我们报告了金属间化合物包包的结构和超导性能。我们发现,该材料从扭曲的Alb 2 -type结构[1H,a = 4经历了结构性二阶相变。3254(2)Å,C = 5。1078(3)Å,p 6 / mmm]进入该隐2 -type结构[2H,a = 4。3087(3)Å,C = 10。2117(6)Å,p 6 3 / mmc]在T s = 253 K的过渡温度下。我们发现,结构相变的结构相变为蜂窝层的一致屈曲,我们可以将其解释为该层中原子的疾病障碍过渡。我们表明,在t c = 2的临界温度下,2H行相变为超导。1 K. 2H行李中超导性的批量性质通过特定的加热测量来确认,其中我们确定C /γt c = 1的值。59,它接近弱耦合极限中预期的BCS值。
简介。最近的Moiré材料激增已大大扩大了具有强相关电子的实验平台的数量。虽然相关的绝缘状态和扭曲双层石墨烯中的超导性[1-4]的超导能力启动,但过渡金属二分法(TMD)材料的双层中电子相关性的强度超过了石墨烯cousins中的材料[5]。在TMD中进行的实验揭示了Mott绝缘子的特征[6-10],量子异常的霍尔效应[11]和 - 在杂词中 - 分数纤维上的莫特 - 木晶体[7,12-16]。当电子电荷定位时,只有自旋程度仍然存在,并且在最近的实验中开始研究TMDMoiréBiLayers中的杂志[17-19]。Heterobilayers在三角形晶格上意识到了一个诱导的Hubbard模型[20-23],因此,局部旋转非常沮丧。这种挫败感可能会导致旋转液相,这是一种异国情调的物质,其物质实现一直在寻求[24,25]。在这封信中,我们表明n =±3 /4的通用Mott-Wigner状态报告了WSE 2 / WS 2双层[12,13]的填充状态,可以实现手性旋转液体[26,27]和Kagome Spin液体(KSL)[28-33]。在这种特殊的填充下,电子位于有效的kagome晶格上,该晶格以其高度的几何挫败感而闻名。TMD双层的可调节性 - 更换扭曲角度,栅极调整,材料在这里,我们证明了现实的模型参数如何导致该kagome晶格的有效自旋模型,并使用广泛的最新密度矩阵构造组(DMRG)模拟研究模型[34,35]。
对谐振介电纳米结构的操纵对于下一代光子设备至关重要。传统上,研究人员为此目的使用二维或相变材料。然而,前者导致较小的效率,而后者则缺乏持续变化。在这里,我们通过激光诱导的修改提供了另一种方法。cally,通过激光消融过程,我们合成了钼(MOS 2)纳米颗粒(NPS),然后我们通过激光片段来控制其组合。它导致MOS 2转化为其氧化物MOO 3 - X,进而导致光学响应的明显修饰,这是由于其光学常数之间的较大差异。此外,与原始MOS 2和经典的硅NP相比,激光碎片的NP具有更大的光热反应。因此,我们的基于MOS 2的激光可触摸NP为共振纳米光子剂(尤其是光热疗法)开辟了新的观点。
我们介绍了使用各种实现技术和语言构建的裸机服务器的验证,该技术根据机器代码,网络数据包和椭圆形曲线密码学的数学规范来针对全系统输入输出规范。我们在整个堆栈中使用了非常不同的形式性技术,范围从计算机代数,符号执行和验证条件生成到对功能程序的交互式验证,包括用于C类和功能性语言的编译器。所有这些组件规格和特定于领域的推理技术都是针对COQ证明助手中常见的基础定义和合理的。连接这些组件是一种基于功能程序和简单对象的断言,无所不知的程序执行和基本分离逻辑,用于内存布局。此设计使我们能够将组件以最高级别的正确性定理汇总在一起,而无需理解或信任内部接口和工具而可以进行审核。我们的案例研究是一款简单的加密服务器,用于通过公开验证的网络消息翻转一些状态,其证明显示了总功能正确性,包括内存使用方面的静态界限。本文还描述了我们使用的特定验证工具的经验,以及对我们经历的工具和任务组合之间经历的生产力差异的原因的详细分析。
