vinothelt@gmail.com 摘要 人工智能或 AI 现在是教育领域越来越重要的因素,特别是在高等教育专业人员的发展中。这是因为基于 AI 的工具现在正在帮助教育工作者提出具有个性化学习体验和实时反馈的新教学策略。借助这些工具,教师可以调整他们的方法来满足学生的不同需求,同时也支持他们自己的专业成长。人工智能可以自动执行评分和管理等日常任务,让教育工作者有更多时间专注于与学生互动和改进教学。本文认为,虽然人工智能带来了挑战,但它带来专业发展和重塑教育行业的潜力使其成为高等教育的重要工具。本文将探讨人工智能在高等教育中带来的机遇和挑战,并讨论其支持教育者全面发展的潜力。通过对人工智能的一些了解和优化,机构可以在这个竞争激烈的世界中保持领先地位,教育工作者可以提供优质的教育。从高等教育机构的专业人士和教师中收集了 219 个样本。确定基于人工智能的学习在高等教育专业人员全面发展中的作用的因素包括个性化学习体验、数据驱动的洞察力、决策预测分析和协作学习平台。关键词:人工智能、教育、高等教育、全面发展、个性化学习、技术简介人工智能 (AI) 已成为许多领域越来越重要的工具,教育也不例外。随着教育系统根据周围的进步而变化,基于人工智能的学习为支持教育工作者的专业发展提供了机会。高等教育专业人士,包括教职员工和
近年来,短视频平台广受欢迎,视频推荐的质量对于留住用户至关重要。现有的推荐系统主要依赖于行为数据,但由于数据稀疏、偶然交互或个人习惯噪声等问题,行为数据在推断用户偏好时受到限制。为了应对这些挑战并更全面地了解用户的情感体验和认知活动,我们提出了EEG-SVRec,这是第一个具有短视频推荐中用户多维情感参与标签的EEG数据集。该研究涉及30名参与者并收集了3,657次交互,提供了丰富的数据集,可用于更深入地探索用户偏好和认知活动。通过结合自我评估技术和实时、低成本的EEG信号,我们可以更详细地了解用户的情感体验(效价、唤醒、沉浸感、兴趣、视觉和听觉)及其行为背后的认知机制。我们通过推荐算法建立了评分预测基准,结果表明,加入 EEG 信号后,评分预测效果显著改善。此外,我们展示了该数据集在洞察推荐系统中用户行为背后的情感体验和认知活动方面的潜力。这项工作通过利用 EEG 信号和多维情感参与分数中包含的丰富信息,为增强短视频推荐提供了一种新颖的视角,为未来短视频推荐系统的研究铺平了道路。数据集可在 https://github.com/hezy18/EEG-SVRec 上找到
在高能粒子碰撞中,带电轨迹查找是一项复杂而又至关重要的工作。我们提出了一种量子算法,特别是量子模板匹配,以提高轨迹查找的准确性和效率。通过引入数据寄存器并利用新颖的 oracle 结构来抽象量子振幅放大例程,可以将数据解析到电路并与命中模式模板匹配,而无需事先了解输入数据。此外,我们解决了命中数据缺失带来的挑战,证明了量子模板匹配算法能够从命中数据缺失的命中模式中成功识别带电粒子轨迹。因此,我们的研究结果提出了适合实际应用的量子方法,并强调了量子计算在对撞机物理学中的潜力。
摘要 - 在这封信中,我们通过光学注射增益开关(GS)半导体纳米仪(SNLS)来研究光频梳(OFC)的产生。使用速率方程进行了计算,其中包括percell腔体增强的自发发射因子F和发射偶联因子β。在分析中,评估了F的影响,以改变主和从纳米剂之间的注射强度和频率不吻。通常,由于在广泛的参数空间上进行光学注射,可以实现注射锁定区域,其中生成的OFC具有宽10 dB的频率跨度(F 10),高载体与噪声比(CNR)和窄线路。此外,通过提高注入强度,可以进一步增强F 10和CNR。此外,F 10和CNR分别随着f的增加而减小和增加。这些新颖的发现是基于光子整合电路中光学注射的GS SNL的简单和紧凑源OFC来源的开发。
