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World File Search System串联电阻
用于模拟神经网络在线训练的铁电场效应晶体管 (FET) 计算效率高的紧凑模型
制造了用于存储器和神经形态应用的具有 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 栅极绝缘体的三栅极铁电 FET，并对其进行了多级操作表征。电导和阈值电压表现出高度线性和对称的特性。开发了一种紧凑的分析模型，以准确捕捉 FET 传输特性，包括串联电阻、库仑散射和垂直场相关的迁移率降低效应，以及阈值电压和迁移率随铁电极化切换的变化。该模型涵盖亚阈值和强反转操作。额外的测量证实了铁电切换，而不是基于载流子捕获的存储器操作。紧凑模型在用于深度神经网络在线训练的模拟平台中实现。
金刚石 pn 结二极管贝塔伏打电池性能的温度依赖性
摘要 — 评估了金刚石 pn 结贝塔伏特电池能量转换效率的温度依赖性。我们制造了伪垂直金刚石 pn 结二极管，并表征了其在 5-300 K 电子束辐照下的能量转换效率。金刚石 pn 结二极管在 150-300 K 时的能量转换效率为 18-24%，是硅 PiN 二极管的两倍多。另一方面，在 100 K 以下，由于金刚石的串联电阻增加，二极管的能量转换效率显着下降。在 150K 以上，金刚石 pn 结二极管的能量转换效率的温度依赖性小于硅二极管，这将使金刚石 pn 结贝塔伏特电池成为一种有前途的装置，用于在除低温区域以外的宽温度范围内进行遥感设备的能量收集。
LTM8071 (Rev. B) - ADI 公司
TR/SS（引脚 B2）：TR/SS 引脚用于提供软启动或跟踪功能。内部 2μA 上拉电流与连接到此引脚的外部电容器相结合，产生电压斜坡。输出电压跟踪到此电压。为了进行跟踪，请将电阻分压器从跟踪的输出连接到此引脚。在关机和故障条件下，此引脚通过内部 MOSFET 接地；如果从低阻抗输出驱动，请使用串联电阻。如果不需要跟踪功能，则此引脚可以悬空。在启动期间，如果在 TR/SS 上使用相对较低的电容器，输出电压可能需要比预期更长的时间才能达到调节效果。如果需要准确的启动时间，请参考 LTspice 中的 LTM8071 仿真模型，以帮助选择合适的软启动电容器。
基于 SRAM 的 FPGA 中的布线延迟建模
FPGA 设计的一个关键方面是其布线架构，它包括用于互连器件逻辑块的资源。在早期的 FPGA [1] 中，互连主要由跨越一个逻辑块长度或宽度的短线段组成。可以通过可编程布线开关将两个或多个短线段连接在一起来形成较长的线段。虽然这种方法可以很好地利用线段，因为没有可能浪费在短连接上的长线段，但要求长连接通过多个串联开关会严重影响速度性能。这是因为基于 SRAM 的 FPGA 通常使用传输晶体管来实现布线开关，而这种开关具有很大的串联电阻和寄生电容。为了解决这些问题，最近提出了一种用于互连的布线开关，用于将两个或多个短线段连接在一起的布线开关。
电阻存储器分析和建模的参数提取技术
本文对用于提取电阻开关 (RS) 和建模参数的不同数值技术进行了修订。针对不同的电阻存储技术，计算了常用于估计可变性的置位和复位电压。还介绍了提取串联电阻的方法以及与电荷通量忆阻建模方法相关的参数。研究发现，获得的周期间 (C2C) 可变性取决于所使用的数值技术。这一结果很重要，它意味着在分析 C2C 可变性时，应描述提取技术以对不同的电阻存储技术进行公平比较。除了使用大量不同类型的电阻存储器的实验数据外，我们还采用了动力学蒙特卡罗 (kMC) 模拟来研究构成导电细丝 (CF) 的渗透路径的形成和断裂事件，这些细丝允许在丝状单极和双极器件中进行电阻开关操作。
通过单个高阶模式操作通过大区域VCSEL的大量发射
实现单模式发射的最简单方法是利用一个小的氧化孔（<3μm）。但是，由于串联电阻的增加，这强烈限制了输出功率，并使热滚动局部恶化。如[6]中所述，已经提出了几种设计，以提高单模内部的产量功率，例如基于表面浮雕的圆形VCSEL [15]，[16]或圆形设备，其Epi架构具有氧化物和静电波之间的特定对齐方式，通过修改几乎没有P-dbriairs [6] [6]。两种解决方案都呈现一个模式功率，左右为4÷6 mW。但是，对于使用VCSEL阵列或大型主动区域设备可以实现的功率水平仍然很低，具有多模式发射，因此较低的光谱纯度。例如，具有尺寸为40×10μm2的矩形活性区域的VCSEL报告了数十个MW的多模式功率[17]，[18]。
火星氧气 ISRU 实验总结报告 (...
