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World File Search System串联电阻
Si衬底上沉积的HfO2栅极介电体界面陷阱密度和串联电阻的频率依赖性研究：50MeV Li3+离子辐照前后
我们首次报告了 50 MeV Li 3+ 离子辐照对串联电阻和界面态密度的频率依赖性影响的研究，这些影响是由射频溅射制备的 HfO 2 基 MOS 电容器的电容-电压 (C-V) 和电导-电压 (G-V) 特性确定的。样品在室温下用 50 MeV Li 3+ 离子辐照。测得的电容和电导已根据串联电阻进行校正。在辐照之前和之后，在 1 KHz 至 1 MHz 的不同频率下估算了串联电阻。观察到串联电阻在辐照前随频率从 6344.5 降低到 322 欧姆，在辐照后降低到 8954-134 欧姆。界面态密度D it 由辐照前的1.12×10 12 eV 1 cm 2 降至3.67×10 11 eV 1 cm 2
9300电池仿真的高功率系统
要对任何电池进行建模并适应测试需求，需要编程等效电池模型的电压和电阻值和行为。例如，除了设置所需的电压之外，以缓慢的速率将其驱散的能力还可以模仿预期的电池电量或放电的电压变化。图3显示了可编程串联电阻的这种效果，因为它受到了多个放电脉冲的影响。由于电压的变化与可编程串联电阻模型的电流成正比，因此工程师可以测试设备，就好像它连接到新的（低电阻）或旧（较高的电阻）电池一样。这种方法允许更快，一致和安全的测试。
具有神经常规微分方程的灰色盒模型，用于锂离子电池的缓慢电压动力学：应用于单细胞实验
锂离子电池表现出复杂，非线性和动态电压行为。对其缓慢的动态进行建模是一个挑战，因为涉及多个潜在原因。我们在这里提出了锂离子电池的神经等效电路模型，包括缓慢的电压动力学。该模型使用具有电压源，串联电阻和扩散元件的等效电路。使用神经网络对串联电阻进行参数化。扩散元素基于使用神经网络和可学习参数的参数化的离散形式的Fickian扩散形式。不仅代表沃伯格的行为，还可以灵活地代表电阻器型动力学。在数学上，由此产生的模型由结合了普通和神经微分方程的差分 - 代数方程系统给出。因此，该模型将物理理论（白框模型）和人工智能（Black-Box模型）的概念结合到了组合的框架（Grey-Box模型）。我们将这种方法应用于基于磷酸锂的锂离子电池。模型很好地再现了恒定循环期间的实验电压行为以及脉冲测试过程中的动力学。仅在非常高和非常低的电荷状态下，模拟显着偏离了实验，这可能是由于这些地区的训练数据不足而导致的。
局部抗性测量，用于用内在的薄层（命中）太阳模块降解C-SI异质结构：预印度
摘要 - 固有的薄层（或命中）模块的硅异质结通常在太阳能场中每年低于1％的降解，而在开路电压中显性降解，并且在串联电阻中有些降解。但是，详细的机制因模块而异。在这里，我们研究了在长期田间部署中发生的局部系列抗性的增加，这是由细胞区域指示的，在这些细胞区域中，光致发光强度不会降解，而是电致发光显着降解。为了直接测量局部串联电阻，我们已经凝固了局部电致发光降解区域，并使用扫描扩散抗性显微镜（SSRM）测量了4点探针和局部NM-尺度电阻的板电阻。通过4点探针的结果显示出散射的板电阻，例如，通过透明的导电氧化物层，A-SI：H Emitter或近结式C-SI反转层引起的不均匀电流路径。相比之下，SSRM结果表明在较小的纳米空间尺度上具有相对均匀且非降解的电阻率。SSRM是一种基于原子力显微镜的两末端电阻映射技术，可测量探针下方的NM-体积的局部电阻。在对照和降解样品上测得的一致电阻可以排除透明导电氧化物电阻的降解。
使用增压转换器延长电池寿命
尽管高能密度，低放电的硬币电池非常受欢迎，但其主要缺点是高等效串联电阻（ESR）和有限的电流功能。对于PWM负载应用，占空比很小，高电流脉冲增加了高弹性电流尖峰，该峰值远高于放电电流，并且对电池容量和电池寿命产生了不利影响，尤其是在使用超级电容器时。随着电池的增加，ESR增加，电流尖峰引起的功率损失也相应增加。
高温存储期间铝和触觉湿电容器的降解
铝电解电容器（AEC）可用于较高的电容和电压范围，与触觉电解电容器（TEC）相比。然而，在使用温度加速的常规AEC操作或存储过程中电解质的蒸发不允许在空间电子中使用这些零件。相反，对于需要大价值电容器和高工作电压的系统，设计人员必须使用TEC库，这些TEC库实质上增加了电子模块的大小和重量。使用密封的AEC的开发可能对空间系统有益，只要确保必要的可靠性。在AEC存储期间泄漏电流的增加是众所周知的，并且通常通过电解质中氧化铝溶解来解释。但是，尚未讨论这种效果的其他可能机制。尽管密封的TEC已在太空系统中使用了多年，但缺乏有关存储对其特性的影响的信息，这是对铝电容器的比较。这项工作探讨了AC特性（电容，耗散因子和等效串联电阻）和DC特性（泄漏和吸收电流）在长期存储期间在长期存储期间（100°C，125°C，125°C和15000000000000000000000000000000000子）的AC特性（电容，耗散因子和等效串联电阻）和DC特性（泄漏和吸收电流）。表明，两种类型的电容器中的泄漏电流正在降解，但是在偏置应用程序后，这种降解是可逆的。降解机制，并提出了基于两种电容器常见的过程的解释。分析了与密封电容器中电解质蒸发和蒸发相关的问题。
微型 FD-SOI MOSFET 的低温行为
摘要 — 本文介绍了一项关于 28 nm FD-SOI MOSFET 参数提取和分析的分析性实验研究，温度范围从室温到 25 K，栅极长度从微米到纳米。结果表明，FD-SOI 器件随温度变化的行为可以通过深低温条件下已建立的物理理论可靠地描述：玻尔兹曼统计和声子散射机制是决定器件电行为的两个主要因素。此外，我们还展示了 Y 函数作为一种参数提取方法的优势，适用于不同的通道长度和宽的温度范围。我们展示了阈值电压、亚阈值摆幅、低场迁移率和源漏串联电阻对温度的依赖性，以及栅极长度减小如何影响这些特性。