随着行业向超摩尔时代迈进,下一代封装技术也朝着高密度芯片或芯片分割封装集成方向发展。尤其是对于高性能计算应用,先进封装技术通过硅或有机中介层集成多个芯片芯片,从而提供经济效益。有机中介层是芯片到芯片互连的替代接口之一。FO-MCM 以同质封装集成概念应用于芯片集成和 ASIC 到 Serdes 芯片集成而闻名。由于人工智能计算和 HPC 市场增长的推动,将封装的 HBM 集成到封装模块中作为异构集成封装 (HIP) 的趋势已经形成。近年来,两种平台(以硅中介层为基础的 2.5D 和以部分桥接芯片为互连介质的 FO-EB)已投放市场。还讨论了采用纯有机中介层的 FO-MCM 应用于异构集成领域的可行性。全有机中介层可以为 HPC 产品提供多个 RDL 层和线路/空间的灵活设计。本研究旨在解决采用纯有机中介层的 FO-MCM 平台实现集成 HBM 的异质封装。FO-MCM 中的芯片最后方法具有控制 RDL 质量和采用“已知良好的 RDL”以节省顶层芯片成本的优势。扇出型 RDL 配置为 4 层,最小 L/S 为 2/2um。在验证过程中,基于模拟分析,通过材料和底部填充选择优化了翘曲和应力。组装结果表明,翘曲和可靠性验证通过了 MSL4、TCT700x、uHAST96 和 HTST1000hrs 条件。关键词 扇出型 MCM;芯片最后;异质集成;芯片分区;高性能计算;HBM
摘要:本文介绍了一种采用 65 nm 技术制造的 26 Gb/s CMOS 光接收器。它由三电感跨阻放大器 (TIA)、直流 (DC) 偏移消除电路、3 级 gm-TIA 可变增益放大器 (VGA) 以及内置均衡技术的无参考时钟和数据恢复 (CDR) 电路组成。TIA/VGA 前端测量结果显示 72 dBΩ 跨阻增益、20.4 GHz −3 dB 带宽和 12 dB DC 增益调谐范围。VGA 电阻网络的测量也证明了其有效克服电压和温度变化的能力。CDR 采用全速率拓扑,具有 12 dB 嵌入式均衡调谐范围。该芯片组的光学测量结果显示,在 2 15 −1 PRBS 输入下,26 Gb/s 速率下的 BER 为 10 −12,输入灵敏度为 −7.3 dBm。使用 10 dB @ 13 GHz 衰减器的测量结果也证明了增益调谐功能和内置均衡的有效性。整个系统功耗为 140 mW,采用 1/1.2 V 电源供电。
在向市政府提交任何正式提案之前,社区团体需要与市政府协商,以确保所有必要的工作范围和费用都已包含在提案中(例如配电板升级和/或屋顶工程)。
带电粒子诱导的cspbbr 3(CPB)perovskite量子点(QD)的辐射发光(RL)。用光电倍增管(PMT)与脉冲数字技术相结合分析了RL响应,从而可以评估单个A辐射事件的时间分辨波形。发现电脉冲的上升和衰减过渡时间非常接近仪器限制,而比常规无机闪烁体中通常测得的数量级要短。基于对时序特征的统计分析,我们的研究评估了在使用CSI(TL)闪烁体进行比较测量中证明的钙钛矿纳米材料的潜力。将脉冲电荷的分布转换为发光强度,并用蒙特卡洛模拟拟合,估计RL产量为2.95个光子/KEV,而检测效率(DE)的估计值为29.2%,指的是我们的平均簇厚度为5 QD层。2021作者。由Elsevier B.V.这是CC BY-NC-ND许可证(http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/)下的开放访问文章。
大流行持续了横冲直撞,全球有超过5600万例确认的案件,在致命袭击下,有超过130万人死亡和220个国家。图片:亚历山大·阿维洛夫(Alexander Avilov)/莫斯科新闻社/通过路透社讲义
在能量受限的应用中,例如无线传感器节点、植入式医疗设备或便携式娱乐设备,为了延长系统电池寿命,必须采用超低功耗电路。具有中等采样率(0.01-1 Msps)和分辨率(8-10 位)的 ADC 是此类设备的关键组件。在不同的转换器架构中,SAR ADC 是最佳选择,因为它在功率效率、转换精度和设计复杂性之间实现了良好的平衡。在这种转换器中,主要的功耗源是数字控制电路和电容式 DAC 阵列。虽然数字功耗受益于技术进步,但电容阵列导致的功耗受到电容不匹配的限制,这几乎与技术无关。为此,已提出了大量 DAC 拓扑和开关算法,以在不影响精度的情况下降低 DAC 功耗。最新趋势是依靠传统二进制加权 (CBW) 阵列的高线性特性,采用亚 fF 范围内的全定制单位电容 [ 1 – 3 ]。事实上,通用设计套件提供的电容最小值远大于满足线性要求所需的值,导致阵列电容相当大,从而导致开关功率很高。这种方法需要额外努力来设计和建模单位电容或误差校正技术,从而增加了面积和电路复杂性。