由于其独特的光学和电子特性,垂直的范德华异质结构(VDWH)引起了光电应用的大量关注,例如光检测,光收获和光发射二极管。为了完全利用这些特性,了解跨VDWH的界面电荷转移(CT)和重组动力学至关重要。然而,界面能量和缺陷态对石墨烯转变金属二北核化金(GR-TMD)VDWH的界面CT和重组过程的影响仍在争论中。在这里,我们研究了具有不同化学成分(W,MO,S和SE)的GR-TMD VDWH中的界面CT动力学和可调的界面能量。We demonstrate, using ultrafast terahertz spectroscopy, that while the photo-induced electron transfer direction is universal with graphene donating electrons to TMDs, its efficiency is chalcogen-dependent: the CT efficiency of S atom-based vdWHs is 3–5 times higher than that of Se-based vdWHs thanks to the lower Schottky barrier present in S-based vdWHs.相比之下,从TMD到GR的电子反传递过程定义了电荷分离时间,它依赖金属依赖性,并由TMDS的中间隙缺陷水平支配:W过渡金属基于vDWH的电荷分离极为长,远超过1 ns,这比基于MO的VDWH远超过了PS Experation 10 s的基于MO的VDWH。与基于MO的TMD相比,这种差异可以追溯到基于W的TMD中报告的更深层次的中间隙缺陷,从而导致了从被困状态到石墨烯的后电子转移的变化能量。我们的结果阐明了界面能量学和缺陷的作用,通过在GR-TMD VDWH中定制TMD的化学组成和重组动态,这是优化光电设备的优化,尤其是在光电检测领域中。
晶体学相工程在精确控制材料的物理和电子特性中起着重要的作用。In two-dimensional transition metal dichalcogenides (2D TMDs), phase engineering using chemical lithiation with the organometallization agent n -butyllithium ( n -BuLi), to convert the semiconducting 2H (trigonal) to the metallic 1T (octahedral) phase, has been widely explored for applications in areas such as transistors, catalysis and batteries 1–15 .尽管可以在环境温度和压力下进行这种化学期工程,但对基本机制的理解很少,并且N -Buli的使用引起了显着的安全问题。在这里,我们将单型相位从2H到1T相的典型相跃迁到1T和双层2D TMD中,发现该反应可以通过455 nm处的低功率照明来加速六个数量级。我们确定上述差距照明通过光电氧化过程改善了限制速率的电荷转移动力学。我们使用这种方法来实现TMD的快速和高质量的相位工程,并证明可以利用该方法将任意相模式用衍射限制的边缘分辨率刻在几层TMD中。最后,我们用更安全的多环芳族芳族细胞岩剂代替了热情的n -buli,并表明它们的性能超过了n -buli作为相变剂的性能。我们的工作为探索电化学过程的原位表征开辟了机会,并为通过Photoredox阶段工程提供可持续扩展的材料和设备铺平了道路。
摘要:Glypicans与肿瘤行为的各个方面有关,并且在不同的癌症中提出了它们的治疗价值。在这里,我们通过功能基因组学和转录组分析在广泛的癌症中系统地评估了GPC4对癌症进展的影响。使用TCGA癌症患者数据的生存分析揭示了GPC4表达在各种癌症类型中的不同作用,发现GPC4表达水平升高,与癌症依赖性的较差和有利的预后相关。通过遗传扰动研究对GPC4在胶质母细胞瘤和非小细胞肺腺癌中的作用的详细研究表现出对这些癌症的影响,其中GPC4与CRISPR/CAS9的敲除gpc4降低了胶质母细胞瘤的增殖,并增强了Lung adenaCarcarcarcarcarcarcarcarcarcarcincarincarcarcarcincarncarcarcarcarcarcinsy and and Crignct andc runge的效果。