• 事实证明，MOXIE 设计可以从实验室转移到火星，性能不会下降。• MOXIE 超出了生产的开发要求 2 倍，并实现了不可测量的低氧杂质水平。• MOXIE 展示了品质因数，特别是 iASR 和简单的纯度测量，它们将成为未来系统的基准。• MOXIE 通过表征鲜为人知的属性（包括引线和串联电阻、堆栈 ASR 和交叉泄漏）来消除风险。• MOXIE 验证了更安全的操作模式，包括固定电压、阴极压力反馈和电压前馈。• MOXIE 团队开发了准确的性能预测模型。• MOXIE 学生模拟了一个全尺寸、高度节能的系统设计。 • MOXIE 团队证明，在一个完整的系统中，灰尘并不是什么大问题。• 通过专业和公众宣传，MOXIE 向工程界和公众证明了 ISRU 是一种安全、可靠、有效的方法，可以降低载人探索的成本和复杂性。
通过电致发光
在此，提出了一种通过电发光（EL）用于硅太阳能电池进行晚期串联抗性成像的方法。Haunschild等人的著名方法。被重新审视。由于较大的少数荷载载流子扩散长度和更薄的太阳能电池，因此显示扩散长度和EL信号之间线性关系的富崎假设不适用于硅设备。在这里使用Breitenstein得出的一种新关系。与Haunschild的原始方法相比，基于两个EL图像的串联电阻和饱和电流成像的更新方法表明，对比度的分离远远超过60％。使用高级方法，用于样品单元上突出特征的高级方法，由电阻图像中重组引起的不需要信号的对比度从0.89降低到0.44。由于电阻引起的对比度保持在同一水平。深色饱和电流密度图像在重组活动区域显示出20％的峰值，低5％。
利用导电氧化物界面实现电阻式随机存取存储器
二维电子气 (2DEG) 可在某些氧化物界面处形成，为创造非凡的物理特性提供了肥沃的土壤。这些特性可用于各种新型电子设备，例如晶体管、气体传感器和自旋电子器件。最近有几项研究展示了 2DEG 在电阻式随机存取存储器 (RRAM) 中的应用。我们简要回顾了氧化物 2DEG 的基础知识，强调了可扩展性和成熟度，并描述了从外延氧化物界面（例如 LaAlO 3 /SrTiO 3 ）到简单且高度可扩展的非晶态-多晶系统（例如 Al 2 O 3 /TiO 2 ）的最新发展趋势。我们批判性地描述和比较了基于这些系统的最新 RRAM 设备，并强调了 2DEG 系统在 RRAM 应用中的可能优势和潜力。我们认为当前的挑战是围绕从一个设备扩展到大型阵列，其中需要在串联电阻降低和制造技术方面取得进一步进展。最后，我们列出了基于 2DEG 的 RRAM 所带来的一些机遇，包括增强的可调性和设计灵活性，这反过来可以为多级功能提供优势。
基于有限元法的模块化多电平换流器金属化聚丙烯电容器寿命分析
摘要 金属化聚丙烯电容器（MPPC）因损耗低、自愈能力强等优点，在高压直流输电系统的模块化多电平换流器（MMC）中得到广泛应用。由于等效串联电阻的增加和电容量的减小，MMC中MPPC的性能随时间推移而劣化，因此MPPC的可靠性分析至关重要。本文提出一种考虑腐蚀失效的有限元法（FEM）来分析MPPC的可靠性。首先，建立MPPC的等效电模型和实际热模型，计算MPPC的损耗和温度分布。其次，利用FEM模型对MPPC的腐蚀失效进行分析和仿真，利用聚丙烯薄膜老化模型建立MPPC的寿命模型，并通过传统腐蚀失效寿命模型和浮充老化试验对模型进行验证。最后，在MMC模型中提取各子模块（SM）的电压，结合FEM模型和寿命模型分析各SM中MPPC的寿命。结果表明，在MMC中，靠近直流线或中间部分的各臂中的SM具有较短的MPPC寿命。