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经颅MR成像 - 指导的集中超声...
治疗，超声能量从多个超声音元素沉积到大脑中的特定位置，以升高温度并消融靶组织。tcMRgFUS treatment-planning is usually performed in 3 steps: 1) CT images are acquired to estimate regional skull density and skull geometry and to estimate ultrasound attenuation during ultra- sound wave propagation, 1 2) MR images are acquired to identify the ablation target in the brain, 1 and 3) the CT and MR images are fused to facilitate treatment-planning.最大程度地减少涉及的步骤以进行实际治疗可能会对临床工作流产生积极影响。在这里，我们通过消除CT成像（因此没有辐射）来关注最小的患者负担的含义，并根据Ultrashort TE（UTE）图像将其替换为颅骨的合成CT。UTE MR成像是对短-T2组织组件（例如骨骼）成像的重要技术。先前的研究
椰子油中超声处理石墨烯的热性能作为建筑应用中储能的相变材料 1
本研究旨在调查基于椰子油的相变材料 (PCM) 在建筑储能应用方面的热性能。椰子油被归类为由可再生原料制成的脂肪酸组成的有机 PCM。但低热导率是有机 PCM 的主要缺点之一，必须加以改进。石墨烯可以成为提高有机 PCM 热性能的有效材料。在本研究中，使用了潜热容量为 114.6 J/g 和熔点为 17.38 ◦ C 的椰子油。通过将石墨烯超声处理到椰子油中作为支撑材料来制备 PCM。制备的 PCM 的质量分数为 0、0.1、0.2、0.3、0.4 和 0.5。使用 KD2 热性能分析仪在循环恒温浴模拟的不同环境温度 5、10、15、20 和 25 ◦ C 下进行热导率测试。通过差示扫描量热法测定潜热、熔点和凝固点，使用热重分析 (TGA) 测定热稳定性，使用透射电子显微镜和傅里叶变换红外光谱分别检查形态和化学结构。这项研究的结果表明，在椰子油中添加石墨烯可改善热性能，在 20 ◦ C 时，0.3 wt% 的样品中改善效果最明显。由于 PCM 内的分子运动，潜热降低了 11%。然而，TGA 表明，复合 PCM 在环境建筑温度范围内表现出良好的热稳定性。
Bi 2 O 2 Se 基约瑟夫森结中超电流的幅度和空间分布控制
摘要：许多探索拓扑量子计算的提案都是基于在具有强自旋轨道耦合 (SOC) 的材料上构建的超导量子装置。对于这些装置，对超电流的大小和空间分布的完全控制要求很高，但到目前为止仍难以实现。我们在 Bi 2 O 2 Se 纳米板上构建了一个近距离型约瑟夫森结，Bi 2 O 2 Se 是一种具有强 SOC 的新兴半导体。通过电门控，我们表明超电流可以完全打开和关闭，并且其实空间路径可以通过本体或沿边缘配置。我们的工作表明 Bi 2 O 2 Se 是构建多功能混合超导装置以及寻找拓扑超导性的有前途的平台。关键词：Bi 2 O 2 Se 纳米板、超电流、空间分布、约瑟夫森结
热原子蒸汽中超纠缠光子的产生
超纠缠光子源因其高信息容量而在量子信息处理中起着至关重要的作用。在本文中，我们展示了一种通过热 87 Rb 原子蒸汽中的自发四波混频 (SFWM) 产生偏振和轨道角动量 (OAM) 超纠缠光子对的便捷方法。偏振纠缠是通过在构成相位自稳定干涉仪的两个光束位移器的帮助下相干地组合两个 SFWM 路径来实现的，OAM 纠缠是通过在 SFWM 过程中利用 OAM 守恒条件实现的。我们的超纠缠双光子源具有高亮度和高非经典性，可能在基于原子-光子相互作用的量子网络中有广泛的应用。© 2020 美国光学学会
新技术的安全性和可行性，在Mitraclip干预过程中超声心动图和荧光镜检查图像
方法和结果：在Echonavigator软件（EN+患者）的支持下对21名患者进行了治疗。主要（安全）终点是总辐射剂量。次要终点是荧光镜检查和总过程时间。将测量结果与在安装回声器（ECHONAVIGATOR（EN-ETANTE）安装之前接受治疗的21例患者的测量值进行了比较。将更多的mitraclip（45 vs. 36）植入了EN+组中，反映了该组中更复杂的干预措施。在EN+患者中，辐射剂量（GY/CM 2）与EN患者相似（146.5±123.6 vs.146.8±134.1，p = 0.9）。与EN+患者相比，EN+组的总程序时间（分钟）相似（136.2±50.2 vs. 125.7±51.2，p = 0.5）。回声器的主要好处是超声心动图和荧光镜检查的实时融合，导致EAS IER导管操纵。
快速热退火对纳米级 MOSFET 技术中超薄高 k HfO2 薄膜性能影响的研究
研究了快速热退火对射频溅射系统沉积的高 k HfO 2 超薄膜结构和电学性能的影响。分别在氧气和氮气环境下研究了薄膜特性以获得最佳快速热退火温度，以获得作为 MOS 器件结构的最佳电学效果。使用傅里叶变换红外光谱 (FT-IR) 详细研究了温度诱导退火对 HfO 2 /Si 界面的影响。分别通过椭圆偏振仪、XRD 和 AFM 研究了薄膜厚度、成分和微观结构，并显示了退火对这些参数的影响。采用 Si/HfO 2 /Si MOS 电容器结构研究了退火电介质薄膜的 I-V 和 C-V 特性。结果表明，在氮气环境下采用快速热退火 (RTA) 的 HfO 2 /Si 堆栈比在氧气环境下表现出更好的物理和电学性能。结果表明，RTA 改善了 HfO 2 /Si 的界面特性和 HfO 2 超薄膜的致密化。在氮气和氧气中分别以 700 C 退火后，沉积的薄膜为非晶态和正交晶系。我们发现，氮气退火样品的等效氧化物厚度、界面态密度、电容-电压滞后和漏电流均有所降低；此外，在正电压偏置和温度应力下，电荷俘获也几乎可以忽略不计。本文对结果进行了介绍和讨论。2011 Elsevier BV 保留所有权利。