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1 德国硼中子感染治疗学会 DGBNCT eV,德国埃森 45122; hey@uni-leipzig.de(EH-H.); luigi.panza@uniupo.it (LP); daniela.imperio@uniupo.it (DI); pierluigi.mauri@itb.cnr.it (下午); andrea.wittig@med.uni-jena.de (AW) 2 杜伊斯堡-埃森大学医学院放射治疗系 NCTeam,德国埃森 45147 3 冈山大学中子治疗研究中心,日本冈山 700-8530 4 UGA/Inserm U 1209/CNRS UMR 5309 联合研究中心,高级生物科学研究所,38700 拉特龙什,法国; lucie.sancey@univ-grenoble-alpes.fr 5 莱比锡大学化学与矿物学系无机化学研究所,04109 莱比锡,德国; martin.kellert@uni-leipzig.de 6 东皮埃蒙特大学药学系,13100 韦尔切利,意大利 7 塞维利亚大学医学生理学和生物学系,41004 塞维利亚,西班牙; mbalcerzyk@us.es 8 塞维利亚大学国家加速器中心 - CSIC - 安达卢西亚自治区,41004 塞维利亚,西班牙 9 生物医学技术研究所(ITB-CNR),93,20090 塞格拉泰,意大利; giovanna.rizzo@itb.cnr.it (希腊); elisa.scalco@itb.cnr.it (ES)10 埃森大学医院核医学科,德国埃森 45147; ken.herrmann@uk-essen.de 11 蛋白质组学和代谢组学实验室,ELIXIR 基础设施,国家研究委员会 (ITB-CNR),20090 塞格拉泰,意大利; antonella.depalma@itb.cnr.it 12 意大利比萨高等圣安娜大学生命科学研究所,邮编 56127 13 德国耶拿弗里德里希席勒大学耶拿医院放射治疗和放射肿瘤学系,邮编 07743 * 通讯地址:wolfgang.sauerwein@dgbnct.de
图。1。示例能量谱,代表直接驱动DT低温实验的产物,其离子温度为2 keV,而面积的密度为100 mg/cm 2。sev-sev-sev-sup子在冷DT燃料中经历散射或参与分解反应n(d,p)2n,均以面积密度的优势。通过使用中子传输代码iris3d 9来生成这种能量谱,以使中子光谱用于球形和对称分布的冷燃料层,该频率围绕球形,体积分布的中子源。
明确研究了直径 400 μ m 的中子辐照 (NI) GaN 肖特基势垒二极管 (SBD) 的温度相关电特性。根据 CV 测量,与原始样品相比,NI 二极管的电子浓度明显下降,表明存在热增强载流子去除效应。中子辐照会导致明显的肖特基势垒高度不均匀性,这可以通过双势垒模型进行研究。数据表明,中子辐照会对漏电流以及低频噪声水平产生微小但可测量的抑制。尽管发现了新的深能级陷阱,但温度相关的电学结果表明 GaN SBD 具有出色的抗中子辐照性能和在极端工作温度下的稳定性。
cao H.B.,Chakoumakos B.C.,Andrews K.M.,Wu Y.,Riedel R.A.,Riedel R.A.,Hodges J.P.,Zhou W.,Gregory R.,Haberl B.,Haberl B.,Molaison J.J.,Lynn G.W.,需求,需求,需求,一个极端磁性中子差异的高度固定型,高纤维纤维,高纤维液,高度fllactoper 9 9
摘要 - 在图形处理单元(GPU)上执行的深神经网络(DNN)的可靠性评估是一个具有挑战性的问题,因为硬件体系结构非常复杂,软件框架由许多抽象层组成。虽然软件级故障注入是评估复杂应用程序可靠性的一种常见且快速的方法,但它可能会产生不切实际的结果,因为它对硬件资源的访问有限,并且采用的故障模型可能太幼稚(即单位和双位翻转)。相反,用中子光束注射物理断层提供了现实的错误率,但缺乏故障传播可见性。本文提出了DNN故障模型的表征,该模型在软件级别结合了中子束实验和故障注入。我们将运行一般矩阵乘法(GEMM)和DNN的GPU暴露于梁中子,以测量其错误率。在DNNS上,我们观察到关键错误的百分比可能高达61%,并表明ECC在减少关键错误方面无效。然后,我们使用RTL模拟得出的故障模型进行了互补的软件级故障注入。我们的结果表明,通过注射复杂的断层模型,Yolov3的误导率被验证为非常接近通过光束实验测得的速率,该速率比仅使用单位倒换的断层注射测量的频率高8.66倍。