此外,在GPC4敲除胶质母细胞瘤细胞中GPC4的过度表面恢复了增殖,表明其在这种癌症类型中的有丝分裂作用。此外,对TCGA患者数据的生存分析证实了这些发现,揭示了GPC4水平升高与胶质母细胞瘤预后不良之间的关联,同时表明肺癌患者的结果有利。最后,通过转录组分析,我们试图将作用机理分配给GPC4,因为我们发现它与细胞周期控制和生存核心途径有关。分析表明,肿瘤基因的上调,包括FGF5,TGF-β超家族成员和ITGA-5在胶质母细胞瘤中的上调,它们在肺腺癌患者中被下调。我们的发现阐明了GPC4在癌症中的多效效应,强调了其作为推定的预后生物标志物的潜力,并以依赖癌症的方式表明其治疗意义。
摘要:由于特性和维度的独特组合,研究了纳米级的各种应用,研究了过渡金属二分元。对于许多预期的应用,热传导起着重要作用。同时,这些材料通常包含相对较大的点缺陷。在这里,我们对内在和选择外部缺陷对MOS 2和WS 2单层的晶格导热率的影响进行系统分析。我们将Boltzmann传输理论与Green基于功能的T -Matrix方法相结合,以计算散射速率。缺陷配置的力常数是通过回归方法从密度功能理论计算获得的,这使我们能够以中等的计算成本采样相当大的缺陷,并系统地强制执行翻译和旋转声音总和规则。计算出的晶格导热率与MOS 2和WS 2的热传输和缺陷浓度的实验数据定量一致。至关重要的是,这表明在实验上观察到的晶格热导率的1/ t温度依赖性的强偏差可以通过点缺陷的存在来充分说明。我们进一步预测了固有缺陷的散射强度,以减少两种材料中两种材料中序列Vmo≈v2s => V 2S => v 2s> v s> s AD,而外部(ADATOM)缺陷的散射速率随着质量的增加而降低,以使li AD AD aD aD aD aD aD aD> k aD> k AD。与较早的工作相比,我们发现固有和外在的原子质都是相对较弱的散射体。我们将这种差异归因于翻译和旋转声音总规则的处理,如果不执行,则可能导致零频率限制的虚假贡献。
摘要:由于特性和维度的独特组合,研究了纳米级的各种应用,研究了过渡金属二分元。对于许多预期的应用,热传导起着重要作用。同时,这些材料通常包含相对较大的点缺陷。在这里,我们对内在和选择外部缺陷对MOS 2和WS 2单层的晶格导热率的影响进行系统分析。我们将Boltzmann传输理论与Green基于功能的T -Matrix方法相结合,以计算散射速率。缺陷配置的力常数是通过回归方法从密度功能理论计算获得的,这使我们能够以中等的计算成本采样相当大的缺陷,并系统地强制执行翻译和旋转声音总和规则。计算出的晶格导热率与MOS 2和WS 2的热传输和缺陷浓度的实验数据定量一致。至关重要的是,这表明在实验上观察到的晶格热导率的1/ t温度依赖性的强偏差可以通过点缺陷的存在来充分说明。我们进一步预测了固有缺陷的散射强度,以减少两种材料中两种材料中序列Vmo≈v2s => V 2S => v 2s> v s> s AD,而外部(ADATOM)缺陷的散射速率随着质量的增加而降低,以使li AD AD aD aD aD aD aD aD> k aD> k AD。与较早的工作相比,我们发现固有和外在的原子质都是相对较弱的散射体。我们将这种差异归因于翻译和旋转声音总规则的处理,如果不执行,则可能导致零频率限制的虚假贡献。
垂直堆叠的范德华(VDW)异质结构具有独特的电子,光学和热特性,可以通过扭曲角工程来操纵。然而,双层界面处的弱语音耦合施加了基本的热瓶颈,以实现未来的二维设备。使用超快电子衍射,我们直接研究了照片诱导的MOS 2 /WS 2中的非平衡声子动力学,在4°扭曲角度和WSE 2 /Mose 2的旋转角度为7°,16°,16°和25°和25°。,我们确定了一个层间传热通道,其特征时间尺度为约20个皮秒,假设初始内部内部热化的分子动力学模拟比分子动力学模拟快约一个数量级。涉及声子散射的原子计算表明,此过程起源于初始层间电荷转移和散射之后的非热声子种群。我们的发现通过调整非平衡声子种群来提出VDW异质结构中热管理的途径。