与布局 3 ECE 507 高级固态器件 3 ECE 508 高级通信集成电路 3 ECE 509 VLSI 设计:系统方法 3 ECE 510 高级数字信号处理 3 ECE 511 信息理论 3 ECE 512 错误控制编码 3 ECE 513 数字图像处理 3 ECE 514 传感器与 DSP 系统设计 3 ECE 515 微波工程 3 ECE 516 线性代数与微积分 3 600 级选修课课程 ECE 601 量子与光电子学 3 ECE 602 射频集成电路设计 3 ECE 603 纳米级制造 3 ECE 604 纳米电子设备与电路 3 ECE 605 使用 VLSI 进行高速信号与图像处理 3 ECE 606 606 复杂数字系统设计 3 ECE 607 移动通信 3 ECE 608 高速通信网络 3 ECE 609 神经与非线性信息处理 3 ECE 610 高级天线设计 3 ECE 611 高级天线设计 3 ECE 612 数值电磁 3 ECE 613 高级无线通信系统 3 ECE 614 高级光通信系统 3 ECE 615 高级优化技术 3 ECE 616 统计信号处理 3 ECE 617 硅光子学 3
•收费:表示电动汽车所有者要求的能量。•充电变量:表示在给定的时间阶段的电流和从充电器到电动电池电池传递的待处理的电能。•充电枢纽:该市由充电站组成的独立充电枢纽。•直流快速字符:是使用480伏系统的EV充电器。这些充电器可以在30分钟内将电动汽车电池充电至80%。也称为3级充电器。•电流:从充电器到EV的电荷流量速率。•EV:乘用车。•能量:电能存储在电场中或由电流运输。•千瓦(KW):一千瓦。•千瓦时(千瓦时):一千瓦小时。•2级充电器:通过240V或208V电气服务提供高速AC充电的EV充电器,并且在家庭,工作场所和公共收费方面很常见。这些充电器可以在3-10小时内将电动汽车电池充电至80%。•兆瓦小时(MWH):一百万(10 6)瓦小时。•功率:电路可以传递电能的速率。它等于电流和电压的乘积。•城市:假设城市在此问题声明中。•总负载:充电集线器为所有电动汽车提供的每小时累积能量。•电压:导致电子并因此流经电路的压力。•伏特(V):电压量度。•瓦特(W):一个权力单位。一个伏特是驱动电流一个安培的势能的差。一瓦等于每秒一个焦耳,与电路电路的电源相同,电势差为一伏,一个安培的电流。•瓦小时(WH):电能单位。一瓦小时等同于在一个小时内以一瓦的功率使用/传输的能量。
估计携带精细电流的微波零件公司(MCI)使用几种不同的电线类型(金,铜,金镀铜,银,铝和镍合金)来制造微型空气线圈。每种电线类型都提供不同的优势或缺点。例如,许多客户使用了金属丝,因为其高氧化电阻,高电导率和与电路垫键合的相对易于性。金线的主要缺点是每线性英尺的成本。铜比黄金更实惠,并提供了优质的电气和热性能,同时提供了较低的金属间生长和机械稳定性的增加。镀金铜提供了一种解决方案,该解决方案将黄金和铜的优势以比纯金更低的价格结合在一起。许多MCI的电线供应商没有通过电线类型和量规(AWG)指定最大电流。供应商担心的是变量太多(电线长度,垫子大小,债券类型等)提供可靠的最大电流。许多电线供应商为每种电线类型提供电阻和介电,并建议客户计算电流。一个供应商提供了一个非常保守的方程式,用于计算细铜线的最大电流为(电线直径)2 * 4869.48。供应商建议也可以将相同的方程式用于金线。MCI认识到,最大电流是我们许多客户设计的重要参数。MCI使用修改后的Preece方程来确定最大电流。修改后的preece方程是:i = k * d 1.5其中:i =电流[amps] d =电线直径[英寸] k = MIL-M-M-38510J提供的常数