文件可用性 1996 年 1 月 1 日之后发布的报告通常可通过美国能源部 (DOE) SciTech Connect 免费获取。网站 www.osti.gov 公众可以从以下来源购买 1996 年 1 月 1 日之前制作的报告: 国家技术信息服务 5285 Port Royal Road Springfield, VA 22161 电话 703-605-6000(1-800-553-6847)TDD 703-487-4639 传真 703-605-6900 电子邮件 info@ntis.gov 网站 http://classic.ntis.gov/ 能源部员工、能源部承包商、能源技术数据交换代表和国际核信息系统代表可以从以下来源获取报告: 科学技术信息办公室 PO Box 62 Oak Ridge, TN 37831 电话 865-576-8401 传真 865-576-5728 电子邮件 reports@osti.gov 网站 https://www.osti.gov/
1 德国硼中子感染治疗学会 DGBNCT eV,德国埃森 45122; hey@uni-leipzig.de(EH-H.); luigi.panza@uniupo.it (LP); daniela.imperio@uniupo.it (DI); pierluigi.mauri@itb.cnr.it (下午); andrea.wittig@med.uni-jena.de (AW) 2 杜伊斯堡-埃森大学医学院放射治疗系 NCTeam,德国埃森 45147 3 冈山大学中子治疗研究中心,日本冈山 700-8530 4 UGA/Inserm U 1209/CNRS UMR 5309 联合研究中心,高级生物科学研究所,38700 拉特龙什,法国; lucie.sancey@univ-grenoble-alpes.fr 5 莱比锡大学化学与矿物学系无机化学研究所,04109 莱比锡,德国; martin.kellert@uni-leipzig.de 6 意大利东皮埃蒙特大学药学系,13100 韦尔切利 7 西班牙塞维利亚大学医学生理学和生物学系,41004 塞维利亚; mbalcerzyk@us.es 8 塞维利亚大学国家加速器中心 - CSIC - 安达卢西亚自治区,41004 塞维利亚,西班牙 9 生物医学技术研究所(ITB-CNR),93,20090 塞格拉泰,意大利; giovanna.rizzo@itb.cnr.it (希腊); elisa.scalco@itb.cnr.it (ES)10 埃森大学医院核医学科,德国埃森 45147; ken.herrmann@uk-essen.de 11 蛋白质组学和代谢组学实验室,ELIXIR 基础设施,国家研究委员会 (ITB-CNR),20090 塞格拉泰,意大利; antonella.depalma@itb.cnr.it 12 意大利比萨高等圣安娜大学生命科学研究所,56127 13 德国耶拿弗里德里希席勒大学耶拿医院放射治疗和放射肿瘤学部,07743 耶拿,德国 * 通讯地址:wolfgang.sauerwein@dgbnct.de
摘要。必须研究用于陆地环境中高可靠性应用的电子设备,必须研究中子引起的单个事件效应。在本文中,在ISIS-Chipir辐射后,对包装商业SIC Power MOSFET的大气样中性诱导的单事件倦怠(SEB)进行了实验性观察。建立了SEB在MOSFET的电性能中的影响,并通过扫描电子显微镜观察到SIC损坏的区域。基于在模具级别的失败分析,可以定义SEB机制期间的不同阶段。敏感体积,其中二级粒子沉积了足够的能量以触发SEB机制,并位于SIC N-Drift外延层附近附近的SIC N-Drift外延层中。
本文介绍了合成,晶体生长,检测器制造,辐射硬化研究,MCNP建模以及二依依氏锂或Inse 2的表征。这个新开发的室温热中子检测器具有半导体和闪烁的特性,适用于中子检测应用。liinse 2是从元素li开始合成的,由于Li的高反应性,分为两个步骤。使用垂直Bridgman方法生长了一个含Iinse 2的单晶。使用光吸收测量值发现室温带隙为2.8 eV。散装电阻率。光电导率测量2晶片的光电识别在445 nm左右的光电流中。核辐射探测器是用单晶晶片制成的,并测量了各种偏见的α颗粒的响应。估计了千篇一律的产物。γ辐照研究的吸收剂量范围为0.2126至21,262 Gy。在每次辐照后都进行了两个晶圆的表征。γ辐射产生的光产率降低,这转化为alpha检测光谱质心的较低通道数。它也显示出第一次辐照后的衰减时间大大减少。这些是对这种材料进行伽马辐射硬化的第一批研究。