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World File Search System二晶
补充二晶对糖尿病诱导的氧化应激和凋亡
脱颖而出的背景：糖尿病（DM）是最普遍，最持久的代谢疾病之一，已被置于不利影响男性生育能力的情况下。相反，运动训练和克莱辛都被确定为能够减轻糖尿病对精子发生的有害影响的潜在干预措施。因此，租赁研究旨在探索糖尿病成年大鼠睾丸组织中补充子蛋白的个体和综合影响对氧化应激和生殖细胞凋亡的锻炼。材料和方法：在这项实验研究中，DM是由链蛋白酶（STZ，50 mg/kg）诱导的。Rats were divided into control (received STZ solvent), DM-sole, Chrysin-sole (50 mg/kg, daily), moderate-intensity running exercise training (MIRET-sole, warm-up, 5 minutes at 30% of Smax1 (Maximum speed); Moderate inten sity exercise, 60 minutes at 60% of Smax1, and recovery, 5 minutes to 30% of Smax1), DM+Chrysin, DM+MIRET,和DM+miret+Chrysin。Following 8 weeks, the histopathological changes (Johnson's score, epithelial height, and tubular diameter), testicular malondialdehyde (MDA), superoxide dismutase (SOD), glutathione peroxidase (GPX), and the mRNA levels of anti-apoptotic gene Bcl-2 and pro-apoptotic gene Bax was analyzed.结果：Chrysin仅与Miret同时可以明显地（P = 0.001）改善DM引起的他的心部病理学损害，增加了睾丸SOD和GPX水平，并降低了DM增强的MDA含量。此外，我们的结果表明，与miret同时更加同时可以显着（P = 0.001）降低BAX的mRNA表达并改善Bcl-2表达并重新平衡BAX/BCL-2平衡。结论：我们的发现表明，二晶与miret的共同给药可以显着对DM诱导的组织病理学和生化障碍进行评估，并减少DM对睾丸组织的促凋亡影响。
研究二晶的电催化活性...
pyrochlore氧化物由于其阳离子电荷和阴离子缺乏效率而被认为是各种电化学应用的活性候选物。同时，pyrochlore的阳离子取代是改善电极材料催化活性的关键参数。在此背景下，本文旨在合成二氧化甲氧化物氧化物氧化物氧化物纳米颗粒（BI 0.6 y 1.4 SN 2 O 7; byso nps），并构建抗抗毒性氯丙嗪（CHPMZ）的电化学传感器。通过共沉淀技术进行催化剂，然后进行热处理。分析方法，例如P-XRD，FT-IR，TGA和XPS，确认了Bi3þ的成功取代。通过Fe-SEM和TEM技术分析了准备的催化剂的形态，这表明纳米颗粒的大小为⁓20E 30 nm。从CV结果中，阳离子的取代增强了CHPMZ的电催化氧化，这是由于固有活性增强而具有较大大小阳离子的替代性和pyrochlore结构的阴离子缺乏效率。此外，计算出BYSO/SPCE上CHPMZ的异质速率常数为4.49 10 3 cm/s，这表明BYSO/SPCE上CHPMZ的氧化是准可逆的。用BYSO NPS修饰的电极显示较宽的线性范围（0.01 E 58.41 m m，78.41 E 1158 m m），高灵敏度（1.03 m A/ m m/ cm/ cm 2），低检测极限为3 nm。修改的电极显示出良好的选择性，可重复性和良好的稳定性，可检测CHPMZ。©2022 Elsevier Ltd.保留所有权利。此外，构造的传感器在人类血清和尿液样品中恢复良好的实践分析中显示出令人鼓舞的结果。
使用原子层沉积制造的氧化二晶型晶体管
在过去的几十年中，互补的金属 - 氧化物 - 氧化 - 氧化核（CMOS）技术一直是现代综合电路发展的推动力。增强栅极静电控制以提高对短通道效应（SCE）的免疫力（尤其是在积极缩放晶体管技术的发展中）的关键策略。这包括开发高等效氧化物厚度（EOT）缩放的高κ /金属门技术，以及超薄体，鳍和堆叠的纳米片通道晶体管；在3 nm技术节点1之外，半导体工业（遵循FIN场效应晶体管技术）目前正在采用堆叠的纳米表晶体管。要进一步扩展长度尺寸并保持良好的驱动电流，至关重要的是抑制SCE。可以使用增加数量的薄堆积通道来实现这一目标。然而，常规半导体晶体管的性能迅速降低到硅的3 nm厚度低于3 nm的厚度，而INGAAS的性能降低了10 nm。二维（2D）半导体是一种替代通道材料，与传统的半导管相比，单层厚度和单层厚度较高，在单层厚度上具有更高的迁移率。但是，2D材料缺乏高品质的大区域CMOS兼容生长技术。也很难在其范德华表面形成介电。此外，这些材料很难浓缩，并且在Schottky金属/半导体触点处引起的高接触分析。特别是原子层氧化物半导体，尤其是无定形im-gallium-Zinc氧化物（Igzo） - 用于平面晶体管（TFTS）中的半导体通道材料（用于平面式式施用应用程序12）。但是，尽管是高批量制造的成熟技术，但氧化物半导体很少被视为用于缩放高性能晶体管的Channel材料。这是由于它们的低电荷载流子迁移率约为10 cm 2 v -1 s –1，并且在质量生产中使用时，它们通常需要多达几十纳米的通道厚度13。然而，对于单一三维（3D）整合应用14-21的CMOS后端（BEOL）中氧化物半导体晶体管的使用引起了兴趣。