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![俄乌冲突对中美关系的影响论析[1]](/simg/g:\will\search\icon\source\8\842d07fba6139976495298fd174063d5d4fa2031.webp)
1. 职位类型及申请资格
6 天前 — 6 申请程序。 (1) 需提交的文件。 A. 国防部人事考试申请表 (1 份) (照片：4.0cm x 3.0cm) B. 个人简历 (市售) (照片：4.0cm x 3.0cm) 附上)。 *照片标准：申请前 6 个月内...
博士康拉德·吉塞斯·特萨西·费乌格莫
对净零排放的追求催化了碳捕获、储存和利用 (CCUS) 计划的发展。传统的 CO2 捕获技术，尤其是那些采用胺基溶液处理发电厂排放的技术，由于其在热再生过程中的大量能源需求和与卡诺极限相关的低效率，正在被重新评估。为了寻求更可持续的替代方案，本研究深入研究了新兴的电化学碳捕获浓缩 (eCCC) 系统领域。这些新系统在环境条件下运行，适用于可再生能源，有可能减少碳捕获过程的能源足迹。我们研究的核心是利用 pH 波动技术对 sp2 胺进行电化学 CO2 封存的计算设计和分析。我们研究了 sp2 胺分子，这些分子以其氧化还原活性为特征，研究它们在 eCCC 中的效用，评估了它们的溶解度、与水环境的氧化还原电位兼容性以及它们的电化学反应的可逆性。人工智能在计算分子筛选中的整合进一步完善了选择过程，精准定位最有可能提高 eCCC 技术效率和可扩展性的候选药物。
马里乌斯·安德烈·奥拉里乌
相关论文选登： 1. (JOURNAL1) M. Olariu、A. Arcire，用于呼吸分析目的的富勒烯 C60 的甲烷和氢气传感特性，IAŞI 理工学院公报，第 64 卷（68），第 3 期，页。 107-119，2018，电工部分。活力。电子学 2. Olariu Marius、Arcire Alexandru，基于交叉指型微电极几何形状变化提高介电泳阵列电操作能力，DOI：10.1109/ICEPE.2016.7781298，电子版 ISBN：978-1-5090-6129-7，pg。 37-41，第九届国际电气和电力工程会议暨博览会，EPE 2016 INSPEC 接入号：16525883 3. Baluta, G.，Olariu M.，BLDC 电力驱动系统闭环控制和无传感器控制的数值模拟，2014 年，EPE 2014 - 2014 年国际电气和电力工程会议暨博览会论文集，文章编号 6970047，第 927-932 页，ISBN：978-1-4799-5849-8 接入号：WOS：000353565300173 4. (REVISTA2) Cetiner, S.; Olariu，M.；新奥尔良，卡亚； Aradoaei S, 聚（丙烯腈-共-丙烯酸）-聚吡咯复合材料的热刺激放电电流，2013 年 3 月，Key Engineering Materials 543:154-158，DOI：10.4028/www.scientific.net/KEM.543.154 接入号：WOS:000319023100038 5. Scarlatache, V.-A.、Olariu, M.、Ursache, S.、Ciobanu, RC、Pasquale, Mb，铁磁粉末增强纳米复合聚合物基质的磁损耗和介电损耗，2012 年，文章编号 6463940，第 125-128 页，2012 年，ISBN：978-1-4673-1172-4； 978-1-4673-1173-1，第七届国际电气和电力工程会议和博览会，EPE 2012 接入号：WOS:000324685300026 6.（JOURNAL3）山羊。 A、Coisson A、Fiorillo、Kabos P、Manu OM、Olivetti A、Olariu MA、Pasquale M、Scarlatache VA、聚合物键合氧化铁纳米粒子的微波行为，IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS 卷：48 期：11 页：3394-3397 DOI：10.1109/TMAG.2012.2200462 出版日期：2012 年 11 月，影响因子 = 1,467
科尔内利乌·马里乌斯·克拉丘内斯库
出生日期和地点：1960 年 7 月 25 日，罗马尼亚蒂米什瓦拉。国籍：罗马尼亚 公民身份：罗马尼亚人 联系方式：蒂米什瓦拉理工大学机械工程学院材料与制造工程系，Bd。 Mihai Viteazul 1, 300026 蒂米什瓦拉罗马尼亚；电话：+40-256-403655；传真：+40-256-403523；电子邮件：craciunescucm@yahoo.com, corneliu.craciunescu@upt.ro a) 教育/文凭
乌迪内大学 - UNIUD
在过去十年中，石墨烯因其独特的电气特性（如高电子迁移率和高饱和速度 [1]）而备受关注。遗憾的是，由于没有带隙，石墨烯不适合数字电路应用。在模拟 RF 电路中，传统的 MOSFET 结构（如石墨烯场效应晶体管 (GFET)）能够达到约 400 GHz 的截止频率 (f T ) [2]，但输出特性的非饱和行为 [3] 导致重要 RF 性能指标的下降，因为固有电压增益 A V = g m / g ds 。出于这个原因，最近提出了新的基于石墨烯的晶体管概念，如石墨烯基晶体管 (GBT, [4])，利用通过薄电介质的量子隧穿，如热电子晶体管 (HET, [5])。GBT 由垂直结构组成（图1 中的插图），其中石墨烯片用作控制电极，即基极 (B)，位于图1 中的 x = 0 处。基极通过发射极-基极和基极-集电极绝缘体（分别为 EBI 和 BCI）与金属或半导体发射极 (E) 和金属集电极 (C) 隔开 [4]。在正常运行中（即正基极-发射极偏压，V BE > 0 和正集电极-基极偏压，V CB > 0），电子隧穿 EBI，垂直于石墨烯片 (GR) 穿过基极，然后沿着图1 中的 x 方向漂移穿过 BCI 的导带 (CB)。尽管其单原子厚度，